【課題】リソグラフィー特性及びパターン形状に優れたレジスト組成物、該レジスト組成物用として有用な新規重合体、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】主鎖の少なくとも一方の末端に露光により酸を発生するアニオン部位を有し、かつ、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＮ、−ＳＯ_２ＮＨ_２及び−ＣＯＮＨ_２からなる群より選択される少なくとも一種の基を含む構成単位（ａ３）を有する重合体；該重合体を含有するレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】セルロース系バイオマスを原料とした加水分解性セルロースの製造の際に、セルロース系バイオマスを含む混合物に好適な粘性を付与すること等により、セルロース系バイオマスの分子レベルの分断を容易に行うことができ、その結果、加水分解性セルロースを効率的に製造することができるポリビニルアルコール系重合体、及びこのポリビニルアルコール系重合体を用いた加水分解性セルロースの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、セルロース系バイオマスを原料とした加水分解性セルロースの製造に用いられるポリビニルアルコール系重合体であって、末端に炭素数４以上５０以下のアルキル基を有するポリビニルアルコール系重合体である。 （もっと読む）

【課題】 透明性、高い表面硬度、高剛性、耐候性、耐熱性などのメタクリル系樹脂の特長を保持し、且つ良好な靭性を持ち、安定な成形性、高い耐熱性、高い熱安定性および高品質が必要とされる用途においても好適に使用することが可能なアクリル系熱可塑性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 メタクリル系樹脂（Ａ）と、 粘度平均重合度が５００〜２０００で且つけん化度が９９．５モル％以上であるポリビニルアルコール樹脂をアセタール化度６５〜８８モル％でアセタール化して得られるポリビニルアセタール樹脂（Ｂ）と を含有するアクリル系熱可塑性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】セルロース系バイオマスを原料とした加水分解性セルロースの製造の際に、セルロース系バイオマスを含む混合物に好適な粘性を付与すること等により、セルロース系バイオマスの分子レベルの分断を容易に行うことができ、その結果、加水分解性セルロースを効率的に製造することができるポリビニルアルコール系重合体、及びこのポリビニルアルコール系重合体を用いた加水分解性セルロースの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、セルロース系バイオマスを原料とした加水分解性セルロースの製造に用いられるポリビニルアルコール系重合体であって、末端にイオン性基を有するポリビニルアルコール系重合体である。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なフォトレジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】分岐状アルキレン基もしくは脂環式基上のヒドロキシ基が酸不安定基で置換された側鎖を有するアクリル系繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】上記パターン形成方法で得られるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】露光感度が高く優れ、現像欠陥が少ない感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物、及び（Ｂ）樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


上記一般式（Ｉ）中、Ｘは、酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（Ｒｘ）−を表す。Ｒ_１〜Ｒ_８及びＲｘは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、アルキルカルボニルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールオキシカルボニル基、アリールカルボニルオキシ基を表す。Ｒ_１〜Ｒ_８はそれぞれ互いに連結して環を形成していても良い。但し、Ｒ_１〜Ｒ_８のうち、少なくとも２つが下記一般式（ＩＩ）で表される構造を表す。
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【課題】長期間連続装用を可能にする含水ソフトコンタクトレンズ、そのための新規な共重合体、及び鋳型中で該共重合体を得るための方法を提供する。
【解決手段】表面の接触角が水中気泡法で１０〜３０°かつ空気中での液滴法で４０〜８３°の範囲にあり、酸素透過係数（Ｄｋ値）が３０以上で含水率が５％以上である含水ソフトコンタクトレンズ、親水性シロキサンモノマーと親水性モノマーとを重合してなる含水ソフトコンタクトレンズ用共重合体、及び含水ソフトコンタクトレンズを、ポリアミド、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート及びエチレンビニルアルコールから選ばれた１種の樹脂から形成された鋳型中で形成する方法。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング耐性及び露光ラチチュード（ＥＬ）のいずれにも優れるパターン形成方法、該パターン形成方法に供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該パターン形成方法により形成されるレジスト膜、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）多環芳香族基を有する繰り返し単位（ａ）及び酸の作用により分解してカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位（ｂ）を有する樹脂（Ａ）、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
（イ）該膜をＡｒＦエキシマレーザーにより露光する工程、及び
（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を有するパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高感度、良好なラフネス特性、良好なパターン形状、及び現像欠陥の低減を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及び、パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】フッ素原子を含有する繰り返し単位を含む樹脂（Ａａ）と、酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂であって、活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位（Ｂ）を含む樹脂（Ａｂ）を含有することを特徴とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】低温硬化が可能で、アルカリ水溶液現像が可能であり、十分に高い感度及び解像度で、密着性及び耐熱衝撃性に優れるレジストパターンを形成することができるポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性樹脂組成物を用いたレジストパターンの製造方法、係る方法により形成されたレジストパターンを有する半導体装置、及び半導体装置を備える電子デバイスの提供。
【解決手段】フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂と、光により酸を生成する化合物と、熱架橋剤と、炭素数４〜２０のアルキル（メタ）アクリレート単位、（メタ）アクリル酸単位及び側鎖に１級、２級、３級アミノ基を有する（メタ）アクリレート単位を有するアクリル樹脂と、を含有するポジ型感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】従来から知られるレジスト組成物では、レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が必ずしも十分ではない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は炭素数２〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基のうち、環Ｗと結合するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わらない。環Ｗは、炭素数２〜３６の複素環を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】安価に実施可能であり、段差基板上でのパターン形成性に優れたパターン形成方法、及び該方法に使用するための感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の提供。
【解決手段】（ア）側鎖にラクトン環構造を有する特定のアクリル酸エステル繰り返し単位（ａ）、ならびに下記一般式（III）、（IV）及び（V）の少なくとも１つで表される少なくとも１種の繰り返し単位（ｂ）を有する樹脂（Ｐ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程と、（イ）前記膜をＫｒＦエキシマレーザーにて露光する工程と、（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて前記膜を現像し、ネガ型のパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
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【課題】向上したＬＥＲ性能を示すフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】フォトレジスト組成物は、酸感受性ポリマー、および式


を有する環式スルホニウム化合物を含む組成物。（式中、各Ｒ^ａは独立して置換もしくは非置換のＣ_１−３０アルキル基、Ｃ_６−３０アリール基、Ｃ_７−３０アラルキル基、または前記のものの少なくとも１種を含む組み合わせであり、Ａｒは単環式、多環式、または縮合多環式Ｃ_６−３０アリール基であり、各Ｒ^ｂは独立してＨ、Ｆ、線状もしくは分岐のＣ_１−１０フルオロアルキル、または線状もしくは分岐のへテロ原子含有Ｃ_１−１０フルオロアルキルであり、ＬはＣ_１−３０連結基であって、場合によってはヘテロ原子を含むものであり、このヘテロ原子はＯ、Ｓ、Ｎ、Ｆまたは前記のヘテロ原子の少なくとも１種を含む組み合わせを含む。） （もっと読む）

【課題】フォーカスマージン（ＤＯＦ）が満足できるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】以下の（Ａ）及び（Ｂ）を含有するレジスト組成物。（Ａ）式（ａ）で表される化合物に由来する構造単位を有する樹脂


［式（ａ）中、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ^１は、式（ａ−ｇ１）：−（Ａ^１０−Ｘ^１０）_ｓ−Ａ^１１−（式（ａ−ｇ１）中、ｓは０〜２の整数を表す。Ａ^１０及びＡ^１１は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基等を表す。）で表される基を表す。Ｒ^２は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基等を表す。］（Ｂ）酸発生剤 （もっと読む）

【課題】 高解像性で良好な形状の孤立ラインパターンを形成することができ、且つ、ラフネス特性を含む他のレジスト性能にも優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及びパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも１つのフェノール性水酸基と、フェノール性水酸基の水素原子が下記一般式（１）で表される基によって置換されている基を少なくとも１つ含む化合物（Ｐ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。（式中の各符号は、特許請求の範囲及び明細書に記載の意味を表す。）
【化１】
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【課題】改良されたＬＷＲ及びエッチング制御を示すフォットレジストポリマーを提供する。
【解決手段】式（Ｉ）：


（式中、Ｌ_１はｍ価のＣ_２−３０アルキレン、Ｃ_３−３０シクロアルキレン、Ｃ_６−３０アリーレン、Ｃ_７−３０アラルキレン基であり、Ｘ_１は独立して、β−ジケトン、β−エステル−ケトン、β−ジ−エステル、または前記のものの少なくとも１種を含む組み合わせを含む塩基可溶性有機基である）の塩基可溶性モノマーと；式（Ｉ）の塩基可溶性モノマーに共重合可能な追加のモノマーと；の重合生成物を含むコポリマー。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位及び／又は酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位とオキシラン環又はオキセタン環を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明によるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。環Ｗ^２は置換基を有していてもよい炭素数３〜３４のラクトン環を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂及びこの樹脂を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基；ｎは１〜３の整数；Ａ¹は式（ａ−ｇ１）で表される基；ｓは０〜２の整数；Ａ^１０は脂肪族炭化水素基；Ａ^１１は、単結合又は脂肪族炭化水素基、但し、ｓ＝０の時、Ａ^１１は単結合ではない；Ｘ^１０は、酸素原子を含む基を表す。］ （もっと読む）

【課題】半導体の微細加工に利用できるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。［式（Ｉ）中、Ｔ^１は、単結合又は芳香族炭化水素基を表し、Ｌ^１は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、ｍは０又は１を表し、Ｌ^２及びＬ^３は、単結合又は２価の炭素数１〜６の飽和炭化水素基を表し、環Ｗ^１及び環Ｗ^２は、炭素数３〜３６の炭化水素環を表し、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子等を表し、Ｒ^３及びＲ^４は、ヒドロキシ基等を表し、Ｒ^５は、水素原子又はメチル基を表し、ｔは、０〜２の整数を表し、ｕは、０〜２の整数を表す。］
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