【課題】塗膜の高密着性及び高透明性を損なうことなく、優れた表面保護機能を発現する硬化膜を与える感光性組成物を提供する。
【解決手段】エチレン性不飽和結合含有基（ｘ）を有するフタル酸エステル、トリメリット酸エステル及びピロメリット酸エステルからなる群から選ばれる少なくとも１種のエステル化合物（Ａ）、重合開始剤（Ｃ）、並びに必要により、ウレタン基及び／又はウレア基を有する（メタ）アクリレート（Ｂ）と活性エネルギー線により酸を発生する酸発生剤（Ｄ）の少なくとも一方を含有することを特徴とする活性エネルギー線硬化型感光性組成物。前記エチレン性不飽和結合含有基（ｘ）は、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、１−プロペニル基及びアリル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の置換基であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】α−シアノアクリレート系組成物に求められる湿気による速硬化性やその他の諸物性はそのままに、紫外線などの活性エネルギー線の照射により速やかに硬化可能な、湿気でも活性エネルギー線の照射によっても速やかに重合し、さらに組成物が透明性を有し、貯蔵安定性に優れる光硬化性組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｂ）成分を含有することを特徴とする光硬化性組成物。（Ａ）α−シアノアクリレート（Ｂ）下記一般式（１）で表されるアニオンを有する塩
（もっと読む）

【課題】優れた露光マージンでレジストパターンを製造するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物に含有される新規な塩を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩、及び当該塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物の提供。


［式（Ｉ）中、
Ｑ¹及びＱ²は、フッ素原子などを表す。
Ｘ^１及びＸ^２は、単結合又は脂肪族飽和炭化水素基などを表す。Ａ^１は、炭素数１〜３０の有機基を表す。
Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】高感度な化学増幅型レジストとして有用な新規な酸分解性をもつ重合性単量体、これを用いて重合または共重合された重合体、およびそれを用いたレジストおよびそのパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される重合性単量体、およびその重合体。


（式（１）中、Ｒ^２〜Ｒ^１４は、水素、炭化水素基。） （もっと読む）

【課題】体積抵抗率及び絶縁破壊電圧が高く、電気的安定性の高い層間絶縁膜を形成可能なポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（成分Ａ）式（ａ１）で表される構成単位と、式（ａ２）で表される構成単位と、式（ａ３）で表される構成単位及び／又は式（ａ４）で表される構成単位とを有する共重合体、（成分Ｂ）発生酸のｐＫａが４以下である光酸発生剤、並びに、（成分Ｃ）溶剤を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】透明性、耐熱性および成形性の高い炭化水素系共重合体および成形体を提供する。
【解決手段】２−ノルボルネンやテトラシクロドデセンなどのノルボルネン誘導体と、Ｎ−シクロヘキシルマレイミドなどのＮ−シクロアルキルマレイミド、Ｎ−メチルマレイミドやＮ−エチルマレイミドなどのＮ−アルキルマレイミドまたはＮ−フェニルマレイミドなどのＮ−アリールマレイミドとを共重合してなる数平均分子量が５×１０⁴〜５×１０⁶の範囲である炭化水素系共重合体。該炭化水素系共重合体を成形してフィルムなどの成形体を得る。 （もっと読む）

【課題】ＫｒＦ光、電子線及びＥＵＶ光を用い、高解像かつ高エッチング耐性を有し、更に現像残渣欠陥が低減されたネガ型のパターンを形成可能なパターン形成方法、その方法に用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び感活性光線性又は感放射線性膜を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解して極性基を生じる基を有する繰り返し単位を含有し、且つ、芳香族基を含有する、酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する非イオン性化合物、及び、（Ｃ）溶剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、膜を形成する工程、該膜を露光する工程、露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像することによりネガ型パターンを形成する工程を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、現像時間依存性が小さく、かつ現像により形成されるパターン部の膜べりを抑制する。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程、を含む、パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。
（もっと読む）

【課題】高感度であり、保存安定性及び硬化膜の透明性に優れ、現像寛容度が広い感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた硬化膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】式（１）で表されるオキシムスルホネート化合物、酸により分解しカルボキシル基又はフェノール性水酸基を生成する酸分解性基を有する構成単位を有する樹脂、及び、溶剤を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。Ｒ¹はアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ²はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表し、Ａｒ¹はｏ−アリーレン基又はｏ−ヘテロアリーレン基を表し、ＸはＯ又はＳを表し、ｎは１又は２を表す。２以上存在するＲ²のうち、少なくとも１つはアルキル基、アリール基又はハロゲン原子である。
（もっと読む）

【課題】レジスト組成物用酸発生剤として有用な塩、及び当該塩を含有する、優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^２は、塩基解離性基を表す。Ｒ^３は、水素原子又はヒドロキシ基を表す。Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、式（ａ−ｇ１）


（式（ａ−ｇ１）中、ｓは０〜２の整数を表す。Ａ^１０及びＡ^１１は、それぞれ独立に脂肪族炭化水素基を表す。Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。ｍ１は１又は２を表し、ｍ２は０又は１を表す。但し、ｍ１＋ｍ２＝２の関係を満たす。Ａ⁻は、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン及びカルボン酸アニオンから選ばれる有機アニオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、レジストパターンを製造できるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ｘ^１は、単結合又は−ＮＲ^１−を表す。Ｘ^２は、脂肪族炭化水素基を表す。Ｗは、脂環式炭化水素基を表し、脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、カルボニル基等で置き換わっていてもよく、脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基等に置き換わっていてもよい。Ｒ^１は、水素原子又はアルキル基を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】高解像性で良好な形状の孤立ラインパターンを形成することができ、且つ、ラフネス特性および露光後加熱温度依存性（ＰＥＢＳ：Post Exposure Bake Sensitivity）を含む他のレジスト性能にも優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのフェノール性水酸基と、フェノール性水酸基の水素原子が一般式（１）で表される基によって置換されている基を少なくとも１つ含む化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】従来から知られるレジスト組成物では、レジストパターン製造時のラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が必ずしも十分ではない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、同一又は相異なり、フッ素原子等を表す。Ｌ^１は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子等に置き換わっていてもよい。Ｘ^１は、単結合又は−ＮＲ^１−を表す。Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。環Ｗは、炭素数３〜３６の脂肪族環を表し、該脂肪族環を構成するメチレン基は、酸素原子等に置き換わっていてもよく、該脂肪族環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基等に置き換わっていてもよい。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】ディフェクトの発生を低減することができ、且つ保存安定性に優れたレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、末端にフッ素化アルキルエステル基を有するフッ素含有有機基を側鎖に有する化合物成分（Ｆ）とを含有することを特徴とするレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び露光ラチチュードに優れ、パターンサイズの現像時間依存性が小さく、かつ現像により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制できるパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）下記一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される繰り返し単位（ａ１）を樹脂（Ｐ）中の全繰り返し単位に対して２０モル％以上有する樹脂（Ｐ）、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）膜を露光する工程、及び（ウ）露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を有するパターン形成方法。
（もっと読む）

【課題】高い解像力、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ）、優れたパターン形状、及び、高感度を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、架橋性ネガ型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】基板上に、架橋反応によりネガ化するネガ型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程をこの順番で有する、レジストパターンの形成方法において、前記ネガ型レジスト組成物が下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有し、前記工程で形成された膜の膜厚が１５ｎｍ〜４０ｎｍであり、かつ、前記アルカリ現像液中のアルカリ成分の濃度が０．５質量％〜１．１質量％である、レジストパターン形成方法。
（もっと読む）

【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なネガティブパターン形成用レジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】スルホンアミド基が酸不安定基で置換された式（１）の繰り返し単位ａ１及び／又はａ２を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、露光し、有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
（もっと読む）

【課題】優れらマスクエラーファクターのレジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位（ａａ）と、式（ａｂ）で表される構造単位（ａｂ）とを有する樹脂及びこれを用いたレジスト組成物。


［式中、Ｒ^aa2は、水素原子又はフッ化アルキル基；Ｒ^aa３はフッ化アルキル基；Ｒ^aa４は、酸により、酸素原子との間の結合〔Ｏ−Ｒ^aa４〕が切断される１価の基 （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）で、欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、酸発生剤及び式（ＩＡ）で表されるアニオンを有する塩を含有するレジスト組成物。
（もっと読む）

【課題】欠陥の発生数が少なく、優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を有する樹脂、酸発生剤及び環状ケトン溶剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^aa1は、水素原子又はメチル基；Ｒ^aa2は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基；Ａ^aa1は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基又は式（ａ−１）で表される基を表す。］ （もっと読む）