【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れるレジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１）、及び露光により酸を発生する構成単位（ａ０−２）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有することを特徴とするレジスト組成物［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基であり、Ｒ^２は２価の連結基である。］。
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【課題】イオン伝導度が高く、耐水性に優れ、寸法変化が小さく、柔軟性を有するプロトン伝導性電解質膜を作製し、出力が高く、かつ、耐久性が高い固体高分子形燃料電池を提供する。
【解決手段】ポリビニルを主鎖とし、プロトン伝導性を有する官能基と、Ｓｉ又はＴｉのアルコキシドとを側鎖に有する共重合体を含む電解質材料を用いる。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、光酸発生剤と、有機溶剤と、フッ素原子を有する繰り返し単位を含有し、かつ水酸基を含有しない高分子添加剤とを含み、高分子添加剤の含有量が全高分子化合物の含有量に対して１〜３０質量％であるレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、液浸露光可能な高い後退接触角を示すと共に、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を示し、ラインパターン側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】微量吐出法のみにより、高い撥液性を有する硬化膜を基材上に形成でき、並びに、隣接するパターンが硬化前に接触しても、混じり合わずにパターン形状が維持される撥液剤を提供する。
【解決手段】（ａ１）炭素数１〜８のフルオロアルキル基（炭素原子間にエーテル性酸素原子を有してもよい）を有するα位置換アクリレート１００重量部、（ａ２）エポキシ基含有モノマー５〜６０重量部および（ａ３）−(Ｒ^１Ｏ）_ｎＲ^２で示されるアルキレンオキサイド基を含有するモノマー１０〜１００重量部を繰返し単位とするフッ素系ポリマー（Ａ）を含有する硬化性インク組成物用撥液剤。 （もっと読む）

【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ露光により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制するパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂（Ｐ）及び活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、及び
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。


上記一般式（Ｉ）中、Ｒ_０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 （もっと読む）

【課題】環境衛生上の問題が少なく、硬度、密着性、耐薬品性に優れた活性エネルギー線硬化型樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】活性エネルギー線の遮断下で、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸から選ばれるカルボキシル基含有不飽和モノマー(a)、重合性不飽和基を有する光増感剤(ｂ)、反応性官能基を含有する不飽和モノマー(ｃ)、及びこれらと共重合可能な他の不飽和モノマー(ｄ)の混合物を共重合する。この共重合体に(c)と反応可能な炭素−炭素不飽和二重結合を含有する化合物(ｅ)を付加反応させ、1分子中に2つ以上の炭素−炭素不飽和二重結合、1つ以上の活性エネルギー線によりラジカルを発生する光増感性官能基、1つ以上のカルボキシル基を含有するポリマー化合物(A)を得る。次にポリマー化合物(A)中のカルボキシル基を塩基で中和する。この場合、上記(ｃ)化合物と (ｅ)の化合物を特定の組合せとする。
さらにポリマー化合物(A)に上記多官能不飽和モノマーまたはオリゴマー(Ｂ)を混合したものも含まれる。 （もっと読む）

【課題】体積抵抗率及び絶縁破壊電圧が高く、電気的安定性の高い層間絶縁膜を形成可能なポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（成分Ａ）式（ａ１）で表される構成単位と、式（ａ２）で表される構成単位と、式（ａ３）で表される構成単位及び／又は式（ａ４）で表される構成単位とを有する共重合体、（成分Ｂ）発生酸のｐＫａが４以下である光酸発生剤、並びに、（成分Ｃ）溶剤を含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
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【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性、及び、露光ラチチュードに優れ、現像時間依存性が小さく、かつ現像により形成されるパターン部の膜べりを抑制する。
【解決手段】（ア）酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）によって表される酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程、を含む、パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。
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【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なネガティブパターン形成用レジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】スルホンアミド基が酸不安定基で置換された式（１）の繰り返し単位ａ１及び／又はａ２を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、露光し、有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
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【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）で、欠陥の少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基；Ａ^１はアルカンジイル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）で、欠陥数の少ないレジストパターンの製造。
【解決手段】式（ａａ）、（ａｂ）の構造単位を有する樹脂（Ｘ）、酸発生剤（Ｂ）を含有する組成物。


［式中、Ａ^aa1は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基等で表される基；Ｒ^aa2は、脂肪族炭化水素基；Ｒ^ab2は芳香族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性で、欠陥の発生が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及びアルカリ現像液の作用により開裂する構造を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ¹³は、ハロゲン原子を有していてもよい２価の脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクターを有し、かつ欠陥の発生が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、酸発生剤及び式（ＩＩ）で表される化合物を含有するレジスト組成物。
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【課題】優れたマスクエラーファクター（ＭＥＦ）のレジストパターンを製造し得るレジスト組成物及び該レジスト組成物に用いられる新規な樹脂を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位（ａａ）と、式（ａｂ）で表される構造単位（ａｂ）とを有する樹脂及びこの樹脂及び酸発生剤を含むレジスト組成物。


［Ｒ^aa１及びＲ^ab1は、水素原子又はメチル基；Ｒ^aa2は、水素原子又はフッ化アルキル基；Ｒ^aa３は、フッ化アルキル基；Ｒ^aa４は、酸安定基；Ａ^aa１は、炭化水素基；Ａ^ab1は、アルカンジイル基；Ｒ^ab2は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、欠陥の発生数も少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、式（ＩＩ）で表される化合物に由来する構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ²¹は２価の連結基；環Ｘ²¹は複素環；Ｒ²²は、ハロゲン原子、水酸基、炭化水素基、アルコキシ基等；ｍは、０〜１０の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性でレジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥発生数が少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、且つ、欠陥の発生が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、酸発生剤、式（ＩＩ）で表される化合物を含むレジスト組成物。
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【課題】レジストパターン形成時の露光マージン（ＥＬ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ¹⁴は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）で、欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】ＣＤ均一性が良好で、かつ欠陥が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、式（ＩＩ）で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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