【課題】感度、解像性及びリソグラフィー特性に優れるレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な高分子化合物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するレジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）は、一般式（ａ５−０）で表される構成単位（ａ５）と、露光により酸を発生する構成単位（ａ６）とを有する高分子化合物（Ａ１）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
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【課題】矩形性の高い良好な断面形状、高い残膜率及びブリッジ欠陥の低減を鼎立し得る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いて形成されたレジスト膜及び該組成物を用いたパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位と、ラクトン構造又はサルトン構造を有する繰り返し単位と、酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる繰り返し単位とを有する樹脂、及び
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


一般式（１）中、
Ｌは、単結合又は２価の連結基を表し、
Ｒ_１は、水素原子又はアルキル基を表し、
Ｚは、環状酸無水物基を表す。 （もっと読む）

【課題】 焦点深度ラチチュード（Ｄｅｐｔｈ Ｏｆ Ｆｏｃｕｓ）が大きく、経時でのパーティクル発生が少ないという液物性を有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】 （Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び（Ｂ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、前記化合物（Ａ）として、特定の２種の化合物からなる組み合わせ（Ａ−１）、又は、特定の２種の化合物からなる組み合わせ（Ａ−２）を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】ディフェクトの発生が低減され、リソグラフィー特性に優れたレジスト組成物の基材成分として有用な高分子化合物の製造方法、並びに当該高分子化合物を含有するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】少なくとも、−ＳＯ_２−含有環式基を含むモノマーと、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含むモノマーとを共重合して高分子化合物（但し、該高分子化合物は露光により酸を発生するモノマーから誘導される構成単位を含まない）を製造する方法であって、前記共重合を、前記−ＳＯ_２−含有環式基を含むモノマーに対して、０．００１〜１．０モル％の塩基性化合物の存在下で行うことを特徴とする高分子化合物の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基によりカルボキシル基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物を有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで表面難溶層の形成を防ぎ、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】露光余裕度が大きく、かつラフネスが低減されたレジストパターンを形成できるレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む下記構成単位（ａ１０）と、−ＳＯ_２−含有環式基を含む構成単位と、アクリル酸エステルから誘導され極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位と、を有する樹脂成分（Ａ１）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。（式中、Ｒ^２は一般式（ａ１０−１）又は下記一般式（ａ１０−２）で表される基であり、Ｘは酸素原子又はＣＨ_２である）
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【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位（ａ１）とアミノ基、アミド結合、カルバメート結合、含窒素複素環から選ばれる構造を１つ以上含む繰り返し単位（ａ２）とを含有する高分子化合物［Ａ］と、光酸発生剤［Ｂ］と、有機溶剤［Ｃ］とを共に含むレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明の特定の構造の高分子化合物と光酸発生剤と有機溶剤を含むレジスト組成物は、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性を示し、例えば微細トレンチパターンやホールパターンの側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ用又はＥＢ用として有用なレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式（ａ５−０−１）又は式（ａ５−０−２）で表される基を含む構成単位（ａ５）と式（ａ６−１）で表される構成単位とを有する樹脂成分を含有し、構成単位（ａ５）を誘導するモノマー量が、該構成単位（ａ５）を有する重合体に対して１００ｐｐｍ以下のレジスト組成物。式中、Ｑ^１、Ｑ^２、Ｑ^３は単結合又は連結基；Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は有機基であり、Ｒ^４とＲ^５とは環を形成してもよい。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｖ⁻は対アニオン、Ａ⁻はアニオンを含む基；Ｍ^ｍ＋は芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない有機カチオン；ｍは１〜３の整数；Ｒは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基；Ｐ^３は芳香族炭化水素基である。
［化１］
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【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージンが広いレジスト組成物に用いられる樹脂を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を含む樹脂。


［Ｔ^１は、環骨格中に−Ｏ−ＳＯ_２−を有する炭素数３〜３４の脂環式炭化水素基を表し、置換基を有してもよい。Ｘ^１は、酸素原子又は−Ｎ（Ｒ^ｃ）−；Ｒ^ｃは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基；Ｚ^１は、−Ｘ^２−又は−Ｘ^３−Ｘ^４−ＣＯ−Ｘ^５−；Ｘ^２、Ｘ^３及びＸ^５は、それぞれ独立に炭素数１〜６のアルカンジイル基；Ｘ^４は、酸素原子又は−Ｎ（Ｒ^ｄ）−；Ｒ^ｄは、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基；Ｒ^１は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。］ （もっと読む）

【課題】マスクエラーファクター優れたレジストパターンレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表すか又はＲ^１及びＲ^２が互いに結合し、それらが結合している炭素原子とともに炭素数５〜２０の環を形成する。Ｒ^４は、エチレン性二重結合を含む基を表す。Ｗは、炭素数６〜１８の２価の脂環式炭化水素基を表す。Ｔ^１は、単結合、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｔ^２は、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性を有するレジストパターンを製造可能なレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位を有する樹脂及び酸発生剤を含み、酸発生剤が、式（Ｂ１）で表される塩を含む酸発生剤であるレジスト組成物。式（ａａ）中、Ｔ^１は、環骨格中に−Ｏ−ＳＯ_２−を有する炭素数４〜３４の環式基を表す。Ｒ^１は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ｒ^２は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ^３は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
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【課題】ＥＵＶ用またはＥＢ用として有用なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、且つ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有するＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記一般式（ａ０−１）又は（ａ０−２）で表される基を含む構成単位（ａ０）を有する高分子化合物（Ａ１）を含有し、前記基材成分（Ａ）に加えて、光反応型クエンチャー（Ｃ）を含有することを特徴とするＥＵＶ用又はＥＢ用レジスト組成物。式中の基−Ｒ^３−Ｓ^＋（Ｒ^４）（Ｒ^５）は、全体で芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。Ｍ^ｍ＋は、芳香環を１個のみ有するか又は芳香環を有さない。
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【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこれを含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^２はエチレン性二重結合を含む基；Ｗは２価の脂環式炭化水素基；Ｔ^１は、単結合、２価の脂肪族炭化水素基等；Ｔ^２は２価の脂肪族炭化水素基等］ （もっと読む）

【課題】感度、解像性、リソグラフィー特性及びエッチング耐性に優れる高分子化合物、レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化し、（ａ５−０）で表される構成単位を有する高分子化合物を含む基材成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物。（式（ａ５−０）中、Ｒは水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基である。Ｒ^１は硫黄原子又は酸素原子である。Ｒ^２は単結合又は２価の連結基である。Ｙは芳香族炭化水素基、又は多環式基を有する脂肪族炭化水素基である。）
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【解決手段】（Ａ）酸不安定基を含む繰り返し単位（ａ１）と、環状の炭化水素基を有し、その環内にエステル基、エーテル基、炭酸エステル基又はスルホン酸エステル基のうち少なくとも１つを含む繰り返し単位（ａ２）と、オキシラン環を有する繰り返し単位（ａ３）を含み、酸によってアルカリ溶解性が向上する樹脂、（Ｂ）光酸発生剤、（Ｃ）溶剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【効果】本発明によれば、良好なライン幅ラフネス（ＬＷＲ）とマスク忠実性（ＭＥＦ）を有し、微細パターンにおいても矩形性が高く、パターン倒れ耐性に優れたレジスト組成物を提供することができる。 （もっと読む）

【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位含有高分子化合物及び酸発生剤又はヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位と露光により酸を発生する繰り返し単位含有高分子化合物と、パーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のスルホニウム塩又はヨードニウム塩と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後高エネルギー線でレジスト膜を露光し、加熱処理後有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】ヒドロキシ基の水素原子を酸不安定基で置換した繰り返し単位含有高分子化合物と酸発生剤とパーフルオロアルキルエーテルカルボン酸のオニウム塩を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物、新規な化合物の提供。
【解決手段】露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）を含有し、基材成分（Ａ）は、式（ａ０−１）で表される構成単位（ａ０−１）を有する樹脂成分（Ａ１）を含有する［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基］。
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【課題】ＭＥＥＦ、ＤＯＦ及び解像性に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】［Ａ］側鎖にスルホラクトン環を有するノルボルナン環を有する（メタ）アクリレート単位（Ｉ）、単環の脂環式基を有する酸解離性基を含む構造単位（ＩＩ）及びラクトン基を含む構造単位（ＩＩＩ）を有する重合体、並びに［Ｂ］感放射線性酸発生体、を含有するフォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＥＦ、ＣＤＵ及び解像性に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】［Ａ］側鎖にスルホラクトン環を有するノルボルナン環を有する（メタ）アクリレート単位（Ｉ）を有し、重量平均分子量が３，０００以上８，０００以下である重合体、及び［Ｂ］酸発生体を含有するフォトレジスト組成物。また、［Ａ］重合体は、酸解離性基を含む構造単位（ＩＩ）をさらに有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸との作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ａ^Ｉ１は、炭素数１〜４９の４価の炭化水素基を表し、該炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。ｍは２又は３を表し、複数存在する環Ｗ^Ｉ１は、それぞれ独立に炭素数２〜３６の飽和複素環を表す。ｎは１又は２を表す。但し、ｍ＋ｎ＝４の関係を満たす。］ （もっと読む）