【課題】複雑な操作や時間のかかる処理によらず、効率的に、特に半導体発光装置用封止剤として有用な二官能のイソシアヌレート化合物の濃度を高めることができるイソシアヌレート化合物の精製方法、これを用いた半導体発光装置用封止剤の製造方法、半導体発光装置用封止剤、光半導体用封止材及び光半導体素子の提供を目的とする。
【手段】イソシアヌレート化合物を含有する半導体発光装置用封止剤の製造方法であって、
下記式（ＩＩ）で表される化合物と、下記式（Ｉ）で表される化合物と、下記式（ＩＩＩ）で表される化合物とを含有する原料混合物に対し、少なくとも特定の抽出工程を経ることにより、前記式（ＩＩ）で表される化合物の混合比を高める処理を含む半導体発光装置用封止剤の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、撥水性、耐溶出性及び溶解性についての特性を満たしつつ、剥がれ耐性及び露光余裕度をバランス良く両立することができる液浸上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ１］下記式（ｉ）で表される基を含む構造単位（Ｉ−１）を有する重合体、［Ａ２］上記［Ａ１］重合体と異なる重合体、及び［Ｂ］溶媒を含有する液浸上層膜形成用組成物である。下記式（ｉ）中、Ｒ^１は、炭素数１〜２０の（ｎ＋１）価の炭化水素基である。ｎは、１〜３の整数である。［Ａ２］重合体の成膜状態での水との後退接触角は、［Ａ１］重合体よりも大きいことが好ましい。
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【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）を有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下式（Ｉ）で表される化合物、その化合物に由来する構造単位を有する樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法。


［式中、Ｑ^Ｉ１及びＱ^Ｉ２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、ｎは、０又は１を表し、ｍ１及びｍ２は、それぞれ独立に、０又は１を表し、Ｘ^１は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよいが、ｎが０の時、Ｘ^１は単結合ではなく、Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表し、Ｚ^１＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】ＭＥＥＦ、ＣＤＵ及び解像性に優れるフォトレジスト組成物、並びにこのフォトレジスト組成物を用いたレジストパターンの形成方法の提供。
【解決手段】［Ａ］側鎖にスルホラクトン環を有するノルボルナン環を有する（メタ）アクリレート単位（Ｉ）を有し、重量平均分子量が３，０００以上８，０００以下である重合体、及び［Ｂ］酸発生体を含有するフォトレジスト組成物。また、［Ａ］重合体は、酸解離性基を含む構造単位（ＩＩ）をさらに有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】繊維製品などの基材に優れた撥水撥油性を付与し、その加工処理において、ロールへのポリマー付着性防止に優れる撥水撥油剤組成物を提供する。
【解決手段】第１単量体から形成されている第1重合体と、第２単量体から形成されている第2重合体を含んでなる含フッ素重合体であって、第１重合体の存在下で、第２単量体が重合されており、第１単量体および第２単量体の少なくとも一方は、含フッ素単量体（ａ）を含み、第２単量体は、ハロゲン化オレフィン単量体（ｂ）を含む含フッ素重合体。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹はメチレン基又はエチレン基、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜４の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】パターン形状に優れるレジストパターンを形成でき、パターン倒れ耐性を向上させ、ブロッブ欠陥及びブリッジ欠陥の発生を低減できる液浸用上層膜形成組成物の提供。
【解決手段】本発明は、［Ａ］同一又は異なる重合体中にカルボキシル基を含む構造単位（Ｉ）、スルホ基を含む構造単位（ＩＩ）、α−トリフルオロメチルアルコール基を含む構造単位（ＩＩＩ）、スルホンアミド基を含む構造単位（ＩＶ）及び下記式（ｉ）で表される基を含む構造単位（Ｖ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を有する重合体成分を含有する液浸用上層膜形成組成物であって、この液浸用上層膜形成組成物が［Ａ］重合体成分の同一又は異なる重合体中に、芳香族含窒素複素環を含む構造単位（Ａ）をさらに有するか又は［Ｂ］芳香族含窒素複素環を有する化合物をさらに含有するかの少なくともいずれか一方であることを特徴とする。
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【課題】高感度で、現像後のパターン倒れの発生を抑え、残膜率も大きい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイスの提供。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ａ０）で表される部分構造を有する繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程（４）を有するパターン形成方法。


上記一般式中、Ａｒは樹脂（Ａ）の主鎖と直接又は間接的に結合する芳香環基を表し、Ｒ_ａは水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。 （もっと読む）

【課題】形成したパターンをベークした後であっても矩形または矩形に近いプロファイルが形成可能なポジ型感光性樹脂組成物を提供することが可能な樹脂を提供する。
【解決手段】主鎖末端にカルボキシル基を含有し、かつ、３員環および／または４員環の環状エーテル基を有する繰り返し単位を含有する、アルカリ現像液に不溶または難溶性で酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となるポジ型感光性アクリル樹脂を用いる。 （もっと読む）

【課題】靭性と流動性とのバランスに優れる樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記重合体（Ａ１）２０〜８０重量％、下記重合体（Ａ２）５〜５５重量％、および下記共重合体（Ｂ）１０〜５０重量％を含み、２３０℃、２．１６ｋｇ荷重下で測定したメルトフローレート（ＭＦＲ）が２０ｇ／１０分以上である樹脂組成物。
重合体（Ａ１）：極限粘度が０．５ｄｌ／ｇ以上、２．０ｄｌ／ｇ未満であり、分子量分布が３．０未満であり、かつプロピレンに由来する構造単位の含有量が９０重量％以上であるプロピレン重合体
重合体（Ａ２）：極限粘度が２．０ｄｌ／ｇ以上、７．０ｄｌ／ｇ以下であり、分子量分布が３．０以上であり、かつプロピレンに由来する構造単位の含有量が９０重量％以上であるプロピレン重合体
共重合体（Ｂ）：エチレンに由来する構造単位の含有量が２０〜８０重量％である、エチレンとプロピレンまたは炭素数４〜２０のα−オレフィンとの共重合体 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）〜（３）から選ばれる酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


【効果】露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。 （もっと読む）

【課題】従来合成が困難であった、新規な構造を有する、高分子量、高剛性の極性基含有アリル共重合体、及びその製造方法の提供。
【解決手段】周期律表第１０族金属錯体を触媒成分として用い、極性基として−ＯＨ、−ＯＣＯＲ2-1（Ｒ2-1は炭素原子数１〜５の炭化水素基を表す。）、−Ｎ（Ｒ2-2）2（Ｒ2-2は水素原子、炭素原子数１〜５の炭化水素基、炭素原子数６〜１８の芳香族残基、または−ＣＯＯＲ2-3（Ｒ2-3は炭素原子数１〜１０の炭化水素基、または炭素原子数６〜１０の芳香族残基を表す。）を表し、２つのＲ2-2は同じでも異なっていてもよい。）、またはハロゲン原子を有するアリルモノマーを、オレフィン化合物及び特定の構造をした炭素−炭素二重結合を２つ有する炭化水素化合物と共に重合することにより、架橋構造を有する高分子量の極性基含有アリルモノマー共重合体、及びその製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が一般式（１）で示される酸不安定基によって置換されている樹脂をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｒ¹、Ｒ²は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は炭素数２〜１０のアルケニル基で、酸素原子又は硫黄原子を有していてもよい。Ｒ³はフッ素原子又はトリフルオロメチル基、ｍは１〜５の整数。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好で、特に酸拡散速度を抑制し、優れたエッチング耐性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】電子線あるいは極紫外線（ＥＵＶ光）を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れたパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、（Ｂ）電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程（２）、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程（４）をこの順番で有する、パターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンの裾引き形状改善に効果が有り、ＬＥＲ性能が良好なパターンを形成することが可能である感活性光線又は感放射線樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を、感活性光線性または感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、１０〜３０質量％含有する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（高解像力など）、高ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、（１）感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、（２）前記膜を電子線または極紫外線で露光することと、（３）有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含み、前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、（Ａ）電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位（Ｒ）を有する樹脂と、（Ｂ）溶剤とを含有している。 （もっと読む）

【解決手段】側鎖末端にヘキサフルオロヒドロキシプロピルカルボニルオキシ基を有する（メタ）アクリレート単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。
【効果】上記レジスト保護膜材料は、高撥水性かつ高滑水性性能を有する。そのため水に対する良好なバリアー性能を有し、レジスト成分の水への溶出が抑えられる上、現像欠陥が少なく、現像後のレジストパターン形状が良好な液浸リソグラフィーを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】接着性を保持しつつ、耐熱性および機械的強度に優れたホットメルト接着剤を提供する。
【解決手段】エチレン残基単位７５．４〜９８．３モル％、酢酸ビニル残基単位０．３〜１９．６モル％、ビニルアルコール残基単位０〜２４．２モル％及びビニルアルコール単位とアクリロイル基を有するイソシアネートとの反応によるアクリロイル基を有する残基単位０．１〜２０．０モル％含み、ＪＩＳＫ６９２４−１に準拠し測定したＭＦＲが５〜４００００ｇ／１０分であるアクリロイル基含有エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化物、それを含む組成物、及び該組成物を含む接着剤。 （もっと読む）

【課題】ホルムアルデヒドを放出せず、熱架橋性を有し、また、紙処理剤として使用すると、低熱処理条件下で得られた紙であっても耐水性に優れ、さらに、繊維処理剤として使用すると、柔軟性に富む繊維が得られる熱架橋型高分子重合体水性エマルジョン組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】トリカルバリル酸、アコニチン酸、メチルシクロヘキセントリカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸、テトラヒドロフランテトラカルボン酸、メチルテトラヒドロフタル酸とマレイン酸のエン付加物、トリメリット酸、ピロメリット酸、ビフェニルテトラカルボン酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ジフェニルスルホンテトラカルボン酸からなる群より選ばれる一種以上のポリカルボン酸の存在下、カルボキシル基と熱架橋反応し得る官能基を含むエチレン性不飽和単量体Ａを乳化重合させることにより、カルボキシル基と熱架橋反応し得る官能基を有する高分子重合体と、前記ポリカルボン酸とを含む水性エマルジョンを得て、かつ前記ポリカルボン酸のカルボキシル基の少なくとも一部を前記高分子重合体の官能基と反応させてなることを特徴とする熱架橋型高分子重合体水性エマルジョン組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】感度等の基本性能に加えて、ナノエッジラフネス、解像度、パターン倒れ耐性、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）等に優れると共に、これらのバランスに優れるレジスト膜を形成するために用いられる化合物、それを用いて得られる重合体及びその重合体を含有するフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物である。
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