【課題】１分子中に末端に二重結合と炭素原子に結合した水酸基を有する化合物と片末端ＳｉＨ基含有ポリシロキサンとの付加反応により得られる片末端カルビノール基含有シリコーンを高純度で製造する方法、及び上記反応において、従来技術では生成抑制できなかった、ＳｉＨ基と水酸基との脱水素由来成分の低減化を目的とする、ヒドロシリル化反応における脱水素反応抑制方法を提供する。
【解決手段】１分子中に末端に二重結合を１個と炭素原子に結合した水酸基を１個以上有する化合物と、片末端ＳｉＨ基含有ポリシロキサンとを、白金系触媒を用いてヒドロシリル化するに際し、該ヒドロシリル化反応をフェノール化合物の存在下に行うことを特徴とするカルビノール基含有シリコーンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】長期の室温放置安定性に優れ、精度よくパターン形成でき、密着性に優れた硬化物を得ることができる感光性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の感光性樹脂組成物は、下記一般式（１）で表される化合物を含むシロキサン化合物を加水分解縮合して得られる重量平均分子量３０００以上のシロキサン樹脂と、光酸発生剤及び光塩基発生剤からなる群より選択される少なくとも１種と、シロキサン樹脂を溶解可能な溶媒と、オニウム塩とを含有する。
Ｒ^１_ｎＳｉＸ_４−ｎ （１）
［式中、Ｒ^１は、アセトキシ基、チオール基、エポキシ基及びアミノ基からなる群より選択される少なくとも１種の官能基を含む有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは１又は２の整数を示し、４−ｎ個のＸは同一でも異なっていてもよく、ｎが２のとき、２個のＲ^１は同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】基板表面上のナノメートルレベルの開口幅を有し、アスペクト比が大きいトレンチ（溝）への埋め込み性に優れ、ボイドなどの欠陥の発生が抑制され、電気的絶縁性に優れたアイソレーション構造を製造するのに好適なトレンチ埋め込み用組成物、および該組成物を用いたトレンチ・アイソレーション構造の製造方法の提供。
【解決手段】アルキルトリアルコキシシランを５０モル％以上含むアルコキシシラン原料を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を含有し、該加水分解縮合物の重量平均分子量が１０００〜５００００であり、該加水分解縮合物の含有量が組成物全量に対して１４質量％超３０質量％以下であるトレンチ埋め込み用組成物の塗膜１４により、基板１０表面上に形成されたトレンチ１２を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】高透明性、耐薬品性、耐熱性、耐クラックで、塗布により１０〜２００μｍの厚みの硬化膜を得ることができる材料、及びそれを用いた硬化膜及び表示素子を提供する。
【解決手段】（１）１官能シランと（２）３官能シラン、（３）２官能シランと（４）４官能シランから選ばれる一以上のシロキサンポリマー及び溶剤を含有する熱硬化性組成物。
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ポリシロキサン含有ポリマーの生成方法について記載する。本方法はｉ）１分子当たり少なくとも２つの縮合性基を含むシロキサン含有モノマー及び／又はオリゴマーの、ａ）１つ以上の縮合触媒並びに選択的にｂ）希釈剤（可塑剤及び／又は増量剤）及び／若しくは末端ブロック剤の一方又は両方の存在下での重縮合によりポリシロキサン含有ポリマーを調製するステップ、並びにｉｉ）必要に応じて重合プロセスを抑制するステップを含む。希釈剤は、存在する場合、得られる希釈ポリシロキサン含有ポリマー中に実質的に保持され、プロセスは少なくとも７５×１０^５Ｐａ（０．７５ＭＰａ）の圧力で行われる。 （もっと読む）

【課題】大きな厚みを有する硬化体を少ない塗工回数で得ることができると共に、得られる硬化体においてクラックの発生を抑制することができ、フラットパネルディスプレイ部材の形成材料として用いることのできるフラットパネルディスプレイ部材形成用組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）シリカ粒子、（Ｂ）特定のオルガノシラン、当該オルガノシランの加水分解物および当該オルガノシランの縮合物、並びに特定式で表わされる平均組成を有するポリシロキサンから選択される少なくとも１種類のシラン化合物、（Ｃ）特定の構造単位を有する重合体を、含有するフラットパネルディスプレイ部材形成用組成物。 （もっと読む）

有機ケイ酸塩材料、及び、有機ケイ酸塩フィルムなどの有機ケイ酸塩材料の調製方法が提供される。この有機ケイ酸塩材料は、疎水性、非晶質及び実質的に微多孔性である。これらの材料は、有機官能性加水分解性シラン前駆体から調製され、並びに、ポロゲンを使用せずに調製される。これらの材料は、広範囲の用途に、例えば、検知用途のための検出層として、好適である。 （もっと読む）

【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、機械的強度および薬液耐性に優れた低比誘電率の絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物１、下記一般式（２）で表される化合物２、および加水分解性ポリカルボシランを加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒とを含む。
Ｒ_ａＳｉ（ＯＲ^１）_４−ａ・・・・・（１）
（式中、Ｒは炭素数１〜２のアルキル基、ビニル基、アリル基、アセチル基またはフェニル基を示し、ａは１〜２の整数を示し、Ｒ^１は炭素数１〜３のアルキル基、ビニル基、アリル基、アセチル基またはフェニル基を示す。）
Ｒ^２_ｂ（Ｒ^３Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^６）_ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^４）_３−ｃＲ^５_ｃ・・・・・（２）
（式中、Ｒ^２〜Ｒ^５は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜１の数を示し、Ｒ^６はフェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である。）を示し、ｄは０または１を示す。） （もっと読む）

【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、機械的強度および加工耐性に優れた低比誘電率の絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物１を含むシラン化合物を加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒とを含む。
Ｒ^１_ｂ（Ｒ^２Ｏ）_３−ｂＳｉ−ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＲ^３）_３−ｃＲ^４_ｃ・・・・・（１）
（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜１の数を示す。） （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において、フォトレジスト膜の良好なパターン形成が可能であり、良好なドライエッチング耐性を有するエッチングマスク用ケイ素含有膜を形成でき、保存安定性が良好であり、剥離プロセスで使用される溶液で剥離が可能なケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板、更にパターン形成方法を提供する
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト法において成膜されるケイ素含有膜を形成するための熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物であって、少なくとも、（Ａ）酸を触媒として用いて加水分解性ケイ素化合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物、（Ｂ）熱架橋促進剤、（Ｃ）炭素数が１〜３０の１価又は２価以上の有機酸、（Ｄ）３価以上のアルコール、（Ｅ）有機溶剤、を含むことを特徴とする熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】任意の水で希釈が可能な水溶性ケイ素化合物の製造方法を提供することであり、本製造方法で得られる水溶性ケイ素化合物を使用し、多孔質の酸化ケイ素の粉体や酸化ケイ素を含むガラス体を得ることが可能な水溶性ケイ素化合物を提供すること。
【解決手段】
下記式（１）で表されるケイ素化合物又は下記式（１）で表されるケイ素化合物の縮合物と、分子内に少なくとも１以上の水酸基及び／又はアミノ基を有する水溶性化合物とを接触させた後に、酸性物質を接触させることを特徴とする水溶性ケイ素化合物の製造方法。


［式（１）中、Ｒ^１ないしＲ^４は、互いに同一でも異なってもよい、水素原子、ヒドロキシ基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を示し、Ｒ^１ないしＲ^４の少なくとも１つの基は、中心のＳｉ原子とＳｉ−Ｏ結合をする酸素原子を有する基である。］ （もっと読む）

【課題】高性能多孔性絶縁膜として期待される誘電率、機械強度を満たし、化学的安定性に優れる多孔質膜を形成し得る有機酸化ケイ素系微粒子を提供する。
【解決手段】無機酸化ケイ素または有機酸化ケイ素を含んでなる内核と、前記内核の周囲に加水分解性シラン化合物を用いて塩基性触媒存在下で形成した有機酸化ケイ素を含んでなる外殻とを備える有機酸化ケイ素系微粒子であって、前記内核または外殻を構成するケイ素原子のうち、炭素原子と直接結ばれた結合を少なくとも１つ持つケイ素原子の数Ｔと、４つの結合が全て酸素原子と結ばれた結合であるケイ素原子の数Ｑの比Ｔ／Ｑの値が、内核よりも外殻の方が大きく、前記外殻形成用加水分解性シラン化合物が、炭素鎖を介して、または一部の炭素間に１つのケイ素を含有する炭素鎖を介して結合した、２つ以上の加水分解性基を有するケイ素を持つ加水分解性シラン化合物を含む有機酸化ケイ素系微粒子。 （もっと読む）

【課題】 吸水性樹脂の運搬・輸送による衝突等の衝撃に起因する通液速度の著しい低下を受けずに耐衝撃性が良好で、水性液体、又は尿、経血もしくは汗などの体液等に対して良好な吸水性能を有する吸水性樹脂及びその製造法の提供。
【解決手段】 水溶性モノマーを含むモノマー成分を重合させて得られる架橋重合体（Ａ）と、式（１）で表されるアルコキシシラン、その加水分解物及びこれらの重縮合物から選ばれる少なくとも１種のケイ素化合物（Ｂ）とを含有する吸水性架橋重合体、並びにその製造方法。
Ｒ¹_pＳｉ(ＯＲ²)_4-p （１）
〔式中、Ｒ¹及びＲ²は炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数２〜６のアルケニル基、ｐは０〜３の整数を示す。〕 （もっと読む）

【課題】レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有し、レジスト材料の染み込み量が少ないレジスト下層膜を形成することができ、且つ保存安定性に優れるレジスト下層膜用組成物を提供する。
【解決手段】本レジスト下層膜用組成物は、下記一般式（１）で表される構成単位を含有するポリシロキサンと、溶剤と、を含む。


（Ｘは、置換されていてもよいメチレン基、又は置換されていてもよい炭素数２〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。） （もっと読む）

【課題】有機チタノシリケートを含む塗料組成物であっても劣化しにくく、また、耐候性に優れた被膜を形成することができる新規の塗料組成物を提供する。
【解決手段】本発明の塗料組成物は、Ｍ−Ｏ−Ｍ（Ｍは珪素原子または金属原子をそれぞれ独立に示す）で表される結合を含む珪素および金属の酸化物からなるとともに少なくとも一部の珪素原子に結合している有機基をもち、金属原子の少なくとも一部がチタン原子である有機チタノシリケートを溶媒に溶解させてなる塗料組成物であって、さらに、ラジカル捕捉能および／または酸化防止能を有する安定剤を含むことを特徴とする。チタン原子の遷移による酸化雰囲気の形成を防止したり、ラジカルを捕捉したりする安定剤を添加することにより、被膜の劣化が防止される。そして、安定剤の添加により、被膜の劣化の防止のみならず、耐候性の向上も達成される。 （もっと読む）

【課題】シラノール基を含有した硬化性籠型シルセスキオキサン化合物及びこれを主鎖に取り込んだ共重合体を提供する。
【解決手段】一般式[Ｒ¹ＳｉＯ_3/2]_nで表される硬化性籠型シルセスキオキサン化合物を塩基性化合物存在下、非極性溶媒と極性溶媒のうち1つもしくは両方を合わせた有機溶媒中でシロキサン結合を1つもしくは複数開裂させ、塩基性化合物由来のカウンターカチオンを開裂部と結合せしめた後、酸で処理し、開裂部を水酸基に変換し得られる一般式[Ｒ¹ＳｉＯ_3/2]_n[ＨＯ_1/2]_mで表されるシラノール基含有硬化性籠型シルセスキオキサン化合物であり、また、このシラノール基含有硬化性籠型シルセスキオキサン化合物と下記一般式（７）の化合物とを縮合反応させて得られる共重合体である。
（もっと読む）

【課題】電子デバイスなどの層間絶縁膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有する層間絶縁膜を形成できる絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１）で表される化合物と下記一般式（２）で表される化合物とを酸触媒により脱水縮合して得られるポリマーを含有することを特徴とする。
【化１】


（Ｒ_１〜Ｒ_４のうち、少なくとも２つはヒドロキシル基、メトキシ基等から選ばれ、残りはメチル基、エチル基等から選ばれる。Ａはカゴ型構造を有する構造を表し、Ｙ_１〜Ｙ_４のうち少なくとも２つはヒドロキシル基であり、残りは水素、メチル基、エチル基等から選ばれる。） （もっと読む）

【解決手段】オリゴマー分子あたりそれぞれ少なくとも一つのヒンダードアミノ基を含む１価の有機基と少なくとも一つのアルコキシル基又はヒドロキシル基を有することを特徴とする光安定化基含有シロキサンオリゴマー。
【効果】本発明のシロキサンオリゴマーは、有機ポリマー中での反応の際のアルコール生成量が少なく、高い沸点、高い発火点、低い蒸気圧を有するカップリング剤に有用なシロキサンオリゴマーであり、かつ有機ポリマーの光安定化効果をもたらす化合物として非常に有用である。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率、高機械的強度を有し、疎水性の改良された多孔質膜及びその作製方法、この多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。
【解決手段】 式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４及びＲ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａ(式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた化合物と、熱分解性有機化合物と、触媒作用をなす元素と、尿素等とを含む。この前駆体組成物から得られた多孔質膜に対して紫外線照射した後、疎水性化合物を気相反応させる。得られた多孔質膜を用いて半導体装置を得る。 （もっと読む）

【課題】芳香族炭化水素を使用せず、低エネルギー及び短時間で、常温で固体状のポリオルガノシロキサンを製造する方法を提供する。
【解決手段】Ｒ^１_３ＳｉＯ_０．５単位、但しＲ^１は炭素数１から１０の１価炭化水素基である、とＳｉＯ_２単位とを有する、２５℃で固体状のポリオルガノシロキサンを製造する方法であって、
［１］オルガノシラン及び／又はオルガノジシロキサンと、テトラアルコキシシラン及び／又はその部分加水分解縮合物とを、酸触媒の存在下で加水分解反応及び縮合反応に付する工程、
［２］液状脂肪族炭化水素を添加する工程、但し、当該工程は、工程［１］の前、工程［１］の間、工程［１］の後のいずれに行われてもよい、次いで、
［３］液状脂肪族炭化水素相と水性相とを分液し、次いで、前記水性相を除去する工程、
を含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）