【課題】感度、解像性及びリソグラフィー特性に優れるレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、一般式（ａ５−０）で表される構成単位（ａ５）と、露光により酸を発生する構成単位（ａ６）とを有する高分子化合物（Ａ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
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【課題】ガスバリア性を向上できるガスバリア基材およびガスバリア積層体を提供する。
【解決手段】基材と、基材の少なくとも一主面にある樹脂層と、樹脂層の一主面にあり、無機酸化物を含む無機酸化物層とを備え、樹脂層は、シクロアルカン構造含有重合性化合物または高酸価フタル酸構造含有重合性化合物を含む樹脂組成物が硬化されたものであるガスバリア基材である。 （もっと読む）

【課題】ネガ型パターンを高解像性で、かつ、良好な形状で形成できるレジストパターン形成方法と、これに用いるのに好適なレジスト組成物の提供。
【解決手段】基材成分（Ａ）及び光塩基発生剤成分を含有するレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、露光後にベークを行う工程、レジスト膜をアルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法、及びこれに用いるレジスト組成物であって、（Ａ）成分は酸分解性基を含む構成単位、−ＳＯ_２−又はラクトン含有環式基を含む構成単位、式（ａ３−１）で表される構成単位（但し１０モル％以下）を有する高分子化合物を含む。
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【課題】金属イオン不純物濃度が低く、半導体リソグラフィーに好適に用いることができる、半導体リソグラフィー用重合体または重合体溶液の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体リソグラフィー用重合体、または該重合体を含む重合体溶液の製造方法において、原料または生成物と接触する容器として、該容器に対して１０体積％のメタノールで還流した時に、該還流後のメタノール中の各金属イオン不純物濃度が１０ｐｐｂ以下である容器を用いる工程を有する、半導体リソグラフィー用重合体または該重合体を含む重合体溶液の製造方法。 （もっと読む）

【課題】インプリント法によるパターン形成後の被膜の、モールドへの付着を抑制する。
【解決手段】炭素−炭素不飽和結合を有する化合物を含む成分、及び重合開始剤を含み、炭素−炭素不飽和結合を有する化合物として、炭素−炭素不飽和結合のほか、アルコキシ基が結合しないケイ素原子を有するケイ素化合物を含む被膜形成材料２が提供される。このような被膜形成材料２を基板１上に形成し、モールド３を押し当て、モールド３の反転パターン３ｂを転写した被膜２ａを形成し、モールド３を被膜２ａから引き離す（離型）。上記ケイ素化合物を含む被膜形成材料２を用いることで、離型の際、モールド３への被膜２ａの付着が抑制される。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物は、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性を示し、例えば微細トレンチパターンやホールパターンの側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用又はＥＢ用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式（ａ５−０−１）又は式（ａ５−０−２）で表される基を含む構成単位（ａ５）と式（ａ６−１）で表される構成単位とを有する樹脂成分を含有し、構成単位（ａ５）を誘導するモノマー量が、該構成単位（ａ５）を有する重合体に対して１００ｐｐｍ以下のレジスト組成物。式中、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３は単結合又は連結基；Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は有機基であり、Ｒ^４とＲ^５とは環を形成してもよい。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｖ⁻は対アニオン、Ａ⁻はアニオンを含む基；Ｍ^ｍ＋は芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない有機カチオン；ｍは１〜３の整数；Ｒは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基；Ｐ^３は芳香族炭化水素基である。
［化１］
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【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで表面難溶層の形成を防ぎ、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】露光余裕度が大きく、かつラフネスが低減されたレジストパターンを形成できるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む下記構成単位（ａ１０）と、−ＳＯ_２−含有環式基を含む構成単位と、アクリル酸エステルから誘導され極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位と、を有する樹脂成分（Ａ１）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。（式中、Ｒ^２は一般式（ａ１０−１）又は下記一般式（ａ１０−２）で表される基であり、Ｘは酸素原子又はＣＨ_２である）
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【課題】製造工程での汚染による金属不純物量の増加を２ｐｐｂ以下に抑制できる重合体または重合体溶液の製造方法の提供。
【解決手段】下記（１ａ）〜（１ｂ）の工程を含む、重合体または重合体溶液の製造方法。（１ａ）重合体または重合体溶液の製造に使用される原料を、１立方メートル中に存在する粒径０．５μｍ以上の粒子の数が３，５２０，０００個（以下、「クラス８」と表記）以下の雰囲気下で取り扱い、クラス８を超える外気に接触させることなく重合釜に移送し、該重合釜にて単量体を重合し、重合体または重合体溶液を得る工程。（１ｂ）前記（１ａ）で得た重合体または重合体溶液を、クラス８を超える外気に接触させることなくクラス８以下の雰囲気下へ移送し、該雰囲気下にて容器に充填する工程。 （もっと読む）

【課題】ラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部が良好なドライエッチング耐性を有するパターン形成方法、及び、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】酸によって分解しカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位（ａ１）を含む樹脂、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、ヘテロ原子及び炭素原子を含み、且つ、炭素原子数が７以上の有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含み、繰り返し単位（ａ１）が、酸分解後のカルボキシル基を生じた際の該単位中に含まれる各原子の数を下式に代入し得られる値Ｘが０＜Ｘ≦５であるパターン形成方法。Ｘ＝（酸による分解後の繰り返し単位を構成する原子数の合計）／｛（炭素原子の数）−（炭素原子でも水素原子でもない原子の数）｝ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^２はエチレン性二重結合を含む基；Ｗは２価の脂環式炭化水素基；Ｔ^１は、単結合、２価の脂肪族炭化水素基等；Ｔ^２は２価の脂肪族炭化水素基等］ （もっと読む）

【課題】有機溶媒を含む現像液を用いた場合においてミッシングコンタクトホールの発生が抑制され、リソグラフィー特性に優れる感放射線性樹脂組成物の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、有機溶媒が８０質量％以上の現像液を用いるネガ型レジストパターン形成方法用の感放射線性樹脂組成物であって、［Ａ］酸解離性基を有するベース重合体、［Ｂ］［Ａ］重合体よりフッ素原子含有率が高い重合体、［Ｃ］感放射線性酸発生体、［Ｄ］溶媒、及び［Ｅ］［Ｄ］溶媒の比誘電率よりも１５以上大きい比誘電率を有する化合物を含有し、上記［Ａ］重合体が、下記式（１）で表される構造単位を有し、上記［Ｅ］化合物が、［Ａ］重合体１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下含有することを特徴とする。
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【課題】マスクエラーファクター優れたレジストパターンレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表すか又はＲ^１及びＲ^２が互いに結合し、それらが結合している炭素原子とともに炭素数５〜２０の環を形成する。Ｒ^４は、エチレン性二重結合を含む基を表す。Ｗは、炭素数６〜１８の２価の脂環式炭化水素基を表す。Ｔ^１は、単結合、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｔ^２は、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性を有するレジストパターンを製造可能なレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を有する樹脂及び酸発生剤を含み、酸発生剤が、式（Ｂ１）で表される塩を含む酸発生剤であるレジスト組成物。式（ａａ）中、Ｔ^１は、環骨格中に−Ｏ−ＳＯ_２−を有する炭素数４〜３４の環式基を表す。Ｒ^１は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ｒ^２は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ^３は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
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【課題】ＬＷＲ等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ良好なドライエッチング耐性を有するパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（ア）下記一般式（ｂ１）で表される非酸分解性の繰り返し単位（ｂ１）、および、酸によって分解し極性基を生じる基を有する繰り返し単位を含む樹脂（Ｐ）、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を波長が２００ｎｍ以下の活性光線又は放射線により露光する工程、及び（ウ）ヘテロ原子及び炭素原子を含み、且つ、炭素原子数が７以上の有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程、を含むパターン形成方法。（式中、Ａは酸素原子を含まない、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基を表し、Ｘ_０は水素原子又はアルキル基を表す。）
【化１】
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