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Fターム[4J246BA14]の内容

珪素重合体 (47,449) | Si周りの酸素原子配置による分類 (3,467) | T単位が主量 (1,319) | D単位又はQ単位を含む (515) | T単位とD単位とからなる (258)

Fターム[4J246BA14]に分類される特許

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【課題】4級アンモニウム塩化物や4級ホスホニウム塩化物を用いた、シルセスキオキサンの開環重合に用いることができる新規熱潜在性開環重合触媒を提供する。
【解決手段】ジメチルジステアリルアンモニウムクロライド、トリメチルステアリルアンモニウムクロライド等の4級アンモニウム塩化物又はトリフェニルホスホニウムクロリド等の4級ホスホニウム塩化物からなる熱潜在性開環重合触媒、及び、これを用いた、120℃以下では開環重合せず、一方、150℃では開環重合する、シルセスキオキサンの開環重合方法。 (もっと読む)


【課題】塩化イミダゾリウムを用いた、環状ポリシロキサン、例えばシルセスキオキサン、の開環重合に用いることができる新規開環重合触媒を提供する。
【解決手段】1,3−ジメシチルイミダゾリウムクロライド、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムクロライド、1,3−ビス(2,6−ジイソプロピルフェニル)イミダゾリウムクロライド、1−ブチル−2,3−ジメチルイミダゾリウムクロライド、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムクロライド、1,3−ジシクロヘキシルイミダゾリウムクロライド、1,3−ジメチルイミダゾリウムクロライド、1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウムクロライド、及び1−メチル−3−n−オクチルイミダゾリウムクロライドからなる群から選択される少なくとも1種からなる開環重合触媒、及び、これを用いて、120℃では開環重合せず、一方、150℃では開環重合する、シルセスキオキサンの開環重合方法。 (もっと読む)


【課題】 成形加工性、透明性、耐熱性、耐光性、耐青色レーザー性に優れた光素子封止剤を提供することができる。
【解決手段】オルガノポリシロキサン系組成物の硬化物を周波数10Hzで測定した損失正接の極大値が−10℃〜50℃の温度範囲に少なくとも1つあり、貯蔵弾性率の値が120℃において10MPa以下であり、該組成物が(A)および(B)からなるオルガノポリシロキサン系組成物であることを特徴とする光素子封止剤。
(A)アルケニル基を有する多面体構造ポリシロキサン系化合物(a)と、ヒドロシリル基を有する化合物(b)をヒドロシリル化反応して得られる多面体構造ポリシロキサン変性体に、更に1分子中にアルケニル基を1個有する有機ケイ素化合物(a’)をヒドロシリル化反応して得られることを特徴とする多面体構造ポリシロキサン変性体、
(B)1分子中にアルケニル基を2個以上有するオルガノポリシロキサン。 (もっと読む)


【課題】重縮合によって架橋され、かつ毒性の問題を呈するアルキルスズベースの触媒を含有しない、エラストマーへ室温で加硫され得るオルガノポリシロキサン組成物を提供すること。
【解決手段】重縮合反応によって硬化してシリコーンエラストマーになることができるシリコーンベースBと、触媒として有効量の少なくとも1種の重縮合触媒とを含み、前記触媒が式 [Zn(L1)(L2)](ここで、記号L1およびL2は、β−ジカルボニラトアニオン、または式R1COCHR2COR3のβ−ジカルボニラル−含有化合物のエノラートアニオンまたはβ−ケトエステル由来のアセチルアセテートアニオンであるリガンドを表す)の金属錯体A(亜鉛ジアセチルアセトネート、Zn(acac)2化合物を除く)またはその塩であることを特徴とする、オルガノポリシロキサン組成物。 (もっと読む)


【課題】硬化前のポットライフが長く、硬化時に揮発する低分子化合物の量が低減され、硬化後の物性、及び耐黄変性に優れたラダー型シルセスキオキサンおよび組成物を提供。
【解決手段】分子内に下記式(1)で表される構造を有することを特徴とするラダー型シルセスキオキサン。


[式(1)中、SiLはラダー型シルセスキオキサンのシルセスキオキサン骨格を構成するケイ素原子を示す。Xは単結合又は連結基を示す。複数個のRa及びRbは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、一価の有機基、一価の酸素原子含有基、一価の窒素原子含有基、又は一価の硫黄原子含有基を示す。nは1〜100の整数を示す。 (もっと読む)


【課題】種々の構成材料からなる半導体発光デバイス用パッケージに対する密着性、ガスバリア性、耐熱性、耐光性、成膜性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離、着色を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、必要に応じて蛍光体を保持することのできる新規な熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を硬化させた半導体デバイス用部材、およびこれらを用いた半導体発光デバイスを提供する。
【解決手段】(A)平均組成式が下記一般式(1):
(RSiO2/2(RSiO3/2(SiO4/2(O1/2・・・(1)
で表され、エポキシ当量が250〜700g/当量であるポリシロキサン、(B)硬化剤および(C)硬化触媒を含む熱硬化性樹脂組成物であって、
該熱硬化性樹脂組成物を熱処理することで形成される硬化物について、動的粘弾性測定によって得られる損失正接(Tanδ)におけるピーク温度(K)に対するピーク半値幅(K)の比が0.18以下であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物、該樹脂組成物を硬化させた硬化物よりなる半導体デバイス用部材、該半導体デバイス用部材を備えてなる半導体発光デバイス。 (もっと読む)


【課題】湿熱環境下での長期に亘る層間接着性(特にバックシートの構成基材と太陽電池セルが配された電池側基板(例えばEVA等の封止材)との間の接着耐久性)に優れ、低廉に製造される太陽電池用バックシート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリマー基材と、ポリマー基材の一方面に、着色剤を含有する着色層と、金属及び金属化合物からなる群より選ばれる成分を含有する金属含有層と、ポリマー基材の他方面に、分子中に一般式(1)で表される質量割合が15〜85質量%のシロキサン構造単位と質量割合が85〜15質量%の非シロキサン系構造単位とを有する複合ポリマーを含有する複合ポリマー層とを有している〔R〜R:H、ハロゲン原子、1価の有機基(複数のR、Rは各々互いに同一でも異なってもよい)、n:1以上の整数〕。
【化1】
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【課題】透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。
【解決手段】(1)セラミック又は金属の表面に存在する、水酸基、又は、メタロキサン結合中の酸素と水素結合可能な官能基を有し、(2)200℃に500時間放置した前後において、波長400nmの光における透過率の維持率が80%以上110%以下であり、(3)中心波長が400nm以上450nm以下であり、且つ波長が385nmを超え500nm以下である光を、波長436nmにおける照度が4500W/m2となるように24時間照射した後において、目視により変化が認められず、(4)波長550nmの光における屈折率が1.45以上であるようにする。 (もっと読む)


【課題】 ドライエッチング耐性に優れるドライエッチングレジスト用硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 ポリシロキサンセグメント(a1)と、ビニル系重合体セグメント(a2)とを有する複合樹脂(A)を含有するドライエッチングレジスト用材料を提供することで、ドライエッチング耐性に優れたドライエッチングレジスト用硬化性樹脂組成物、及び該ドライエッチングレジスト用硬化性組成物からなるレジスト膜を提供することができる。また、該レジスト膜を積層した積層体、及びパターン形成物も提供することができる。 (もっと読む)


【課題】 ナノオーダーの微細パターンの転写が可能で、かつ剥離性に優れた樹脂モールド用硬化性樹脂組成物、及び樹脂モールドを提供すること。
【解決手段】 ポリシロキサンセグメント(a1)と、ビニル系重合体セグメント(a2)とを有する複合樹脂(A)を含有する樹脂モールド用硬化性樹脂組成物を提供することで、ナノオーダーの微細パターンの転写が可能で、かつ剥離性に優れた樹脂モールドを提供することができる。また、該樹脂モールドから作成されるレプリカモールド、及びレプリカモールドの製造方法を提供する (もっと読む)


【課題】低温プロセスでゾルゲルガラスからなるクラッド・コア材の作製、屈折率の任意制御、光損失の極小制御が可能なポリマー光変調器の製造方法の提供。
【解決手段】下記式(1)
Si(OR4−n (1)
で表されるシリコンアルコキシド、その加水分解・縮合物、またはこれらの混合物と、光酸発生剤とを含む硬化性組成物を調製する工程と、
該硬化性組成物を基板上に塗布・硬化し、更にパターン形成を行い、ゾルゲルガラスから形成される下部クラッド層、コア層、側部クラッド層及び上部クラッド層を形成する工程と、
上部クラッド層中に、電気光学ポリマーから形成されるコア層を、該ゾルゲルガラスから形成されるコア層の上部に接触して埋設する工程とを含み、且つ、上部クラッド層と電気光学ポリマーから形成されるコア層との接続部の一部が、導波光の進行方向に対しテーパー構造を有する、ポリマー光変調器の製造方法。 (もっと読む)


【課題】湿熱環境及び紫外線に曝されても密着性及び意匠性に優れた耐候性塗布層を有する太陽電池用バックシートを提供する。
【解決手段】ポリマー基材と、ポリマー基材上に設けられ、分子中に下記一般式(1)で表されるシロキサン構造単位を15〜85質量%及び非シロキサン系構造単位を85〜15質量%含む複合ポリマー、複合ポリマーを架橋する架橋剤由来の構造部分、並びに、嵩比重が0.50g/cm以上0.85g/cm以下であり、ポリマー層の全質量に対する割合が45質量%以上85質量%以下である顔料を含有するポリマー層と、を有する太陽電池用バックシート。式中、R及びRは各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は1価の有機基を表し、nは1以上の整数を表す。複数のR及びRは各々、互いに同一でも異なってもよい。
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【課題】基体に形成されたトレンチ内に酸化シリコンを埋め込むために使用するのに好適なトレンチ埋め込み用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】本発明に係るトレンチ埋め込み用樹脂組成物は、酸化シリコン粒子をトレンチ埋め込み用樹脂組成物全体に対して0.35重量%以上2.20重量%以下で、並びに、一般式(1)〜(3)で表される化合物の合計に対して、一般式(1):Si(ORで表されるテトラアルキシキシラン化合物を45mol%以上87mol%以下で、一般式(2):RSi(ORで表されるトリアルコキシシラン化合物を10mol%以上50mol%以下で、そして一般式(3):RSi(ORで表されるジアルコキシシラン化合物を1.5mol%以上3.6mol%以下で含有する。 (もっと読む)


【課題】 ヒドロシリル化反応により架橋して、室温では高硬度の固体状であり、高温では著しく軟化もしくは液状化する架橋物を形成する架橋性シリコーン組成物、および室温では高硬度の固体状であり、高温では著しく軟化もしくは液状化する架橋物を提供する。
【解決手段】 (A)平均単位式で表される、フェニル基及びアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(B)一般式で表される、フェニル基及びアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、(C)一分子中に少なくとも1個のフェニル基と2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、および(D)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる架橋性シリコーン組成物。 (もっと読む)


【課題】保存安定性があり、加熱焼成し膜とした際、鉛筆硬度HB以上で、膜厚1.5μm以上にしてもクラックを発生させることのない膜を得ることが出来る、アルコキシシランの加水分解および縮合反応によって得られる縮合物を提供する。
【解決手段】一般式(1):Si(ORで表されるアルコキシシランAと、一般式(2):(R)Si(ORで表されるアルコキシシランBと一般式(3):(RSi(ORで表されるアルコキシシランCをモル比で表して、アルコキシシランA:アルコキシシランB:アルコキシシランC=0〜70:30〜100:0〜70の範囲で縮合させたアルコキシシランの縮合物。(Rはメチル基またはエチル基、Rはメチル基、エチル基またはフェニル基である。) (もっと読む)


【課題】高屈折率硬化性かつ光学的に透明な発光ダイオード封止材配合物を提供。
【解決手段】発光ダイオード封止材として使用するための硬化性液体ポリシロキサン/TiO複合体であって;5nm未満の平均ドメインサイズを有するTiOドメインを有するポリシロキサンプレポリマーを当該複合体が含み;前記硬化性液体ポリシロキサン/TiO複合体が全固形分基準で20〜60モル%のTiOを含み;前記硬化性液体ポリシロキサン/TiO複合体が1.61より大きく1.7以下の屈折率を示し;並びに、前記硬化性液体ポリシロキサン/TiO複合体が室温および大気圧で液体である;硬化性液体ポリシロキサン/TiO複合体。 (もっと読む)


【課題】硬化性に優れており、かつ保存安定性に優れており、更に硬化した封止剤の耐熱性が高い光半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】光半導体装置用封止剤は、アリール基及びアルケニル基を有する第1のオルガノポリシロキサン(但し、珪素原子に結合した水素原子を有するオルガノポリシロキサンを除く)と、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第2のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒と、下記式(11)又は下記式(12)で表されるシラン化合物とを含む。


上記式(11)中、R1〜R4はそれぞれ、炭素数1〜8の1価の炭化水素基を表し、R5は、炭素数1〜8の2価の炭化水素基を表す。上記式(12)中、Rは炭素数1〜8の1価の炭化水素基を表す。 (もっと読む)


【課題】従来のシルセスキオキサンに比較して、低温で流動性を有し、成形が容易なシロキサン化合物を提供する。
【解決手段】一般式(1)


(式(1)中、Xはそれぞれ独立にX1またはX2で表わされ、Xのうち少なくとも1個はX2であり、R〜Rはそれぞれ独立に水素原子、又は有機基。m、nはそれぞれ独立に1〜10の整数であり、Yは特定の架橋基である。)で表されるシロキサン化合物。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、非極性の有機溶剤には可溶で、短時間で剥離することが可能であり、接合基板の半導体側にフォトレジストを塗布したり、除去したりする際等に使用する極性の有機溶剤には難溶で、接合基板の半導体側にフォトレジストを塗布したり、除去したりする際に剥離しないオルガノポリシロキサンを提供することを目的とする。
【解決手段】 下記(I)〜(III)で示される単位を含むものであることを特徴とする非芳香族飽和炭化水素基含有オルガノポリシロキサン。
(I)RSiO3/2で表されるシロキサン単位(T単位):40〜99モル%
(II)RSiO2/2で表されるシロキサン単位(D単位):59モル%以下
(III)RSiO1/2で表されるシロキサン単位(M単位):1〜30モル% (もっと読む)


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