二量体とオリゴマーとを含む有機官能性シランを調製するプロセスを提供する。ここに、個々のシランはフリーおよびブロック化メルカプタン官能性の両方を有し、または、有機官能性シランの特定の混合物はフリーおよびブロック化メルカプタン官能性の両方を有する。有機官能性シランおよびシラン混合物は、とりわけ、エラストマー組成物のためのカップリング剤として有用であり、例えば、タイヤの製造に使用されるゴムの配合物において、それは少ない早期加硫と良好な性能特性の望ましいバランスを示す。
なし （もっと読む）

【解決手段】(A)式(1)〜(3)の化合物を含む加水分解性シランモノマー混合物の共加水分解・縮合により得たシリコーン樹脂、
(B)酸発生剤、
(C)含窒素有機化合物、
(D)有機溶剤
を含有するレジスト組成物。


R³R⁴_qSiX_3-q (2)
R⁵R⁶_rSiX_3-r (3)
(R¹はフッ素原子、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基。R²は炭化水素基、R³は官能基として酸分解性保護基で保護されたカルボキシル基を持つ有機基、R⁴はR²と同定義、R⁵は官能基としてラクトン環を有する有機基、R⁶はR²と同定義。Xは水素原子、塩素原子、臭素原子又はアルコキシ基、pは0又は1、qは0又は1、rは0又は1。)
【効果】本発明のレジスト組成物は、従来の近接位炭素がフッ素化されたアルコールを極性基として使用したレジスト組成物に対し同等以上の解像性を示し、酸素反応性エッチングにおいて有機材料である下層膜との間でエッチング選択比がとれないという問題を解決でき、ArF露光における2層レジスト法に好適である。 （もっと読む）

【課題】飽和吸水率が極めて低く、気密性能を有し、耐熱性、化学的耐久性及び接着性が高く、低融点で透明な材料はなかった。
【解決手段】溶融性を有する原材料の濃縮、溶融後に減圧加熱処理を行い、さらに３００℃以上で高温熱処理する有機無機ハイブリッドガラス状物質の製造方法。溶融性を有する原材料はフェニル基およびＤユニットを含み、高温熱処理は３００℃以上５５０℃以下で行う特徴を有す。さらに、飽和吸水率が０．１重量％以下である有機無機ハイブリッドガラス状物質。さらに、吸水による膨張率および屈折率の変化量がそれぞれ０．１％以下、０．０００３０以下である有機無機ハイブリッドガラス状物質。軟化温度が５０℃〜３５０℃、溶融性を有し、１１００ｎｍでの光透過率を基準としたシラノール基の吸収による光透過の低下率が１０％以下である特徴を有す。 （もっと読む）

【解決手段】(A)式(1)、(2)、(3)の化合物を含む加水分解性シランモノマー混合物の共加水分解・縮合により得たシリコーン樹脂、
(B)酸発生剤、
(C)含窒素有機化合物、
(D)有機溶剤
を含有するレジスト組成物。


R⁵R⁶_qSiX_3-q (2)
R⁷R⁸_rSiX_3-r (3)
(R¹、R²、R³は水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基で、少なくとも一つはフッ素原子を含む。R⁴は炭化水素基、R⁵は官能基として酸分解性保護基で保護されたカルボキシル基を持つ有機基、R⁶はR⁴と同定義、R⁷は官能基としてラクトン環を有する有機基、R⁸はR⁴と同定義。Xは水素原子、塩素原子、臭素原子又はアルコキシ基、pは0又は1、qは0又は1、rは0又は1。)
【効果】本発明のレジスト組成物は、従来の近接位炭素がフッ素化されたアルコールを極性基とする組成物と同等以上の解像性を示し、酸素反応性エッチングにおけるエッチング選択比の問題もなく、ArF露光の２層レジスト法に好適である。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。
【解決手段】（１）セラミック又は金属の表面に存在する、水酸基、又は、メタロキサン結合中の酸素と水素結合可能な官能基を有し、（２）２００℃に５００時間放置した前後において、波長４００ｎｍの光における透過率の維持率が８０％以上１１０％以下であり、（３）中心波長が４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下であり、且つ波長が３８５ｎｍを超え５００ｎｍ以下である光を、波長４３６ｎｍにおける照度が４５００Ｗ／ｍ²となるように２４時間照射した後において、目視により変化が認められず、（４）波長５５０ｎｍの光における屈折率が１．４５以上であるようにする。 （もっと読む）

【課題】 ラジカル重合性基を有するケイ素化合物を、その製造中にゲル化することなく安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミン塩を重合禁止剤として使用する、ラジカル重合性基（メタクリロイル基、アクリロイル基、ビニル基、スチリル基、アリル基等）を有するケイ素化合物の製造方法である。 （もっと読む）

電子デバイスの製造において１つもしくはそれ以上の層を形成するために用いられる硬化性オルガノシリケート組成物であって、（ａ）ケイ素原子に結合し、かつ、エチレン系不飽和を含有する少なくとも１つの基を有するアルコキシまたはアシルオキシシラン、（ｂ）ケイ素原子に結合し、かつ、芳香環を含有する少なくとも１つの基を有するアルコキシまたはアシルオキシシラン、（ｃ）潜在性酸触媒、および（ｄ）場合によりケイ素原子に結合した少なくとも１つのＣ_１〜Ｃ_６アルキル基を有するアルコキシまたはアシルオキシシランを含む組成物。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率、低屈折率、高機械的強度を有する疎水性多孔質膜及びその作製方法、この多孔質膜を作製するための多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。
【解決手段】 式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４及びＲ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａ(式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた少なくとも１種の化合物と、２５０℃以上で熱分解を示す熱分解性有機化合物と、触媒作用をなす元素と、有機溶媒とからなる多孔質膜の前駆体組成物。この前駆体組成物の溶液を用いて疎水性化合物と気相重合反応せしめ、多孔質膜を作製する。この多孔質膜を用いた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、優れた実装信頼性、冷熱衝撃性を有する硬化性組成物、およびその硬化性組成物により封止、被覆された半導体装置を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、および、（Ｄ）固形低弾性率樹脂成分を必須成分として含有することを特徴とする硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】２つの塔ユニットを用いたＳｉＯＣ基含有化合物の連続的な製造法の空時収率を高める。
【解決手段】反応混合物を、１つの塔を含む第一の反応ユニットにおいて、アルコールと、又はアルコール及び水と反応させ、なおも揮発性成分を含有する粗生成物に変換し、前記の粗生成物を１つの塔を含む第二の反応ユニットに移し、前記の第二の反応ユニット内に更にアルコールを導入し、そこで非反応性有機溶剤の存在又は不在下に揮発性成分を除去し、かつ所望の最終生成物を第二の反応ユニットの下方端部で導出する、ＳｉＯＣ基含有化合物の連続的な製造法において、前反応器内でクロロシランを、アルコールと、又はアルコール及び水と部分反応させて反応混合物に変換し、前記の反応混合物を第一の反応ユニット内に導入することを特徴とする、ＳｉＯＣ基含有化合物の連続的な製造法。 （もっと読む）

【課題】信号の処理速度向上が得られる層間絶縁膜として好適な誘電率が小さな材料を提供する。
【解決手段】化学気相成長方法により基板上に膜を形成する方法であって、 （ｉ−Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂を供給する供給工程と、 前記供給工程で供給された（ｉ−Ｃ₃Ｈ₇）₂Ｓｉ（ＯＣＨ₃）₂の分解による分解生成物が前記基板上に堆積する堆積工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性および耐熱水性を付与する透明な熱硬化型オルガノシロキサン樹脂塗料の調製方法、および該塗料で表面を保護されたポリカーボネート樹脂成形体を提供する。
【解決手段】 コロイダルシリカと下記式（１）で表わされるアルコキシシランの加水分解物とを縮合反応させたオルガノシロキサン樹脂塗料を調製するにあたり、シリカ微粒子の平均粒子径が１０〜７０ｎｍであり、且つその粒子径に基づく変動係数が２０〜４０％になるように反応させることを特徴とす調製方法。


（但し、式中Ｒ^１、Ｒ^２はそれぞれ炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはメタクリロキシ基、アミノ基、グリシドキシ基、３，４−エポキシシクロヘキシル基からなる群から選ばれる１以上の基で置換された炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基、ｍ、ｎはそれぞれ０、１、２のいずれかの整数、ｍ＋ｎは０、１、２のいずれかの整数である） （もっと読む）

【課題】 表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化用組成物は、（Ａ）官能基を有するシラン化合物と、（Ｂ）ケトン系溶媒とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高い膜強度と低い比誘電率を有するＣＭＰ犠牲膜やエッチング・ストッパー膜等の半導体加工用保護膜を形成するための塗布液、その調整方法および該塗布液より得られる半導体加工用保護膜に関する。
【解決手段】 （ａ）テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)およびアルコキシシラン(AS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（TMAOH）および水の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物、またはテトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（TMAOH）および水の存在下で加水分解または部分加水分解した後、アルコキシシラン(AS)またはその加水分解物もしくは部分加水分解物と混合し、さらに必要に応じてこれらの一部または全部を加水分解して得られるケイ素化合物、（ｂ）有機溶媒、および（ｃ）水を含む液状組成物であり、しかも該液状組成物中に含まれる水の量が３５〜６５重量％の範囲にあることを特徴とする半導体加工用保護膜形成用塗布液。 （もっと読む）

【課題】 ゾルゲル法により得られるアルコキシシラン縮合物であるにも拘らず、柔軟性が高く強度に優れたアルコキシシラン硬化物からなる自立膜を形成することが可能なアルコキシシラン縮合物、並びにその製造方法を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（１）〜（４）：
【化１】


［式（１）〜（４）中、Ｘ^１は１価の加水分解性基、Ｒ^１は２価の有機基を示す。］
でそれぞれ表されるＴ^０、Ｔ^１、Ｔ^２及びＴ^３サイト骨格成分からなる有機架橋型アルコキシシラン縮合物であって、^２９Ｓｉ−ＮＭＲにおける、前記Ｔ^０、Ｔ^１、Ｔ^２及びＴ^３サイト骨格成分にそれぞれ相当するシグナルの積分値（Ｔ^０、Ｔ^１、Ｔ^２、Ｔ^３）が下記数式：
Ｔ^０／（Ｔ^０＋Ｔ^１＋Ｔ^２＋Ｔ^３）≦０．６
Ｔ^１／（Ｔ^０＋Ｔ^１＋Ｔ^２＋Ｔ^３）≧０．４
Ｔ^２／（Ｔ^０＋Ｔ^１＋Ｔ^２＋Ｔ^３）≦０．２
Ｔ^３／（Ｔ^０＋Ｔ^１＋Ｔ^２＋Ｔ^３）≦０．０３
で表される条件を満たしていることを特徴とする有機架橋型アルコキシシラン縮合物。 （もっと読む）

アルコキシシラン又はシロキサンとオルガノヒドロシラン又はシロキサンとの新規なシリコーン縮合反応及びそのための触媒が記載され権利請求される。 （もっと読む）

複数の無機、金属、セミメタリック、および／又は金属酸化物粒子、および、粒子表面近傍における不均一重合反応により得られ、前記粒子の少なくとも一部を封入するスターグラフト共重合体上に環状および／又は直線状重合体構造を持つスターグラフト共重合体を含む表面処理された粒子。
前記表面処理は、ｗ、ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ、四官能性、三官能性、二官能性、および単官能性のモノマー単位のモルパーセントであり、ｗ、ｘ、ｙおよびｚはそれぞれ、約０〜５０、０〜５０、５〜９９および０〜５であるＳｉ(ｗ、ｘ、ｙ、ｚ)を含み、ｗはテトラエチルオルトシリケートであり；ｘはγ−グリシドオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、３−(トリメトキシシリル)プロピル無水コハク酸、ヘプタデカフルオロトリメトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、２−(ジフェニルホスフィノ)エチルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ｎ−(トリメトキシシリルプロピル)ＥＤＴＡ、ペンタフルオロフェニルプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、および、これらのモノマーのトリエトキシ含有の対応物(counterparts)からなる群から選択され；ｙはジシクロヘキシルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジメチルジクロロシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ヘキシルジクロロシラン、ｎ−ヘキシルメチルジクロロシラン、メチルドデシルジエトキシシラン、ｎ−オクチルメチルジメトキシシラン、および、これらのモノマーのジエトキシ含有の対応物からなる群から選択され；ｚはｎ−オクタデシルジメチルメトキシシラン、トリエチルシラノール、トリメチルエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、および、これらのモノマーのエトキシ含有の対応物からなる群から選択される。表面処理されたＺｎＯおよび／又はＴｉＯ_２と定義される製品それ自体、およびパーソナルケア製剤における製品の使用それ自体は除外される。 （もっと読む）