【課題】本発明は、表示素子用硬化膜の一般的特性である放射線感度等を十分満足する表示素子用硬化膜を形成することができ、かつ表示素子用硬化膜形成の際の加熱工程において、人体に有害なベンゼン等のアウトガスの発生を低減することができるポジ型感放射線性組成物、このポジ型感放射線性組成物から形成された表示素子用硬化膜、この表示素子用硬化膜の形成方法及び表示素子を提供することを目的とする。
【解決手段】［Ａ］シロキサンポリマー、及び［Ｂ］キノンジアジド化合物を含有するポジ型感放射線性組成物であって、［Ａ］シロキサンポリマーが、下記式（１）で表される化合物及び下記式（２）で表される化合物を含む加水分解性シラン化合物の加水分解縮合物であり、かつ［Ａ］シロキサンポリマーにおける下記式（２）で表される化合物に由来する構造単位の含有率が、５モル％以上６０モル％以下であることを特徴とするポジ型感放射線性組成物。

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【課題】高光反射率及び低光透過率といった優れた光特性を有する硬化物を与える白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び該組成物の硬化物をリフレクターとして用いた光半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）ヒドロキシ基を含有するポリスチレン換算の重量平均分子量が５００〜２００００のレジン状オルガノポリシロキサン、（Ｂ）直鎖状構造のジオルガノポリシロキサン残基を有し、ヒドロキシ基を含有するオルガノポリシロキサン、（Ｃ）白色顔料、（Ｄ）（Ｃ）成分以外の無機充填剤、（Ｅ）蛍光増白剤、及び（Ｆ）硬化触媒、を含む白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物；光半導体素子と上記組成物の硬化物を含むリフレクターとを備える光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ウエハを一括してモールド（ウエハモールド）することができ、特に、大口径、薄膜ウエハに対して良好なモールド性を有し、同時に、モールド後において低反り性及び良好なウエハ保護性能を与え、更に、モールド工程を良好に行うことができ、ウエハレベルパッケージに好適に用いることができる樹脂組成物及び樹脂フィルムを提供する。
【解決手段】下記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分を含有する樹脂組成物。（Ａ）-Ｓｉ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−Ｓｉ-Ｘ−で表される繰返し単位を含有し、テトラヒドロフランを溶出溶媒としてＧＰＣで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が３，０００〜５００，０００であるシリコーン樹脂。［ここでＸは２価の基である]（Ｂ）熱硬化性樹脂、（Ｃ）フィラー。
【効果】樹脂組成物は、フィルム状に加工することが可能であるため、大口径、薄膜ウエハに対して良好なモールド性能を有するものとなる。 （もっと読む）

【課題】所定の温度条件下で所定の周波数帯の振動を検出してひび割れを検出する温度ひび割れセンサを提供する。
【解決手段】所定の温度条件下で所定の周波数帯の振動を検出してひび割れを検出する温度ひび割れセンサ１であって、コイル状に巻かれ所定の接着剤７で固められた光ファイバ４と、ひび割れが発生したときに生じる振動が印加される振動印加部２と、光ファイバ４への入射光Ｌ１と出射光Ｌ２との間の周波数変化に基づいて振動を検出する振動検出部３とを備える。所定の温度条件は−１６２℃以上０℃以下、所定の周波数帯は１０ｋＨｚ以上１０００ｋＨｚ以下、所定の接着剤は水酸基含有エポキシ樹脂（Ａ）、１分子中に１つの水酸基を持つエポキシ化合物（Ｂ）およびアルコキシシラン部分縮合物（Ｃ）を脱アルコール縮合反応させて得られるアルコキシ基含有シラン変性エポキシ樹脂（１）を含有する。 （もっと読む）

【課題】屈折率が低く、かつ透明性が高く、更には、耐熱性にも優れ、また、高耐熱性、可視光領域での透明性、低誘電率及び可撓性に優れる硬化物を形成でき、更には物理的、化学的安定性にも優れる含フッ素ポリマー、硬化性樹脂組成物、及び、硬化物を提供する。
【解決手段】本発明は、下記式（Ｌ）：
［化１］


（式中、Ｘ^１及びＸ^２は、同一又は異なり、Ｈ又はＦである。Ｘ^３は、Ｈ、Ｆ、ＣＨ_３又はＣＦ_３である。Ｘ^４及びＸ^５は、夫々同一又は異なり、Ｈ、Ｆ又はＣＦ_３である。Ｒｆは、炭素数４〜４０の含フッ素炭化水素基、又は、炭素数５〜１００のエーテル結合を有する含フッ素炭化水素基である。ａは０〜３の整数である。ｂ及びｃは同一又は異なり、０又は１である。）で表される構造単位を有する含フッ素ポリマーである。 （もっと読む）

【課題】 成形加工性、透明性、耐熱性、耐光性、耐青色レーザー性に優れた光素子封止剤を提供することができる。
【解決手段】オルガノポリシロキサン系組成物の硬化物を周波数１０Ｈｚで測定した損失正接の極大値が−１０℃〜５０℃の温度範囲に少なくとも１つあり、貯蔵弾性率の値が１２０℃において１０ＭＰａ以下であり、該組成物が（Ａ）および（Ｂ）からなるオルガノポリシロキサン系組成物であることを特徴とする光素子封止剤。
（Ａ）アルケニル基を有する多面体構造ポリシロキサン系化合物（ａ）と、ヒドロシリル基を有する化合物（ｂ）をヒドロシリル化反応して得られる多面体構造ポリシロキサン変性体に、更に１分子中にアルケニル基を１個有する有機ケイ素化合物（ａ’）をヒドロシリル化反応して得られることを特徴とする多面体構造ポリシロキサン変性体、
（Ｂ）１分子中にアルケニル基を２個以上有するオルガノポリシロキサン。 （もっと読む）

【課題】高温焼成で形成される膜厚の厚いシリカ系樹脂膜におけるクラック耐性の向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】５００℃以上の高温焼成で形成される厚さ２．０μｍ以上のシリカ系樹脂膜用の組成物の製造方法であって、下記一般式（１）で表される第１アルコキシシランの加水分解反応、および、当該加水分解反応で生成される第１アルコキシシランの加水分解生成物の脱水縮合反応を進行させる第１工程と、第１アルコキシシランの加水分解生成物が残存する第１工程の反応系に下記一般式（２）で表される第２アルコキシシランを混合し、第２アルコキシシランの加水分解反応、および、当該加水分解反応で生成された第２アルコキシシランの加水分解生成物と第１工程の脱水縮合反応生成物と残存する第１アルコキシシランの加水分解生成物との脱水縮合反応を進行させる第２工程と、を含む。（Ｒ^１）_２Ｓｉ（ＯＲ^２）_２（１）Ｓｉ（ＯＲ^３）_４（２） （もっと読む）

【課題】水蒸気等の酸化剤中における焼成工程での収縮が小さく、シリカ膜の亀裂や半導体基板との剥離が発生しにくい無機ポリシラザン及び無機ポリシラザンを含有するシリカ膜形成用塗布液を提供すること。
【解決手段】¹Ｈ―ＮＭＲスペクトルにおいて、４．７５ｐｐｍ以上で５．４ｐｐｍ未満の範囲のピーク面積をＡとし、４．５ｐｐｍ以上で４．７５ｐｐｍ未満の範囲のピーク面積をＢとし、４．２ｐｐｍ以上で４．５ｐｐｍ未満の範囲のピーク面積をＣとしたとき、Ａ／（Ｂ＋Ｃ）の値が０．９〜１．５であり、（Ａ＋Ｂ）／Ｃの値が４．２〜５０であり、ポリスチレン換算値による質量平均分子量が２０００〜２００００である無機ポリシラザンをシリカ膜形成用塗布液に含有させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及び電子部品のための樹脂材料として好適に使用することができる新規な重合体を提供する。
【解決手段】３つの特定の構造で表される繰返し単位を含有し、テトラヒドロフランを溶出溶媒としてＧＰＣで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が３,０００から５００,０００である重合体、及びその製造方法を提供する。３つの構造は、それぞれケイ素原子とベンゼン環を含み第１の構造は、脂肪族または脂環族連結、ジフェノール構造を含有する二価の有機基がケイ素原子と結合しており、第２の構造はイソシアヌル環を含有する二価の有機基がケイ素原子と結合しており、第３構造は、シロキサン構造を含有する二価の有機基がケイ素原子と結合している。 （もっと読む）

【課題】保護膜や層間絶縁膜に対する要求特性を高水準でバランスよく両立させた硬化膜を形成可能であり、かつ無機アルカリ現像液でも現像可能な感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】［Ａ¹］テトラエトキシシラン又はその部分加水分解物と、下記式（１）で表される加水分解性シラン化合物又はその部分加水分解物と、下記式（２）で表される加水分解性シラン化合物又はその部分加水分解物とを加水分解縮合させて得られるポリシロキサン［Ｂ］エチレン性不飽和基を２個以上有する化合物（但し、成分［Ａ¹］を除く）［Ｃ］光ラジカル重合開始剤を含有する感放射線性組成物。


〔式中、Ｒ¹及びＲ³は炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｒ²は炭素数１〜２０のアルキル基等を示し、ｍは１〜３の整数を示し、ｎは０〜６の整数を示し、ｘは１〜３の整数を示し、ｙは１〜６の整数を示し、ｚは０〜３の整数を示す。〕 （もっと読む）

【課題】原料である環状シロキサンの環の径を大きくすることなく、かつ空孔形成剤を用いることなく、大きな空孔を形成する多孔質層間絶縁膜を提供する。
【解決手段】トランジスタが形成されたシリコン基板１０上にＳｉＯ_２を主成分とする層間絶縁膜２が設けられ、さらに層間絶縁膜２の上には、多孔質層間絶縁膜１が設けられている。多孔質層間絶縁膜１には配線９０およびビア９１が埋め込まれている。
なお、この多孔質層間絶縁膜１は、環状シロキサンと、少なくとも１つの酸素原子を含む有機化合物と、を含む混合原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜している。これにより、大きな空孔径のかご型構造を有する層間絶縁膜が得られるようになる。すなわち、環状シロキサンの環の径を大きくすることなく、より大きな空孔を形成することが可能となる。大きな空孔の形成が膜密度低減に貢献し、その結果、多孔質絶縁膜の比誘電率低減が実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】屈折率の高い低アッベ数の光学材料に適した硬化性組成物並びに硬化物を提供することである。
【解決手段】 （Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、（Ｄ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素三重結合を１分子中に少なくとも１個有する芳香族化合物を必須成分とする硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、十分な感度を有するポジ型感放射線性樹脂組成物、並びにこのポジ型感放射線性樹脂組成物を用い、優れた耐メルトフロー性、耐熱性及び耐溶媒性を有し、電圧保持率に優れる層間絶縁膜及びその形成方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、［Ａ１］ケイ素原子に炭素原子で結合する有機基のうち、エポキシ基を有する有機基の含有割合が、０モル％以上５０モル％未満であるポリオルガノシロキサン、及び［Ａ２］上記含有割合が、５０モル％以上１００モル％以下であるポリオルガノシロキサンを含有するポジ型感放射線性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】低ガス透過性を示す光半導体封止用のシリコーン樹脂組成物、及び信頼性の高い光半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコーン樹脂組成物は以下の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する。（Ａ）下記一般式（１）で示され、かつ１分子中に少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン


（式中、Ｒ^１はシクロアルキル基であり、Ｒ^２は同一又は異なる置換もしくは非置換の炭素数１〜１０の一価炭化水素基であり、ｘ＝０．５〜０．９、ｙ＝０．１〜０．５、ｚ＝０〜０．２の数であり、但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０である）（Ｂ）１分子中にＳｉＨ基を２個以上有するハイドロジェンオルガノポリシロキサン（Ｃ）付加反応用触媒（Ｄ）接着付与剤 （もっと読む）

【課題】低い誘電率及び改良された機械的性質、熱的安定性及び化学的耐性を有する多孔質有機シリカガラス膜を提供する。
【解決手段】式Ｓｉ_ｖＯ_ｗＣ_ｘＨ_ｙＦ_ｚ（ここで、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、及びｚは０〜１５原子％）で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造する。オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。その予備的な膜は細孔を持ち、誘電率が２．６未満である多孔質膜を得るために、実質的にすべてのポロゲンを除去される。 （もっと読む）

【課題】 ディスペンサー塗布で、耐熱性、電気絶縁性、低反り性を有し、且つ比較的厚いポリイミド膜（１００μｍ以上）を形成できる、熱硬化性組成物が求められてきた。
【解決手段】 酸無水物基を２つ以上有する化合物（ａ１）とモノアミン（ａ２）とを用いて得られるシリコン化合物（Ａ）、および、酸無水物基を１つ有する化合物（ａ１’）とジアミン（ａ２’）とを用いて得られるシリコン化合物（Ａ’）から選ばれる少なくとも１種を含む熱硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に形成されたトレンチの埋め込み用途に好適なポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法の提供。
【解決手段】（ｉ）式：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n｛式中、ｎは０〜３の整数、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である｝で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物を得る工程と、（ｉｉ）該ポリシロキサン化合物とシリカ粒子とを溶媒中５０℃以上ｐＨ３〜７で反応させてポリシロキサン縮合反応物溶液を得る工程と、（ｉｉｉ）該ポリシロキサン縮合反応物溶液にアルコール、ケトン、エステル、エーテル、アミド及び炭化水素系溶媒から選ばれる少なくとも１種類の沸点１００℃以上２００℃以下の溶媒を加えた後に、蒸留により沸点１００℃以下の成分を留去する工程と、を含むポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に形成されたトレンチの埋め込み用途に好適なポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法の提供。
【解決手段】（ｉ）一般式：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）（式中、ｎは０〜３の整数であり、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である）で表される１種類以上のシラン化合物に由来し重量平均分子量が３００以上１０００未満であるポリシロキサン化合物を得る工程と、（ｉｉ）該ポリシロキサン化合物とシリカ粒子とを溶媒中で反応させてポリシロキサン縮合反応物溶液を得る工程と、（ｉｉｉ）該ポリシロキサン縮合反応物溶液に、少なくとも１種類の沸点１００℃以上２００℃以下の溶媒を加えた後に、蒸留により沸点１００℃以下の成分を留去する工程と、を含むポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ポットライフが長く、焼成してシリコン酸化物としたときの硬化収縮率が小さく、更にクラック耐性に優れかつ耐電圧のばらつきが小さい絶縁膜を形成できる縮合反応物溶液の提供。
【解決手段】（Ｉ）（ｉ）下記一般式（１）：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）｛式中、ｎは０〜３の整数であり、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である｝で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物と、（ｉｉ）シリカ粒子と、を少なくとも含有する縮合成分を縮合反応させて得られる縮合反応物、及び（ＩＩ）溶媒を含み、該一般式（１）で表されるシラン化合物が４官能シラン化合物及び３官能シラン化合物を少なくとも含有し、該シリカ粒子中の炭素量が０．０５質量％以上０．６５質量％未満である、縮合反応物溶液。 （もっと読む）

【課題】ポットライフが長く、焼成してシリコン酸化物としたときの硬化収縮率が小さく、更にクラック耐性に優れかつ耐電圧のばらつきが小さい絶縁膜を形成できる縮合反応物溶液の提供。
【解決手段】（Ｉ）（ｉ）下記一般式（１）：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）｛式中、ｎは０〜３の整数であり、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である。｝で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物の縮合換算量４０質量％以上９９質量％以下と、（ｉｉ）シリカ粒子１質量％以上６０質量％以下と、を少なくとも含有する縮合成分を縮合反応させて得られる縮合反応物、及び（ＩＩ）溶媒を含み、該シリカ粒子中の炭素量が０．０５質量％以上０．６５質量％未満である、縮合反応物溶液。 （もっと読む）