【課題】光感度に優れるとともに、光硬化後に得られるレジスト形状を良好に維持することが可能な感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）バインダーポリマー、（Ｂ）分子内にエチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物、（Ｃ）光重合開始剤、及び（Ｄ）重合禁止剤を含有し、（Ｄ）重合禁止剤の含有量が組成物中の固形分全量を基準として２０〜１００質量ｐｐｍである、感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れの抑制およびラインエッジラフネスの改善を可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰り返し単位および酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる繰り返し単位を含む樹脂と、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する


一般式（１）中、Ｌは、２価の連結基を表し；Ｒ_１は、水素原子またはアルキル基を表し；Ｚは、環状酸無水物構造を表す。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、液浸露光プロセスにおいて、露光時には大きい動的接触角を示すことにより、レジスト膜表面が優れた水切れ性を示し、現像時には動的接触角が大きく低下することにより、現像欠陥の発生が抑制されるレジスト膜を形成可能なフォトレジスト組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］酸解離性基を有する重合体、［Ｂ］下記式（１）で表される構造単位（Ｉ）を有し、フッ素原子を含む重合体、［Ｃ］酸発生体、及び［Ｄ］溶媒を含有するフォトレジスト組成物である。Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。但し、Ｒ^４とＲ^５とが互いに結合して、これらが結合している炭素原子と共に炭素数３〜２０の環構造を形成してもよい。
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【課題】液浸露光プロセスにおいて、露光時にはレジスト膜表面の優れた水切れ性を示すと共に、現像欠陥の発生を抑制できる新規な化合物、この化合物に由来する構造単位を有する重合体、この重合体を含有するフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物に由来する構造単位を有する重合体、さらに、［Ａ］酸解離性基を有する重合体、［Ｂ］当該重合体、［Ｃ］酸発生体及び［Ｄ］溶媒を含有するフォトレジスト組成物。式（１）中、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基である。但し、Ｒ^４及びＲ^５のうち少なくとも１つの基は、フッ素原子を有する。ｎは、１〜４の整数である。
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【課題】感度等の基本性能に加えて、ナノエッジラフネス、解像度、パターン倒れ耐性、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）に優れるレジスト膜を形成するために用いられる化合物、それを用いて得られる重合体及びその重合体を含有するフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物。


（式（１）中、Ｒ^１は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Ｒ^２は、単結合又は２価の連結基である。Ｍ^＋は、１価のカチオンである。）また、式（１）におけるＭ^＋の１価のカチオンは、例えば４−シクロヘキシルチオフェニル・ジフェニルスルホニウムのようなスルホニウム好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、スルホン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤と、カルボン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
【効果】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基をアセタール保護した繰り返し単位を含む高分子化合物と、高エネルギー線でスルホン酸を発生する化合物及びカルボン酸を発生する化合物を含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴と、ナノエッジラフネスを低減する特徴を有し、このことにより微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】耐溶剤性に優れ、低比誘電な硬化膜を形成できるポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）カルボキシル基を有するモノマー単位および／またはフェノール性水酸基を有するモノマー由来の繰り返し単位（ａ１）と、オキセタニル残基を有するモノマー由来の繰り返し単位（ａ２）と、を有する共重合体、ならびに（Ｂ）感放射線酸発生化合物、を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
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【課題】優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジストパターンを製造できるレジスト組成物及び該レジスト組成物に含まれる樹脂製造用化合物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ｔ^１は、単結合、−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｎ−又は炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基を表す。ｎは１〜６の整数を表す。Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ^２は、水素原子又は酸に不安定な基を表す。］ （もっと読む）

【課題】感度等の基本性能に加えて、ナノエッジラフネス、解像度、パターン倒れ耐性、ＭＥＥＦ（Ｍａｓｋ Ｅｒｒｏｒ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａｃｔｏｒ）等に優れると共に、これらのバランスに優れるレジスト膜を形成するために用いられる化合物、それを用いて得られる重合体及びその重合体を含有するフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物である。
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【課題】リソグラフィー特性、塗布性及び引き置き安定性に優れたレジスト組成物、及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】構成単位（ａ０−１）と、酸分解性基を含む構成単位（ａ１）とを有し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するる樹脂成分（Ａ１）を含有する基材成分（Ａ）、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）、及び含窒素有機溶剤成分（Ｓ）を含有するレジスト組成物。
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【解決手段】一般式（１）で表される繰り返し単位を含有し、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。


（式中、Ｒ⁴〜Ｒ⁶はフッ素化１価炭化水素基を示す。）
【効果】本発明により、高撥水性かつ高滑水性の含フッ素環状アセタールを含む繰り返し単位を有するレジスト保護膜材料が提供される。 （もっと読む）

【課題】めっき膜を形成するめっき方法を提供する。
【解決手段】基板上にレジストパターンを形成する工程、レジストパターン形成面に、下記一般式（１）で表わされる構造単位及び下記一般式（２）で表わされる構造単位を有する重合体を含有する表面改質層を形成する工程、レジストパターンの開口部にめっき膜を形成する工程を有するするめっき方法。


〔式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基、Ｒ²は単結合又は２価の連結基、Ｒ³は水素原子、水酸基又はアルコキシ基、Ｒ⁴は水素原子又はメチル基、Ｒ⁵は極性基を示す。〕 （もっと読む）

【課題】アゾ顔料の非水溶性溶剤に対する顔料分散性を改善する顔料分散剤を提供する。
【解決手段】特定の高分子樹脂ユニットに、下記一般式（１）で表されるユニットが結合している、顔料分散剤として用いられる化合物。


［式（１）中、Ｒ1はアルキル基、フェニル基を表し、Ｒ2乃至Ｒ6は水素原子、エステル基、アミド基等を表す。Ｌ1乃至Ｌ2は二価の連結基を表す。］ （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、形成されるレジストパターンの耐パターン倒れ性やドライエッチング時におけるレジストパターンに対する高いエッチング選択性を維持しつつ、高い屈折率及び吸光係数を有するレジスト下層膜を形成可能なレジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法並びに重合体を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ］電子求引性基が結合する芳香族構造を有する構造単位（Ｉ）と、ラクトン構造を有する構造単位、環状カーボネート構造を有する構造単位及び環状イミド構造を有する構造単位からなる群より選択される少なくとも１種の構造単位（ＩＩ）とを含む重合体を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。 （もっと読む）

【課題】溶出が抑制された高解像性のネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、液浸媒体を介して浸漬露光する工程（２）と、工程（２）の後にベークを行い、露光部において露光により光塩基発生剤成分から発生した塩基と、レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、未露光部において、レジスト膜に予め供給された酸の作用により、基材成分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、アルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法であって、レジスト膜の水に対する後退角が６５°以上であることを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ハーフトーン露光技術に適した硬化特性を有するネガ型フォトレジスト用ポリマーを提供すること。
【解決手段】不飽和カルボン酸ユニットと、エポキシ基含有不飽和化合物ユニットと、Ｎ−置換マレイミドユニットと、オレフィン系不飽和化合物ユニットと、末端ビニル基とを有し、不飽和カルボン酸ユニットの含有率が３〜４０ｍｏｌ％であり、エポキシ基含有不飽和化合物ユニットの含有率が３〜２０ｍｏｌ％であり、Ｎ−置換マレイミドユニットの含有率が３〜２０ｍｏｌ％であり、オレフィン系不飽和化合物ユニットの含有率が３０〜８０ｍｏｌ％であるネガ型フォトレジスト用ポリマー。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィのための組成物を提供する。
【解決手段】下記のＡを含むポリマーとシランから形成されるポリマーを含む組成物。Ａ）下記の構造単位１：


（式中、Ｌは、Ｃ−Ｃ結合でありであり；Ｍは２価の結合基、Ｓｉ上に酸素含有基、ハライドから選択される基を持つ。） （もっと読む）

【課題】ネガ型パターンを形成できるレジストパターン形成方法、及びこれに用いることができ、保存安定性に優れたレジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分と、酸供給成分と、フッ素原子及びケイ素原子から選ばれる少なくとも１種を含み、かつ、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含まない化合物（Ｆ）とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、前記レジスト膜を露光する工程（２）と、前記工程（２）の後にベークを行う工程（３）と、前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）とを含むレジストパターン形成方法、及び前記工程（１）で用いる前記レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】微細な孔径（例えば、６０ｎｍ以下）を有し、かつ、断面形状の矩形性に優れるホールパターンを、局所的なパターン寸法の均一性に優れた状態で形成可能な、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂（Ｐ）、及び
活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物（Ｂ）を含有し、かつ
フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有し、前記樹脂（Ｐ）とは異なる樹脂（Ｃ）を、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の全固形分を基準として、１質量％以上含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


上記一般式（Ｉ）中、Ｒ_０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 （もっと読む）

【課題】良好な現像時間依存性を以って、超微細の孔径を有し、かつ、真円性に優れるホールパターンの提供。
【解決手段】（Ｐ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位（ａ）を有する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物、及び、（Ｃ）活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する、塩基性化合物又はアンモニウム塩化合物を含有する組成物であって、前記化合物（Ｃ）の前記化合物（Ｂ）に対するモル比率［Ｃ］／［Ｂ］が０．４以上である、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。


上記一般式（Ｉ）中、Ｒ_０は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。 （もっと読む）