【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで表面難溶層の形成を防ぎ、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【解決手段】（Ａ）酸不安定基を含む繰り返し単位（ａ１）と、環状の炭化水素基を有し、その環内にエステル基、エーテル基、炭酸エステル基又はスルホン酸エステル基のうち少なくとも１つを含む繰り返し単位（ａ２）と、オキシラン環を有する繰り返し単位（ａ３）を含み、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明によれば、良好なライン幅ラフネス（ＬＷＲ）とマスク忠実性（ＭＥＦ）を有し、微細パターンにおいても矩形性が高く、パターン倒れ耐性に優れたレジスト組成物を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の環境からの影響を低減させ、ＯＯＢ光を効率よく遮断させ、レジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させ、レジストを高感度化させるレジスト保護膜材料を提供する。
【解決手段】ウエハー３に形成したフォトレジスト膜２上にレジスト保護膜材料によりレジスト保護膜１を形成し、露光を行った後、レジスト保護膜の剥離及びフォトレジスト膜の現像を行うことで、フォトレジスト膜にパターンを形成する方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式（１）に記載のフェノール基を含有するトルクセン化合物を含むレジスト保護膜材料。
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【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ａ^Ｉ１は、炭素数１〜４９の４価の炭化水素基を表し、該炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。ｍは２又は３を表し、複数存在する環Ｗ^Ｉ１は、それぞれ独立に炭素数２〜３６の飽和複素環を表す。ｎは１又は２を表す。但し、ｍ＋ｎ＝４の関係を満たす。］ （もっと読む）

【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れたパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有する、パターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの裾引き形状改善に効果が有り、ＬＥＲ性能が良好なパターンを形成することが可能である感活性光線又は感放射線樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を、感活性光線性または感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、１０〜３０質量％含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】孔径について現像時間依存性を低く抑えながら、真円性に優れる微細な孔径（例えば、６０ｎｍ以下）のホールパターンを形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ｐ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）窒素原子を有し、かつ活性光線又は放射線の照射により変化しない塩基性化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分に対する前記化合物（Ｃ）の含有量が１．０質量％以上であり、かつ前記化合物（Ｃ）の前記化合物（Ｂ）に対するモル比率［Ｃ］／［Ｂ］が０．４０以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【解決手段】酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明の酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、即ち溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する効果が非常に高い特徴を有する。このレジスト膜を用いてドットパターン又は格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、式（Ｉ）で表される化合物とを含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、
Ｒ^1a及びＲ^1bは、同一又は相異なり、炭素数１〜１８の炭化水素基を表し、該炭化水素に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基に置き換わってもよく、Ｒ^1aとＲ^1bが一緒になって置換基を有してもよい環を形成してもよい。
Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は相異なり、置換基を有してもよい炭素数１〜１８の炭化水素基を表し、Ｒ^２とＲ^３が一緒になって置換基を有してもよい環を形成してもよい。］ （もっと読む）

【課題】極性基を有する単量体を重合した重合体であっても、簡便な方法で重合体中の不純物を有効に除去できる重合体の製造方法（又は精製方法）を提供する。
【解決手段】不純物を含む重合体と有機溶媒とを含む重合体溶液と、前記重合体に対して貧溶媒である沈殿溶媒（又は再沈殿溶媒）とを、超音波の作用下で接触させて重合体を析出又は沈殿させ、析出又は沈殿した重合体を回収して重合体を製造する。この方法は、レジストの重合体を精製するのに有用である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、感度等の基本特性を満足し、ＭＥＥＦ、ＤＯＦ、ＬＷＲ等のリソグラフィー性能に優れ、さらには現像欠陥を抑制することができるフォトレジスト組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］下記式（１）で表される構造単位（Ｉ）を有する重合体、［Ｂ］酸発生体、及び［Ｃ］界面活性剤を含有するフォトレジスト組成物である。また［Ｃ］界面活性剤は、ノニオン系界面活性剤であることが好ましい。さらに［Ｃ］界面活性剤は、フッ素原子又はケイ素原子を含むノニオン系界面活性剤であることが好ましい。
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【課題】優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）で、欠陥数の少ないレジストパターンの製造。
【解決手段】式（ａａ）、（ａｂ）の構造単位を有する樹脂（Ｘ）、酸発生剤（Ｂ）を含有する組成物。


［式中、Ａ^aa1は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基等で表される基；Ｒ^aa2は、脂肪族炭化水素基；Ｒ^ab2は芳香族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高いパターン形成方法を提供する。
【解決手段】単糖類のヒドロキシ基の１つがメタクリルエステルとして結合し、残りのヒドロキシ基が酸不安定基で置換された（メタ）アクリレートの繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高感度、高解像性で、ラフネス（ＬＷＲ）が小さく、露光後のパターン形状が良好であるポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物を用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で示される基を有する繰り返し単位ａと、カルボキシル基及び／又はヒドロキシ基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位ｂとを含む重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物をベース樹脂とすることを特徴とするポジ型レジスト材料。


（式中、Ｒ^１は水素原子、又は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状、若しくは環状のアルキル基であって、カルボニル基を有していてもよく、環を形成していてもよい。Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４は水素原子、又は炭素数１〜４の直鎖状、若しくは分岐状のアルキル基である。） （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示される重合性エステル化合物。


【効果】重合性エステル単量体は、波長５００ｎｍ以下、特に波長３００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、現像特性の良好な感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための単量体として非常に有用である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、通常露光（ドライ露光）によるパターニングにおいて、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、プロファイル形状、パターン倒れ、露光ラチチュード性能に優れ、液浸露光によるパターニングにも優れたポジ型レジスト組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）エステル結合が窒素原子に結合した構造を有するアミン化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】組成物の保存時におけるパーティクル発生の抑制能に優れ、且つ、経時による線幅変動が抑制されたパターン形成を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びこの組成物の製造方法を提供することにある。更に、本発明の目的は、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する第１樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（Ｃ）溶剤として少なくともアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、該組成物中に溶存する酸素の濃度と窒素の濃度の合計が０．１８０μｇ／μｌ以下である組成物。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基が酸不安定基により保護された部分構造を有する繰り返し単位を含有するベース樹脂と光酸発生剤と架橋剤と有機溶剤を共に含み、架橋剤がオキシラン環又はオキセタン環から選ばれる官能基を分子内に２つ以上有する化合物であるレジスト組成物を基板上に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させることを特徴とするネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、有機溶剤現像において解像性が高く、露光、加熱処理により酸不安定基が脱保護した状態においても高い耐ドライエッチング性を示す特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】有既存のモノマーとの重合によって架橋度及び性質が制御された機械的な架橋構造を持つ架橋ポリマーを製造できるとともに、該架橋ポリマーを解架橋できるロタキサン、該ロタキサンからなる架橋剤、該架橋剤を利用した架橋方法、該架橋方法により架橋して得られた架橋ポリマー、及び該架橋ポリマーの分解方法を提供することにある。
【解決手段】少なくとも１つの重合活性基を有する２つのクラウンエーテル分子からなる輪成分と、該輪成分の空孔部分を貫通する、特定構造の軸成分とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フッ素を有するシルセスキオキサンを含む重合体を提供し、この重合体を表面改質剤として利用すること、好ましくはマトリックス樹脂の表面改質剤として利用することである。
【解決手段】下記式の構造を有している化合物（ａ−１）と、（メタ）アクリル酸化合物またはスチレン化合物からなる付加重合性単量体（ｂ）との付加共重合体を含有する表面処理剤から得られるコーティング膜。
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