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Fターム[4J246GD09]の内容

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Fターム[4J246GD09]に分類される特許

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【課題】高温焼成で形成される透明膜に良好なクラック耐性と透明性を付与することができる技術を提供する。
【解決手段】組成物は、500℃以上の高温焼成で形成される透明膜用の組成物であって、下記一般式(1)で表される第1アルコキシシランおよび下記一般式(2)で表される第2アルコキシシランを出発原料とする縮合生成物(A)と、有機溶剤(B)と、を含有し、縮合生成物(A)に対する縮合生成物(A)中のケイ素原子に直接結合したメチル基の含有量が、15〜25%である。
(CHSi(OR4−n (1)
[一般式(1)中、Rは炭素数1〜5のアルキル基である。nは1または2の整数である。複数の(OR)は同じでも異なってもよい。]
Si(OR (2)
[一般式(2)中、Rは炭素数1〜5のアルキル基である。複数の(OR)は同じでも異なってもよい。] (もっと読む)


【課題】高温焼成で形成される膜厚の厚いシリカ系樹脂膜におけるクラック耐性の向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】500℃以上の高温焼成で形成される厚さ2.0μm以上のシリカ系樹脂膜用の組成物の製造方法であって、下記一般式(1)で表される第1アルコキシシランの加水分解反応、および、当該加水分解反応で生成される第1アルコキシシランの加水分解生成物の脱水縮合反応を進行させる第1工程と、第1アルコキシシランの加水分解生成物が残存する第1工程の反応系に下記一般式(2)で表される第2アルコキシシランを混合し、第2アルコキシシランの加水分解反応、および、当該加水分解反応で生成された第2アルコキシシランの加水分解生成物と第1工程の脱水縮合反応生成物と残存する第1アルコキシシランの加水分解生成物との脱水縮合反応を進行させる第2工程と、を含む。(RSi(OR(1)Si(OR(2) (もっと読む)


【課題】本発明により、耐熱性、耐久性、耐化学薬品性(耐食性)に優れたメタン分離膜または二酸化炭素分離膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、(a)(i)酸触媒、水、有機溶媒を撹拌して混合し、(ii)次にテトラアルコキシシランを加えて撹拌して混合し、(iii)その後、炭素数21〜6のアルキル基およびフェニル基から成る群から選択される炭化水素基を含有する炭化水素基含有トリアルコキシシランを加えて撹拌して混合して、金属アルコキシド溶液を調製する工程、(b)該金属アルコキシド溶液を無機多孔質支持体に塗布する工程、および(c)該金属アルコキシド溶液を塗布した無機多孔質支持体を30〜300℃で焼成する工程
を含むことを特徴とするメタン分離膜または二酸化炭素分離膜の製造方法に関する。 (もっと読む)


【課題】低い誘電率及び改良された機械的性質、熱的安定性及び化学的耐性を有する多孔質有機シリカガラス膜を提供する。
【解決手段】式Si(ここで、v+w+x+y+z=100%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、xは5〜30原子%、yは10〜50原子%、及びzは0〜15原子%)で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造する。オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。その予備的な膜は細孔を持ち、誘電率が2.6未満である多孔質膜を得るために、実質的にすべてのポロゲンを除去される。 (もっと読む)


【課題】半導体素子に形成されたトレンチの埋め込み用途に好適なポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法の提供。
【解決手段】(i)一般式:R1nSiX14-n (1)(式中、nは0〜3の整数であり、R1は水素原子又は炭素数1〜10の炭化水素基であり、X1はハロゲン原子、炭素数1〜6のアルコキシ基又はアセトキシ基である)で表される1種類以上のシラン化合物に由来し重量平均分子量が300以上1000未満であるポリシロキサン化合物を得る工程と、(ii)該ポリシロキサン化合物とシリカ粒子とを溶媒中で反応させてポリシロキサン縮合反応物溶液を得る工程と、(iii)該ポリシロキサン縮合反応物溶液に、少なくとも1種類の沸点100℃以上200℃以下の溶媒を加えた後に、蒸留により沸点100℃以下の成分を留去する工程と、を含むポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】ポットライフが長く、焼成してシリコン酸化物としたときの硬化収縮率が小さく、更にクラック耐性に優れかつ耐電圧のばらつきが小さい絶縁膜を形成できる縮合反応物溶液の提供。
【解決手段】(I)(i)下記一般式(1):R1nSiX14-n (1){式中、nは0〜3の整数であり、R1は水素原子又は炭素数1〜10の炭化水素基であり、X1はハロゲン原子、炭素数1〜6のアルコキシ基又はアセトキシ基である。}で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物の縮合換算量40質量%以上99質量%以下と、(ii)シリカ粒子1質量%以上60質量%以下と、を少なくとも含有する縮合成分を縮合反応させて得られる縮合反応物、及び(II)溶媒を含み、該シリカ粒子中の炭素量が0.05質量%以上0.65質量%未満である、縮合反応物溶液。 (もっと読む)


【課題】ポットライフが長く、焼成してシリコン酸化物としたときの硬化収縮率が小さく、更にクラック耐性に優れかつ耐電圧のばらつきが小さい絶縁膜を形成できる縮合反応物溶液の提供。
【解決手段】(I)(i)下記一般式(1):R1nSiX14-n (1){式中、nは0〜3の整数であり、R1は水素原子又は炭素数1〜10の炭化水素基であり、X1はハロゲン原子、炭素数1〜6のアルコキシ基又はアセトキシ基である}で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物と、(ii)シリカ粒子と、を少なくとも含有する縮合成分を縮合反応させて得られる縮合反応物、及び(II)溶媒を含み、該一般式(1)で表されるシラン化合物が4官能シラン化合物及び3官能シラン化合物を少なくとも含有し、該シリカ粒子中の炭素量が0.05質量%以上0.65質量%未満である、縮合反応物溶液。 (もっと読む)


【課題】高耐熱性、高屈折率、高透過率を同時に満足するシリカ質膜と、それを製造するためのポリマーの提供。
【解決手段】スルホン化フェニル基を有するシルセスキアザンを構成単位に含むシルセスキアザンポリマー。構成単位として非置換フェニル基を有するシルセスキアザンを含んでもよい。さらに、このポリマーを含む組成物を基材に塗布し、焼成することにより、高屈折率の被膜を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】紫外線が照射されても疎水性の低下が抑えられ、誘電率の上昇が抑制された低誘電率膜を製造するための低誘電率膜の前駆体組成物、及び、低誘電率膜の製造方法を提供する。
【解決手段】低誘電率膜の前駆体組成物は、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジエトキシジシラン、ジメトキシジシラン、トリエトキシシラン、トリメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン及びジメチルメトキシシランから選択される一種以上の化合物と、式:(RO)−Si−X−Si−(RO)(ROはアルコキシ基、Xは有機架橋基であってメチレン基、エチレン基、ビニレン基、1,4−フェニレン基から選択される)で表される化合物、式:Si(OR)(Rは一価の有機基)で表される化合物、環状シロキサン、二重環状シロキサン及びゼオライト微結晶から選択される一種以上の物質と、熱分解性化合物と、アルコキシシラン加水分解触媒と、を含有する。 (もっと読む)


【課題】耐熱性に優れ、長時間安定に駆動できる耐久性が高く、消費電力の上昇が少ない発光素子を提供する。
【解決手段】上記発光素子は、無機材料であるシロキサン結合によって結合した骨格中のシリコンに有機基が結合している材料103を有し、当該有機基と電子の授受を行うことが可能な遷移金属の酸化物104等を有する。有機基102は正孔輸送性を有し、例えばアリールアミン骨格又はピロール骨格を有する。 (もっと読む)


【課題】基板表面上のナノメートルレベルの開口幅を有し、アスペクト比が大きいトレンチ(溝)への埋め込み性に優れ、ボイドなどの欠陥の発生が抑制され、電気的絶縁性に優れたアイソレーション構造を製造するのに好適なトレンチ埋め込み用組成物、および該組成物を用いたトレンチ・アイソレーション構造の製造方法の提供。
【解決手段】アルキルトリアルコキシシランを50モル%以上含むアルコキシシラン原料を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を含有し、該加水分解縮合物の重量平均分子量が1000〜50000であり、該加水分解縮合物の含有量が組成物全量に対して14質量%超30質量%以下であるトレンチ埋め込み用組成物の塗膜14により、基板10表面上に形成されたトレンチ12を埋め込む。 (もっと読む)


高温オゾン処理を含むナノ細孔の超低誘電薄膜の製造方法及びこれによって製造されたナノ細孔の超低誘電薄膜が提供され、前記製造方法は、有機シリケートマトリックス−含有溶液と反応性ポロゲン−含有溶液とを混合して混合溶液を準備し、前記混合溶液を基材上に塗布して薄膜を形成し、前記薄膜を熱処理し、前記熱処理の過程中にオゾン処理を行うことを含み、このような製造方法によって製造されたナノ細孔の超低誘電薄膜は、高温のオゾン処理及び処理温度の最適化による薄膜内の細孔のサイズと分布度の改善を通じて、2.3以下の誘電率と10GPa以上の機械的強度とを有することができる。
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【課題】半導体基板への不純物拡散成分の拡散の際に拡散保護のために形成するマスクに好適に採用可能なマスク材組成物、当該マスク材組成物を用いた不純物拡散層の形成方法、および太陽電池を提供する。
【解決手段】マスク材組成物は、半導体基板への不純物拡散成分の拡散保護に用いられるマスク材組成物であって、下記式(a1)で表される構成単位を含むシロキサン樹脂(A1)を含有する。
【化1】


式(a1)中、Rは、単結合または炭素数1〜5のアルキレン基であり、Rは、炭素数6〜20のアリール基である。 (もっと読む)


ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、式(I)のポリシラン単位、及び式(II)のポリシラザン単位を含有し、式中、R及びRはそれぞれ独立してH、Si、及びN原子から選択され、RはH、Si、又はC原子から選択され、a≧1であり、b≧1であり、(a+b)≧2である。ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、溶媒を含む組成物に製剤することができる。ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、PMD及びSTI用途において100nm以下の幅及び少なくとも6のアスペクト比を有する溝を充填するために用いることができる。ポリシラン−ポリシラザン共重合体は、1分子当たり2個以上のケイ素原子を有するペルクロロポリシランの第1級アミンでのアミノ化により調製することができる。

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【課題】
低屈折率である組成物を供給すると伴に、常温・常圧にて低屈折率膜を形成でき、充分な機械強度を有する低屈折率膜及び反射防止膜を提供する。
【解決手段】
ボラジン系ポリマー又はボラジン珪素系ポリマーを母材とし、粒子径が50nm以下のフッ化マグネシウムが1乃至90重量%含まれる事により上記課題を解決した低屈折率組成物が提供可能となる。また、常温・常圧にて低屈折率膜が形成可能であり、透明基板上に形成する事で充分な機械強度を有する反射防止膜が提供可能となる。 (もっと読む)


【課題】基板に形成された開口幅が狭く高アスペクトなトレンチ内に埋め込むために特に好適な縮合反応物溶液であって、ポットライフが長く、トレンチ埋め込み用として使用した場合のトレンチ内への埋め込み性が良好で、焼成して酸化シリコンとしたときの硬化収縮率が小さく、クラック耐性及びHF耐性に優れる縮合反応物溶液を提供する。
【解決手段】(I)(i)下記一般式(1):R1nSiX14-n (1)で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物の縮合換算量40質量%以上99質量%以下と、(ii)シリカ粒子1質量%以上60質量%以下とを少なくとも含有する縮合成分を縮合反応させて得られる縮合反応物、及び(II)溶媒を含み、該一般式(1)で表されるシラン化合物が、4官能シラン化合物及び3官能シラン化合物を少なくとも含有する2種類以上のシラン化合物である、縮合反応物溶液を提供する。 (もっと読む)


【課題】有機−無機変換ルートにより作製される炭化ケイ素の高性能化ならびに高度利用をはかるために、新しい前駆体有機ポリマーとして、ポリ[(シリリン)エチニレン]ならびにポリ[(シリレン)エチニレン]を合成した。
【解決手段】
ポリ[(シリリン)エチニレン]あるいは/ならびにポリ[(シリレン)エチニレン]を焼成する過程において、ヒドロシリル化反応により高度なクロス・リンク型ネットワーク構造が生起するために、熱分解による物質損失が大幅に抑止され、欠陥の少ない高品質の炭化ケイ素の粉末、成形品、繊維、薄膜、複合材料マトリックスが作製できる。 (もっと読む)


有機ケイ酸塩材料、及び、有機ケイ酸塩フィルムなどの有機ケイ酸塩材料の調製方法が提供される。この有機ケイ酸塩材料は、疎水性、非晶質及び実質的に微多孔性である。これらの材料は、有機官能性加水分解性シラン前駆体から調製され、並びに、ポロゲンを使用せずに調製される。これらの材料は、広範囲の用途に、例えば、検知用途のための検出層として、好適である。 (もっと読む)


【課題】光学的及び電気的特性に優れた耐熱性絶縁膜を形成することのできる感光性組成物及びこの感光性組成物に用いられるアルカリ可溶性シルセスキオキサン並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】(A)間移動触媒を含有する有機溶媒層と水性溶媒層との二層状態を作り、前記有機溶媒層に一般式(1):RSiX3(式中、Rは、C1〜C5の脂肪族炭化水素基、シクロヘキシル基、C2〜C5のアルケニル基、又はアリール基を表し、Xは塩素、臭素又は沃素を表す。)で表されるトリハロシランを滴下し、有機溶媒層及び界面にて制御された反応を行うことによりポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)が2000以下のシルセスキオキサンを製造し、(B)得られたシルセスキオキサンをアシル化剤を用い、例えばフリーデル−クラフツ反応によりアシル化することによりアシル化されたシルセスキオキサンを製造する。得られたシルセスキオキサンとキノンジアジド感光剤、あるいは光酸又は塩基発生剤とにより感光性組成物を製造し、これを基体上に塗布し、露光後現像し、硬化することにより、耐熱性絶縁パターン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、貯蔵安定性に優れ、低比誘電率であり、かつ、機械的強度に優れた絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、シリカ系膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を加水分解縮合して得られたポリマーと、有機溶媒と、を含み、前記ポリマーはシラノール基を含み、前記シラノール基に含まれる水酸基の数が、前記ポリマー中のケイ素原子の数に対して70〜130%である。
Si(OR ・・・・・(1)
(式中、Rは1価の有機基を示す。)
(RO)3−aSi−(R−Si(OR3−b ・・・(2)
(式中、R〜Rは同一または異なり、それぞれ1価の有機基を示し、aおよびbは同一または異なり、0〜1の数を示し、Rは酸素原子、フェニレン基または−(CH−で表される基(ここで、mは1〜6の整数である。)を表し、cは0または1を示す。) (もっと読む)


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