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Fターム[4J100BC49]の内容

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【課題】機械的強度、配向性等の特性に優れ、かつ重合後の透明性に優れる重合性化合物、該重合性化合物を含有する重合性組成物であって、かかる重合性組成物を硬化して得られる重合膜を薄膜化しても、均一な膜状態を維持し、耐熱性や配向制御及び光学特性に優れる重合性組成物、及び該重合性組成物を重合して得られる重合物を含有する重合膜を提供すること。
【解決手段】下記一般式(1)で表される重合性化合物、該重合性化合物を含有する重合性組成物及び該重合性組成物を重合して得られる重合物を含有する重合膜。


(式中、環A1、A2、A3及びA4は、それぞれ独立に、ベンゼン環、シクロヘキサン環又はナフタレン環を表し、R1及びR2は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。m及びnはそれぞれ独立に0か1である。) (もっと読む)


【課題】感度、解像性及びリソグラフィー特性に優れるレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分(A)は、一般式(a5−0)で表される構成単位(a5)と、露光により酸を発生する構成単位(a6)とを有する高分子化合物(A1)を含むことを特徴とするレジスト組成物。
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【課題】 重合性液晶組成物を構成した場合に高い保存安定性、高いコレステリック配向性及び短いピッチを示す重合性化合物及び当該重合性化合物を含有する重合性液晶組成物を提供する。更に、当該重合性液晶組成物を重合させることで得られる重合体及び当該重合体を用いた光学異方体を提供する。
【解決手段】 一般式(I)
【化1】


で表される重合性化合物を提供する。更に、当該重合性液晶化合物を含有する重合性液晶組成物、並びに当該重合性液晶組成物を重合させることで得られる重合体及び当該重合体を用いた光学異方体を提供する。 (もっと読む)


【課題】光学等方性、機械的強度及び高温下における寸法安定性に優れる光学フィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メタクリル酸単量体及びメタクリル酸エステル類から選ばれる第一の単量体から形成される第一の構造単位50〜95質量%、特定のN−置換マレイミド化合物から選ばれる第二の単量体から形成される第二の構造単位0.1〜20質量%及び第二の単量体とは異なる、特定のN−置換マレイミド化合物から選ばれる第三の単量体から形成される第三の構造単位0.1〜49.9質量%を有するアクリル系熱可塑性樹脂を主成分として含み、120℃で30分間加熱した時の熱収縮率の絶対値が、MD方向及びTD方向のいずれも1.5%以下であり、耐折回数が、MD方向及びTD方向のいずれも5回以上であり、面内方向の位相差の絶対値が20nm以下であり、厚さ方向の位相差の絶対値が20nm以下である光学フィルム。 (もっと読む)


【課題】EUV用又はEB用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式(a5−0−1)又は式(a5−0−2)で表される基を含む構成単位(a5)と式(a6−1)で表される構成単位とを有する樹脂成分を含有し、構成単位(a5)を誘導するモノマー量が、該構成単位(a5)を有する重合体に対して100ppm以下のレジスト組成物。式中、Q、Q、Qは単結合又は連結基;R、R、Rは有機基であり、RとRとは環を形成してもよい。式中の基−R−S(R)(R)は全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。Vは対アニオン、Aはアニオンを含む基;Mm+は芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない有機カチオン;mは1〜3の整数;Rは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基;Pは芳香族炭化水素基である。
[化1]
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【課題】感度、解像性、リソグラフィー特性及びエッチング耐性に優れる高分子化合物、レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、(a5−0)で表される構成単位を有する高分子化合物を含む基材成分(A)及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物。(式(a5−0)中、Rは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基である。Rは硫黄原子又は酸素原子である。Rは単結合又は2価の連結基である。Yは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基である。)
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【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板絶縁層組成物、これを用いたプリプレグ及び基板に関する。
【解決手段】本発明は、可溶性熱硬化性液晶オリゴマー(Liquid Crystal Thermosetting Oligomer)、アルコキシド金属化合物、及び酸化グラフェンを含む基板絶縁層組成物、これを用いた絶縁材料、及び基板に関する。
本発明による絶縁層組成物は、熱膨張係数を効果的に低減することができるため、これを基板の絶縁材料として使用することにより、熱による寸法変形が最小化され、熱的安定性が向上した基板を製造することができる。 (もっと読む)


【解決手段】(A)酸不安定基を含む繰り返し単位(a1)と、環状の炭化水素基を有し、その環内にエステル基、エーテル基、炭酸エステル基又はスルホン酸エステル基のうち少なくとも1つを含む繰り返し単位(a2)と、オキシラン環を有する繰り返し単位(a3)を含み、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、(B)光酸発生剤、(C)溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明によれば、良好なライン幅ラフネス(LWR)とマスク忠実性(MEF)を有し、微細パターンにおいても矩形性が高く、パターン倒れ耐性に優れたレジスト組成物を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明が解決しようとする課題は、強いHTPを有する溶解性に優れた重合性キラル化合物を提供することである。
【解決手段】 一般式(I)
【化1】


で重合性キラル化合物は、強いHTP及び低い融点を有し、低融点であることから他の液晶化合物との優れた溶解性を有し重合性液晶組成物の構成部材として有用であり、ねじれ力が強いために優れた光学特性を有する光学異方体を作製することができる。本願発明の光学異方体は、偏向板、位相差板、選択反射板等の用途に有用である。 (もっと読む)


【課題】EUV用又はEB用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式(a5−0−1)又は(a5−0−2)で表される基を含む構成単位(a5)を有する重合体(A1)を含有し、該構成単位(a5)を誘導するモノマー量が、該重合体(A1)に対して100ppm以下であるレジスト組成物。式中、Q及びQは単結合又は2価の連結基である。R、R及びRは有機基であり、RとRとは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基−R−S(R)(R)は全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。
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【課題】高感度、高解像性、良好なパターン形状、残渣低減、良好なラインエッジラフネスを高次元で同時に満足するとともに、露光時のアウトガス性能が充分に良好な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、また、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス、並びに、樹脂の製造方法の提供。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により分解して樹脂の側鎖に酸を発生する繰り返し単位(A)と、下記一般式(I)で表される繰り返し単位(C)とを有する樹脂(P)を含有し、前記樹脂(P)の分散度が1.20以下である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】レジスト膜の環境からの影響を低減させ、OOB光を効率よく遮断させ、レジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させ、レジストを高感度化させるレジスト保護膜材料を提供する。
【解決手段】ウエハー3に形成したフォトレジスト膜2上にレジスト保護膜材料によりレジスト保護膜1を形成し、露光を行った後、レジスト保護膜の剥離及びフォトレジスト膜の現像を行うことで、フォトレジスト膜にパターンを形成する方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式(1)に記載のフェノール基を含有するトルクセン化合物を含むレジスト保護膜材料。
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【課題】高感度、高解像性(例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス、スカムの低減、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できるネガ型化学増幅レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスクの提供。
【解決手段】(A)酸及びアルカリに安定な下記一般式(I)で表される繰り返し単位(P)、及び、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位(Q)を有する高分子化合物、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに、(C)架橋剤を含有する、ネガ型化学増幅レジスト組成物。


一般式(I)中、Rは、水素原子又はメチル基を表す。Lは、酸素原子又は−NH−を表す。Lは、単結合又はアルキレン基を表す。Aは、多環炭化水素基を表す。 (もっと読む)


【課題】高感度で、現像後のパターン倒れの発生を抑え、残膜率も大きい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスの提供。
【解決手段】(A)下記一般式(A0)で表される部分構造を有する繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、(B)電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程(2)、及び露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程(4)を有するパターン形成方法。


上記一般式中、Arは樹脂(A)の主鎖と直接又は間接的に結合する芳香環基を表し、Rは水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。 (もっと読む)


【解決手段】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、スルホン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤と、カルボン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
【効果】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基をアセタール保護した繰り返し単位を含む高分子化合物と、高エネルギー線でスルホン酸を発生する化合物及びカルボン酸を発生する化合物を含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴と、ナノエッジラフネスを低減する特徴を有し、このことにより微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することを可能とする。 (もっと読む)


【課題】EUV用またはEB用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】フッ素原子およびケイ素原子から選ばれる少なくとも1種と、芳香族基と、塩基の作用により分解して極性が増大する極性変換基とを有する樹脂成分(C)と、露光により酸を発生し且つ酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する樹脂成分(A)(ただし前記樹脂成分(C)を除く。)と、を含有し、前記樹脂成分(C)中の前記芳香族基を有する構成単位の割合が20モル%以上であることを特徴とするEUV用またはEB用レジスト組成物。 (もっと読む)


【解決手段】酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明の酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、即ち溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する効果が非常に高い特徴を有する。このレジスト膜を用いてドットパターン又は格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れ、ディフェクトを低減可能なレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつフッ素原子を含む構成単位(f1)を有する重合体;該重合体は主鎖の少なくとも一方の末端に式(I−1)で表される基を有することが好ましい;該重合体を含有するレジスト組成物;該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法
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【解決手段】置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子を含むウレア結合、アミド結合、又はウレタン結合を有する化合物と、ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
【効果】本発明に係るレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 (もっと読む)


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