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【課題】ネガ型パターンを高解像性で、かつ、良好な形状で形成できるレジストパターン形成方法と、これに用いるのに好適なレジスト組成物の提供。
【解決手段】基材成分(A)及び光塩基発生剤成分を含有するレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、露光後にベークを行う工程、レジスト膜をアルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法、及びこれに用いるレジスト組成物であって、(A)成分は酸分解性基を含む構成単位、−SO−又はラクトン含有環式基を含む構成単位、式(a3−1)で表される構成単位(但し10モル%以下)を有する高分子化合物を含む。
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【課題】感度、解像性、リソグラフィー特性及びエッチング耐性に優れる高分子化合物、レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、(a5−0)で表される構成単位を有する高分子化合物を含む基材成分(A)及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物。(式(a5−0)中、Rは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基である。Rは硫黄原子又は酸素原子である。Rは単結合又は2価の連結基である。Yは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基である。)
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【課題】優れたラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。


[式中、Rはエチレン性二重結合を含む基;Wは2価の脂環式炭化水素基;Tは、単結合、2価の脂肪族炭化水素基等;Tは2価の脂肪族炭化水素基等] (もっと読む)


【課題】リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物の基材成分として有用であり、且つ、使用するモノマーの種類に関わらず製造が可能である、露光により分解して酸を発生する高分子化合物の製造方法、並びに当該高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】アニオン基と、スルホニウム又はヨードニウムカチオンとを有するモノマーを重合して前駆体ポリマーを合成し、洗浄した後、当該前駆体ポリマーをスルホニウム又はヨードニウムカチオンと塩交換させる、高分子化合化合物の製造方法であって、塩交換に用いるスルホニウム又はヨードニウムカチオンが、前記モノマー中のスルホニウム又はヨードニウムカチオンよりも疎水性が高いことを特徴とする、露光により分解して酸を発生する構成単位を有する高分子化合物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】EUV用又はEB用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式(a5−0−1)又は(a5−0−2)で表される基を含む構成単位(a5)を有する重合体(A1)を含有し、該構成単位(a5)を誘導するモノマー量が、該重合体(A1)に対して100ppm以下であるレジスト組成物。式中、Q及びQは単結合又は2価の連結基である。R、R及びRは有機基であり、RとRとは相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。ただし、式中の基−R−S(R)(R)は全体で芳香環を1個のみ有するか又は芳香環を有さない。
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【課題】レジスト膜の環境からの影響を低減させ、OOB光を効率よく遮断させ、レジストパターンの膜減りやパターン間のブリッジを低減させ、レジストを高感度化させるレジスト保護膜材料を提供する。
【解決手段】ウエハー3に形成したフォトレジスト膜2上にレジスト保護膜材料によりレジスト保護膜1を形成し、露光を行った後、レジスト保護膜の剥離及びフォトレジスト膜の現像を行うことで、フォトレジスト膜にパターンを形成する方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式(1)に記載のフェノール基を含有するトルクセン化合物を含むレジスト保護膜材料。
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【課題】加硫物とした際に低発熱性とウェットスキッド抵抗性のバランスに優れ、実用上十分な破壊強度を有し、かつ組成物の加工性にも優れている、変性共役ジエン系重合体組成物を提供する。
【解決手段】(A)重合活性末端を持つ共役ジエン−芳香族ビニル系共重合体の該重合活性末端に、式(1)で表される変性剤を反応させて得られ、ガラス転移温度が−50〜−5℃である変性共役ジエン−芳香族ビニル系共重合体と、(B)式(1)で表される変性剤で変性する方法以外で極性官能基を導入され、ガラス転移温度が−120〜−60℃である変性共役ジエン系重合体と、を含むゴム成分、及び、(C)シリカを含有する変性共役ジエン系重合体組成物。[式中、R〜Rは各々独立して、C1〜20のアルキル基又はC6〜20のアリール基、RはC3〜10のアルキレン基、RはC1〜20のアルキレン基を表し、mは整数1又は2、nは整数2又は3である。]
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【課題】塗布面状に優れ、耐刷性および耐汚れ性に優れた平版印刷版原版の提供。
【解決手段】支持体上に、下塗り層と、画像記録層とを該順に有し、前記下塗り層が、(a1)一般式(O)で表される繰り返し単位と、(a2)エチレン性不飽和結合を側鎖に有する繰り返し単位とを含む重合体(A)を含むことを特徴とする平版印刷版原版。
一般式(O)
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【課題】優れたレジストパターンのCD均一性(CDU)を有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される化合物、その化合物に由来する構造単位を有する樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。


[式(I)中、QI1及びQI2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。nは、0又は1を表す。Xは、単結合又は炭素数1〜10のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、nが0のとき、Xは単結合ではない。Wは、特定式(Ia1−1)又は特定式(Ia1−2)で表される構造を表す。Rは、水素原子又はメチル基を表す。Z1+は、有機対イオンを表す。] (もっと読む)


【課題】パターン倒れの抑制およびラインエッジラフネスの改善を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、(A)下記一般式(1)で表される繰り返し単位および酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる繰り返し単位を含む樹脂と、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する


一般式(1)中、Lは、2価の連結基を表し;Rは、水素原子またはアルキル基を表し;Zは、環状酸無水物構造を表す。 (もっと読む)


【課題】成膜性に優れた光学フィルム製造用の組成物及び該組成物から形成される光学フィルムの提供。
【解決手段】以下の(A)、(B)及び(C)を含む組成物、及び該組成物から形成される光学フィルム。(A)式(A)で表される化合物


[式中、Yは芳香族複素環式基などを表す。D及びDは、−C(=O)−O−などを表す。G及びGは脂環式炭化水素基などを表す。L及びLのうち少なくとも一方が、重合性基を有する有機基である。](B)メルカプト基を有する化合物。(C)光重合開始剤。 (もっと読む)


【課題】解像性、焦点深度(DOF)特性に優れ、真円性に優れた矩形性の高いホールパターンを与えることのできるポジ型レジスト組成物、及びパターン形成方法の提供。
【解決手段】(A)下記一般式(1−1)で示される繰り返し単位と、下記一般式(1−2)で示される繰り返し単位と、酸不安定基を有する繰り返し単位とを含み、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、(B)光酸発生剤、(C)塩基性化合物、及び(D)溶剤を含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
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【課題】ラフネス特性およびパターン倒れの改善を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び(C)下記一般式(ZI−3)、(ZI−4)又は(ZI−5)で表される活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であり、樹脂(A)が酸の作用により分解する基を有する繰り返し単位を少なくとも1種含有し、該酸分解性の基が分解して脱離する基が環構造を有し、該環構造が極性基を置換基として有し、もしくは、該環構造が極性原子を環構造内に含み、且つ、前記脱離基が脱離して生成する化合物のlogP値が0以上2.8未満であることを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】本発明の目的は、感度等の基本特性を満足し、MEEF、DOF、LWR等のリソグラフィー性能に優れ、さらには現像欠陥を抑制することができるフォトレジスト組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、[A]下記式(1)で表される構造単位(I)を有する重合体、[B]酸発生体、及び[C]界面活性剤を含有するフォトレジスト組成物である。また[C]界面活性剤は、ノニオン系界面活性剤であることが好ましい。さらに[C]界面活性剤は、フッ素原子又はケイ素原子を含むノニオン系界面活性剤であることが好ましい。
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【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なネガティブパターン形成用レジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】スルホンアミド基が酸不安定基で置換された式(1)の繰り返し単位a1及び/又はa2を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、露光し、有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
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【課題】CD均一性が良好で、かつ欠陥が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、式(II)で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】優れたマスクエラーファクターを有し、かつ欠陥の発生が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂(但し式(I)で表される構造単位を含まない)、酸発生剤及び式(II)で表される化合物を含有するレジスト組成物。
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【課題】優れたラインエッジラフネス(LER)で、欠陥の発生数も少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される構造単位を有する樹脂、式(II)で表される化合物に由来する構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂(但し、式(I)で表される構造単位を含まない)及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】高感度、高解像性(例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス(LER))、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足したパターンを形成できる化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、及び、レジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 フェノール性水酸基と、フェノール性水酸基における水酸基の水素原子が置換基で置換されてなる基とを有し、かつ、下記(a)〜(c)を同時に満たす高分子化合物(A)を含有する、化学増幅型レジスト組成物。
(a)分散度が1.2以下
(b)重量平均分子量が2000以上6500以下
(c)ガラス転移温度(Tg)が140℃以上 (もっと読む)


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