【解決手段】（Ａ）酸不安定基を含む繰り返し単位（ａ１）と、環状の炭化水素基を有し、その環内にエステル基、エーテル基、炭酸エステル基又はスルホン酸エステル基のうち少なくとも１つを含む繰り返し単位（ａ２）と、オキシラン環を有する繰り返し単位（ａ３）を含み、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明によれば、良好なライン幅ラフネス（ＬＷＲ）とマスク忠実性（ＭＥＦ）を有し、微細パターンにおいても矩形性が高く、パターン倒れ耐性に優れたレジスト組成物を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】液浸露光プロセスにおいて、露光時にはレジスト膜表面の優れた水切れ性を示すと共に、現像欠陥の発生を抑制できる新規な化合物、この化合物に由来する構造単位を有する重合体、この重合体を含有するフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物に由来する構造単位を有する重合体、さらに、［Ａ］酸解離性基を有する重合体、［Ｂ］当該重合体、［Ｃ］酸発生体及び［Ｄ］溶媒を含有するフォトレジスト組成物。式（１）中、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。但し、Ｒ^４及びＲ^５のうち少なくとも１つの基は、フッ素原子を有する。ｎは、１〜４の整数である。
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【解決手段】式（１）で示される酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位ａと、ラクトン環を有する繰り返し単位ｂを含有する（メタ）アクリレートポリマーと、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に現像液として２−ヘプタノンを５０質量％以上含有する溶液による現像を行うパターン形成方法。


（式中、Ｒ2は酸不安定基である。）
【効果】安全にネガティブトーンパターンを形成できるプロセスを構築できる。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位と酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位の両方を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒を含むレジスト組成物、あるいは酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶媒を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像とアルカリ水溶液による現像の２回の現像を行うパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、有機溶剤とアルカリ水による２回の現像によって１本のラインを２本に分割し、マスクパターンの２倍の解像力を得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位と、ラクトン環を有する繰り返し単位の両方を含有する（メタ）アクリレート共重合体と、酸発生剤と、有機溶剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布して、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、蟻酸ベンジル、蟻酸フェニルエチル、３−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル、酢酸２−フェニルエチルから選ばれる溶剤１種以上を４０質量％以上含有する溶液による現像を行うパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、安全にネガティブトーンパターンを形成できるプロセスを構築できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、レジスト材料として用いることのできるスルホニウム塩、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】式（１）で示されるスルホニウム塩。


（式中、Ｘ、Ｙは重合性官能基を有する基を示す。Ｚはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３３の二価の炭化水素基を示す。Ｒ^１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３６の二価の炭化水素基を示す。Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３０の一価の炭化水素基を示すか、あるいはＲ^２及びＲ^３が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。） （もっと読む）

【課題】光弾性係数が小さな位相差フィルムを提供することにある。
【解決手段】式（１Ａ）及び式（１Ｂ）で表される化合物からなる群から選ばれる１種以上のジオール化合物（１）と、脂環式炭化水素骨格を有するポリイソシアネート化合物（２）とを反応させ、次いで、エチレン性二重結合及びポリイソシアネート化合物（２）のイソシアナト基と反応しうる官能基を有する化合物（３）を反応させて得られる化合物（Ａ）に由来する構造単位を含み、延伸してなる位相差フィルム。
ＨＯ−Ｌ^１−Ｗ^１−Ｌ^２−ＯＨ （１Ａ）
ＨＯ−Ｗ^２−Ｌ^３−Ｗ^３−ＯＨ （１Ｂ） （もっと読む）

【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、フォーカス余裕度（ＤＯＦ）が広く、線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さく、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。
【解決手段】（ア）化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記レジスト組成物が、（Ａ）実質的にアルカリ不溶性である樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｃ）架橋剤、（Ｄ）溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法、該方法に用いる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物、および該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）と、含窒素有機化合物成分（Ｄ）とを含有するレジスト組成物であって、前記含窒素有機化合物成分（Ｄ）は、一般式（ｄ１）で表される化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物。
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【解決手段】ラクトンを密着性基として有する繰り返し単位と酸不安定基を有する繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物と、光酸発生剤と、塩基発生剤とを含む第１ポジ型レジスト材料を基板上に塗布し、第１レジスト膜を形成する工程、前記第1レジスト膜を露光後、加熱処理し、現像して第1レジストパターンを形成する工程、第1レジストパターンを加熱して塩基発生剤よりアミン化合物を発生させて酸に対して不活性化し、前記基板上の前記第1レジストパターン上に該パターンを溶解させないアルコール、又はアルコール及びエーテルを溶媒とする第2ポジ型レジスト材料を塗布して、第2レジスト膜を形成する工程、前記第2レジスト膜を露光、PEB後、現像して第2レジストパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
【効果】本発明によれば、第1レジストパターンのパターンが未形成部分に第2パターンを形成し、パターン間のピッチを半分にするダブルパターニングを行い、一度のドライエッチングで基板を加工できる。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で表されるスピロ環構造を有する酸脱離性エステル型単量体。


（Ｚは重合性二重結合を有する１価の基、Ｘはこれが結合する炭素原子と共に置換又は非置換のシクロペンタン環、シクロヘキサン環、又はノルボルナン環を形成する２価の基、Ｒ²は水素原子、又は１価炭化水素基を表す。Ｒ³、Ｒ⁴は水素原子、又は１価炭化水素基を表し、又は、Ｒ³とＲ⁴は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に置換又は非置換のシクロペンタン環、又はシクロヘキサン環を形成する２価の基を表す。ｎは１又は２を表す。）
【効果】本発明のスピロ環構造を有する酸脱離性エステル型単量体は、機能性材料の原料等として有用であり、酸脱離反応における極めて高い反応性を有し、解像性の良好な感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための単量体として非常に有用である。 （もっと読む）

【課題】焦点深度が広く、ＬＷＲが小さく、現像時の溶け残りが少なく現像欠陥が発生し難い感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位（１）（Ｒ^１はメチル基等、Ｒ^２は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基等）、一般式（２）で表される繰り返し単位（２）（Ｒ^３はメチル基等、Ｒ^４は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基等）、及び環状炭酸エステル構造を有する繰り返し単位（３）を含む重合体（Ａ）と、感放射線性の酸発生剤（Ｂ）と、を含有する感放射線性樹脂組成物である。
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【解決手段】一般式（１）で示されるアセタール化合物。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。Ｒ²は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示す。Ｒ³、Ｒ⁴は、それぞれ独立に水素原子、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示す。Ｒ²とＲ³は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。Ｘ¹は単結合又は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状の二価の炭化水素基を示す。）
【効果】本発明のレジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【解決手段】式（１）で表される環状アセタール構造を有する含フッ素単量体。


（Ｒは、水素原子の一部がハロゲン原子で置換されていてもよく、又は、メチレン基の一部が酸素原子又はカルボニル基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、Ｚは、両端で結合するアルキレンオキシ基と共に五員環又は六員環を形成し、重合性不飽和基を含む二価の有機基）
【効果】本発明により、光機能性材料、コーティング材料等の原料として有用な、環状アセタール構造を有する新規含フッ素単量体が提供される。中でも、該単量体を用いた重合体は波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、また優れた撥水性を有すると共に構造の選択により撥水性、脂溶性、酸分解性、加水分解性など各種性能の調整が可能である。 （もっと読む）

【課題】スピロビインダン骨格を有する重合性液晶化合物及びこの化合物を含有する液晶組成物の提供。
【解決手段】式１で表される重合性液晶化合物。Ｇは単結合又は酸素であり；ＲはＨ、メチル又は式（ａ）で表される基であって、少なくとも２つのＲは式（ａ）で表される基であり；Ｐは重合性の基である。
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【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。Ｘは単結合又はメチレン基を示す。ｍは１又は２である。なお、ｍ個の水酸基は二級炭素原子に結合する。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。ｍは１又は２である。なお、ｍ個の水酸基は三級炭素原子に結合する。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる樹脂成分（Ａ）と、活性光線又は放射線に感応して酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有し、樹脂成分（Ａ）が一般式（１）で示される非脱離性の水酸基を含有する繰り返し単位を有する高分子化合物であるポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。Ｙは水素原子又は水酸基を示し、少なくとも１個のＹは水酸基である。波線は結合の向きが不特定であることを示す。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、微細加工技術、特にＡｒＦリソグラフィー技術において極めて高い解像性を有し、精密な微細加工に極めて有用である。 （もっと読む）

【課題】露光時に疎水性を有し、かつ、現像の際にレジスト膜表面の親水性が高くなる特性を有し、良好なレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、前記基材成分（Ａ）は、一般式（ａ０−１）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。一般式（ａ０−１）中、Ｒ^２はメチル基、エチル基又はフッ素原子を有する有機基であり；−Ｏ−Ｒ^２はアルカリ現像液の作用により解離する基であり、−Ｃ（＝Ｏ）−の炭素原子は前記樹脂成分（Ａ１）の主鎖に直接結合していないものとする。
［化１］
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