【課題】リソグラフィー特性やパターン形状に優れたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、基材成分（Ａ）は一般式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０）と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ１）とを有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、（Ｂ）は一般式（ｂ０）で表される化合物（Ｂ１）を含有する。
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【課題】リソグラフィー用途に好適で新規なポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分（Ａ）は、酸解離性溶解抑制基を含む構成単位（ａ１）と、塩基解離性基を含む構成単位（ａ５）と、アミノスルホニルオキシアダマンチルメタクリレート構成単位（ａ６）とを有する高分子化合物（Ａ１）を含有するポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】レジスト用重合体を合成可能なアルカリ解離性基を有する重合性の化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（ｍ−１−２）で表される化合物。


［一般式（ｍ−１−２）中、Ｒ^９は一般式（１）で表される基等を示す。一般式（１）中、Ｒ^１０は相互に独立にハロゲン原子等、ｍ_１は０〜５の整数を示す。Ｘ^１は単結合、ジフルオロメチレン基又は炭素数２〜２０の全フッ素置換２価炭化水素基、Ｒ^２は単結合、メチレン基、炭素数２〜１０の２価炭化水素基等を示す。Ｒ^３１はＲ^２に示した基であり単結合を含まない。Ｒは水素原子、メチル基等を示す。］ （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）が広く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記レジスト組成物が、（Ａ）実質的にアルカリ不溶性である樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）架橋剤、（Ｄ）溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法、該方法に用いる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜。 （もっと読む）

【課題】 感度、解像度が優れているだけでなく、焦点深度が広く、高反射率基板上でもパターン剥がれ耐性に優れる感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）グリセロールモノメタクリレート等の複数のヒドロキシル基を有する化合物由来の繰り返し単位を有する重合体および（Ｄ）溶剤を含有することを特徴とする、化学増幅型レジスト用感放射線性樹脂組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物、および該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、含窒素有機化合物成分（Ｄ）とを含有するレジスト組成物であって、前記含窒素有機化合物成分（Ｄ）は、一般式（ｄ１）で表される化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物。
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【解決手段】ラクトンを密着性基として有する繰り返し単位、酸不安定基含有繰り返し単位及びカーバメート構造含有繰り返し単位を共重合してなる高分子化合物と、光酸発生剤を含む第1のポジ型レジスト材料を基板上に塗布し第1レジスト膜を形成する工程、第1レジスト膜を露光後加熱処理し、現像して第1レジストパターンを形成する工程、第1レジストパターンを加熱して酸に対して不活性化し、基板上の第1レジストパターン上にC3〜8のアルコール、又はC3〜8のアルコール及びC6〜12のエーテルを溶媒とする第2ポジ型レジスト材料を塗布して第2レジスト膜を形成する工程、第2レジスト膜を露光し、PEB後現像して第2レジストパターンを形成する工程を含むパターン形成方法。
【効果】第1レジストパターンのパターンが未形成部分に第2パターンを形成し、パターン間のピッチを半分にするダブルパターニングを行い、一度のドライエッチングで基板を加工できる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性に優れ、良好な形状のレジストパターンを形成できる、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに当該レジスト組成物用として有用な含窒素高分子化合物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、一般式（ａ０）［式中、Ｒ^２１は水素原子又は有機基である。Ｒ^２７はアルキレン基、２価の脂肪族環式基又は２価の芳香族炭化水素基である。Ｒ^２８はアルキル基、１価の脂肪族環式基又は１価の芳香族炭化水素基である。ただし、Ｒ^２７とＲ^２８とは相互に結合して式中のＮ−Ｃ（＝Ｏ）と共に環を形成している。］で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する含窒素高分子化合物を含有するレジスト組成物。
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【課題】放射線に対する透明性に優れ、レジスト溶剤に対する溶解性に優れ、高コントラストを有する感放射線性樹脂組成物の提供。
【解決手段】下記式（１）で表される繰り返し単位および下記式（２）で表される繰り返し単位を有する重合体と、感放射線性酸発生剤とを含有する。
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【課題】 化学増幅フォトレジスト組成物及びそれを使用するプロセスを提供する。
【解決手段】 フォトレジスト組成物は、フェノール系ポリマーと、エーテル含有部分及び／又はカルボン酸含有部分を含まない（メタ）アクリレート・ベースのコポリマーとのブレンド、及び、光酸発生剤とを含む。前記コポリマーは、アルキルアクリレート、置換アルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、置換アルキルメタクリレート、及びこれらの混合物からなる群から選択される第１のモノマー、並びにアクリレート、メタアクリレート及びこれらの混合物からなる群から選択され、酸開裂性エステル置換基を有する第２のモノマーを含む。当該フォトレジスト組成物を用いて基板上にフォトレジスト像を形成するプロセスも開示される。 （もっと読む）

【課題】異物生成の少ない光学用アクリル系イミド樹脂およびタンデム型反応押出機を用いた、異物生成しにくい光学用アクリル系イミド樹脂の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂中に残存するカルボキシル基の割合を０．１５ｍｍｏｌ／ｇ以下にしたアクリル系イミド樹脂、および、タンデム型押出機を用いて、第１押出機１においてアクリル系樹脂とイミド化剤とを処理する第１段目反応を行い、第２押出機２において、第１押出機における反応生成物をさらにエステル化剤と処理する第２段目反応を行いカルボキシル基の割合が０．１５ｍｍｏｌ／ｇ以下のアクリル系イミド樹脂を得る製造方法。 （もっと読む）

【課題】通常露光及び液浸露光によるラインエッジラフネスが改善され、液浸露光時に於ける水追随性に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）式（Ｉ）で表される酸分解性繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、（Ｃ）フッ素及び／又はケイ素原子を含有し、下記（ｘ）〜（ｚ）の群から選ばれる基を含有する樹脂、並びに（Ｄ）溶剤、を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。式（Ｉ）中、各記号は所定の基を表す。（ｘ）アルカリ可溶性基、（ｙ）アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、（ｚ）酸の作用により分解する基。
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【課題】ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィに適した、ラインエッジラフネスが良好で、パターンをより微細化できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)の繰り返し単位と式(II)〜(V)から選ばれた繰り返し単位の一つ以上とを有する樹脂及び酸発生剤を含む感放射線組成物。




（Ｙは、脂環式炭化水素基。Ｚは、２価の炭化水素基。） （もっと読む）

【課題】高感度、密集パターンおよび孤立ラインの高解像性、十分な露光余裕度、良好なラインウィズスラフネス、良好なブリッジマージン、孤立スペースの高解像性を同時に満足する感活性光線または感放射線樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）炭素数５から８の単環の酸解離性シクロアルキル（メタ）クリレート単位と置換スチレン単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、炭素数３以上の炭化水素基を置換基を芳香環に有する構造のスルホン酸を発生する化合物を含有することを特徴とする、感活性光線または感放射線樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ＬＷＲ及びＭＥＥＦが小さく、粗密バイアスにも優れ、保存安定性が良好な感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】樹脂（Ａ）と、感放射線性の酸発生剤（Ｂ）と、酸拡散抑制剤（Ｃ）と、溶剤（Ｄ）とを含有し、前記酸発生剤（Ｂ）が下記一般式（Ｉ）で示される化合物であり、前記溶剤（Ｄ）がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを全溶剤に対して５０〜９０質量％含有する感放射線性樹脂組成物。


（一般式（Ｉ）中、Ｍ^＋はスルホニウムカチオンまたはヨードニウムカチオンを示す。） （もっと読む）

【課題】ディフェクトの発生が抑制されたポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】基材成分と、酸発生剤成分と、一般式（Ｆ−１で表される構成単位（Ｆ−１）からなる含フッ素重合体（Ｆ１）、又は前記構成単位（Ｆ−１）と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（Ｆ−２）及び一般式（Ｆ−３）で表される構成単位（Ｆ−３）からなる群から選択される少なくとも一種の構成単位とを有する特定量の含フッ素共重合体（Ｆ２）とを含有するポジ型レジスト組成物。
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【課題】新規な酸発生剤を含有するレジスト組成物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、レジスト組成物用の酸発生剤またはその前駆体として有用な新規な化合物、ならびに該化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、前記酸発生剤成分（Ｂ）が、下記一般式（ｂ１−１）［式中、Ｒ^Ｘはヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基であり；Ｒ^１は２価の連結基であり；Ｙ^１は炭素数１〜４のアルキレン基または炭素数１〜４のフッ素化アルキレン基であり；ｎは１〜３の整数であり；Ｚはｎ価の有機カチオン（ただし、アミンイオンおよび第４級アンモニウムイオンを除く。）である。］で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
［化１］
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【課題】薄膜であっても、感度、解像度等のレジストとしての基本物性に優れるとともに、ラインパターンを形成する際における露光余裕度が優れ、また、現像後の残渣を低減させるレジスト膜を形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）少なくとも下記式（ａ−１）で表される繰り返し単位を有する重合体、並びに（Ｂ）酸発生剤、（Ｄ）有機溶剤を含有することを特徴とする、感放射線性樹脂組成物。
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【課題】重合前は低粘度の液状であり、且つ、熱又は光ラジカル開始剤を用いて重合させた場合に体積収縮が小さい化合物であり、さらに低屈折率であるなど光学特性にも優れた化合物を提供すること。
【解決手段】式（１）で表されるビニルシクロプロパン化合物及び該ビニルシクロプロパン化合物及びそれから得られる重合物及び共重合物、並びにビニルシクロプロパン化合物を用いた光重合方法。


（式（１）中、Ｘ及びＹは互いに同一であっても異なっていてもよく、それぞれＣ（＝Ｏ）Ｒ¹、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ¹、ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ¹、Ｃ（＝Ｏ）ＳＲ¹、ＳＣ（＝Ｏ）Ｒ¹、Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ¹Ｒ²、ＳＯ₂Ｒ¹又はＲ¹を表し、Ｒ¹は非置換の、又は、炭素原子数１乃至１２の直鎖アルキル基、炭素原子数３乃至１２のシクロアルキル基、炭素原子数１乃至１２のアルコキシ基、炭素原子数１乃至１２のアシル基、炭素原子数１乃至１２のアシルオキシ基及びヒドロキシ基からなる群から選択される置換基によって置換された炭素原子数３乃至１８のシクロアルキル基を表し、Ｒ²は水素原子、アルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表す。） （もっと読む）

【課題】支持体への塗布性に優れたレジスト組成物、レジストパターン形成方法及びレジスト組成物の製造方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるレジスト組成物であって、前記有機溶剤（Ｓ）は、１−ブトキシ−２−プロパノールと２−ブトキシ−１−プロパノールとを含み（ただし、１−ブトキシ−２−プロパノールと２−ブトキシ−１−プロパノールとを混合して調製されたものを除く）、かつ、前記２−ブトキシ−１−プロパノールの割合が、前記１−ブトキシ−２−プロパノール１００質量部に対して１．５質量部以上であることを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）