【課題】軽金属元素・重金属元素・レアアースの高純度元素の製造方法として、電解水溶液の使用ｐＨ対応とすることにより、平均粒径の変化を簡易に高純度元素の状態を保持できる。
【解決手段】軽金属元素・重金属元素・レアアースの沈殿物を電解水溶液洗浄方法により、高純度元素製造を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 対象となる金属を効率的に回収するとともに、材料密度が高い状態で対象金属を回収可能とする。
【解決手段】 液体中にプラズマを発生させる工程と、レアメタル又は貴金属を含む材料を液体に投入する工程と、材料がプラズマの照射を受けて分解し、粒子化して、液体中に沈殿する工程と、沈殿したレアメタル又は貴金属のナノ粒子を回収する工程とを有した。 （もっと読む）

【課題】
使用済み部材に含まれるレアメタルを、再利用可能に保管する。
【解決手段】
溶融状態の第１のガラス素材を第１の容器中に保持し、レアメタルを含有する使用済み部材を第１の容器中の溶融状態の第１のガラス素材表面部に配置し、冷却材で溶融状態の第１のガラス素材を急冷・固化して、使用済み部材と結合した半パッケージとし、溶融状態の第２のガラス素材を第２の容器中に保持し、半パッケージを使用済み部材を下方にして、第２の容器中の溶融状態の第２のガラス素材表面部に配置し、半パッケージの第１のガラス素材と溶融状態の第２のガラス素材とを接しさせ、冷却材で溶融状態の第２のガラス素材を急冷・固化して、前記使用済み部材を気密に内包するパッケージとする。 （もっと読む）

【課題】希少金属や有害金属などの金属を効率よく吸着して回収する金属吸着材及び該金属吸着材の製造方法並びに該金属吸着材を用いた金属の吸着方法を提供すること。
【解決手段】ポリアリルアミンをイソチオシアナートと反応させて得られるポリアリルアミン誘導体を用いて希少金属や有害金属などの金属を吸着して回収する。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＩＭ法を用いて、健全な長尺の鋳塊を安定して製造することができる長尺鋳塊の溶解製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】溶湯４を芯金用鋳型９に注湯して軸状の芯金鋳塊１を作製する第一工程と、溶湯４を棒状原料鋳型１０内に立設した芯金鋳塊１の周囲に複数回に分けて注湯することで棒状原料２を作製する第二工程と、るつぼ底６が上下方向に移動自在に形成された水冷銅製るつぼ５内に棒状原料２を装入して誘導加熱で溶解し下方に引き抜くことで、その引抜方向の長さが直径に対して１．５倍以上の長尺鋳塊３を製造する第三工程とよりなる。 （もっと読む）

【課題】希少金属や有害金属などの金属を効率よく吸着して回収する方法を提供すること。
【解決手段】ポリアリルアミンを二硫化炭素で架橋させて得られるチオウレア骨格を有するハイドロゲルを用いて希少金属や有害金属などの金属を吸着して回収する。 （もっと読む）

【課題】溶解炉内でアークを発生させて溶解用電極を溶解し、凝固させて高融点金属の金属鋳塊を得るに際し、溶解中の溶解炉内を目視観察できない場合でも、炉内の溶解状態を的確、かつ確実に把握し、必要に応じて溶解炉の動作を制御することができるようにした、消耗電極式真空アーク溶解方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】溶解炉１内でアークＢを発生させて溶解用電極Ａを溶解し、凝固させて高融点金属の金属鋳塊Ｄを得る消耗電極式真空アーク溶解装置において、溶解炉１内部の熱画像を取得する赤外線カメラ１１と、赤外線カメラ１１で取得した熱画像を取り込み、前記熱画像から炉内温度情報を得る画像処理装置１２と、赤外線カメラ１１で取得した熱画像又は前記画像処理装置１２で得た炉内温度情報に基づいて炉内の溶解状態を判断し、該溶解状態に基づいて前記溶解炉１の動作を制御する制御装置１４とを備える。 （もっと読む）

固体金属化合物等の固体原料の還元のための方法において、電解装置の中で、原料の一部分が、２つ以上の電解槽（５０、６０、７０、８０）のそれぞれの中に配置される。溶融塩は、各槽の中に電解質として提供される。溶融塩は、塩が槽のそれぞれを通って流動するように、溶融塩容器（１０）から循環させられる。原料は、各槽の中の電極にわたって電位を印加することによって、各槽の中で還元され、その電位は、原料の還元を引き起こすのに十分である。また、本発明は、本方法を実装するための装置も提供する。 （もっと読む）

【課題】効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜を提供する。
【解決手段】ジルコニウムとガス成分を除き純度４Ｎ以上であって、酸素含有量が４０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度ハフニウム、同高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜、ジルコニウムとガス成分を除き純度４Ｎ以上であって、硫黄、リンの含有量がそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度ハフニウム、同高純度ハフニウムからなるターゲット及び薄膜。ジルコニウムを低減させたハフニウムスポンジを原料として使用し、さらにハフニウム中に含まれる酸素、硫黄、リンの含有量を低減させた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ハフニウム中に含まれるジルコニウムの含有量を低減させた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法に関し、効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜を提供する。
【解決手段】ジルコニウム含有量が１〜１０００ｗｔｐｐｍ、酸素５００ｗｔｐｐｍ以下、窒素及び炭素がそれぞれ１００ｗｔｐｐｍ以下、鉄、クロム、ニッケルがそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であり、かつ純度が炭素、酸素、窒素等のガス成分を除き４Ｎ〜６Ｎであることを特徴とする高純度ハフニウム。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＩＭ法を用いて、健全な長尺の鋳塊を安定して製造することができる長尺鋳塊の溶解製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】溶解原料を、第１の水冷銅製るつぼ内に装入し、溶解して溶湯プールを形成させた後、溶湯プールの下部を高周波コイルによる誘導加熱領域外に引き抜いて凝固させた状態で、るつぼ底の下方への移動を停止し、更に溶解原料を第１の水冷銅製るつぼ内へ装入して溶解させた後、次の引き抜きを行って溶湯プールを凝固させるという工程を複数回繰り返す１番目の溶製操作と、１番目の溶製操作で得られた長尺の鋳塊を上下反転した状態で、第１の水冷銅製るつぼより内径が大きい第２の水冷銅製るつぼ内に装入し、溶解後に凝固させる２番目の溶製操作を実施する。 （もっと読む）

【課題】真空アーク溶解炉を用いた金属の溶解方法において、生産速度を落とすことなく、合金成分の偏析の少ない合金インゴットを溶解する方法およびそのための装置を提供する。
【解決手段】消耗電極と鋳型との間にアークを発生させ、消耗電極を溶解して鋳型内にインゴットを形成する金属の真空アーク溶解方法であって、鋳型内に溶製されたインゴットと鋳型との間の空間にヘリウムガスを流しつつ溶解操業を行う。 （もっと読む）

【課題】複数の金属製造用還元炉を冷却する際に発生する廃熱のうち、高温にある廃熱を効率よく回収する方法の提供を目的としている。
【解決手段】金属塩化物を還元して金属を製造する複数の還元炉で発生する廃熱の回収方法であって、上記複数の還元炉から発生する廃熱を統合して再利用することを特徴とする金属製造用還元炉の廃熱回収方法。本発明では、還元炉の運転工程が、昇温工程、定常運転工程および冷却工程からなるバッチ方式で運転されており、定常運転工程または冷却工程にある還元炉のうち、廃熱回収下限温度以上の廃熱のみを統合して利用する。 （もっと読む）

【課題】工程数が少なく、二次廃棄物の発生量が少ない方法で、ハフニウムを含むジルコニウム化合物から金属ジルコニウムを得る製造方法を提供する。
【解決手段】金属ジルコニウムの製造方法は、ジルコニウム酸塩化物およびハフニウム酸塩化物を含む第１の物質からハフニウム酸塩化物を分離することにより、ジルコニウム酸塩化物の含有率が高くなった第２の物質を得る分離工程と、前記第２の物質を仮焼して、ジルコニウム酸塩化物およびジルコニウム酸化物の少なくともいずれかを含む第３の物質を得る仮焼工程と、前記第３の物質を陰極５７に接触させた状態で溶融塩１３中に保持し、陽極５６との間に電圧を印加して直接還元することにより金属ジルコニウムを得る直接還元工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本願発明は、電子ビームを用いた高融点金属インゴットの製造方法であって、特に、鋳肌の優れた金属インゴットを効果的に溶製することができる溶解方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム溶解炉を構成する鋳型内に溶湯を供給して鋳型プールを形成しつつ、鋳型プールの底部近傍の冷却固化したインゴットを回転させながら引き抜く高融点金属インゴットの製造方法であって、インゴットの１回転当たりの引き抜き距離が、鋳型プールの深さよりも小さいことを特徴とする。また、鋳型プールのうち、鋳型に隣接した鋳型プールの周縁部に沿って電子ビームを照射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属インゴット中のＨＤＩおよびＬＤＩ等の不純物が極めて低いレベルに抑制された優れた品質のインゴットを製造する。
【解決手段】原料供給手段と、電子ビーム照射手段と、供給された金属原料を溶解保持するハースと、溶湯を冷却してインゴットを得る鋳型を備えた金属の溶解装置およびこの装置を用いる金属の溶解方法であって、ハース内の上流から下流に向けて形成されている溶湯の水平方向の溶湯流れに対して鉛直方向の上昇流を形成させた後、下降流を形成させる。 （もっと読む）

【課題】高融点金属の製造用の反応容器からの不純物金属による高融点金属の汚染を効果的に抑制することができる反応容器、およびその容器を用いた高融点金属の製造方法を提供する。
【解決手段】高融点金属の塩化物を還元して高融点金属を製造する反応容器において、反応容器の内壁表面に、製造される高融点金属と同じ金属と、反応容器を構成する金属との合金層を形成した高融点金属製造用反応容器。また、この高融点金属製造用反応容器に高融点金属の塩化物を装入し、この塩化物を還元することを特徴とする高融点金属の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体の動作機能を保証するために障害となる不純物を低減させた高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を、安全かつ安価に得ることのできる高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法を提供する。
【解決手段】ジルコニウム若しくはハフニウム原料を電子ビーム溶解して高純度化した後インゴットに鋳造する工程、得られた高純度ジルコニウム若しくはハフニウムインゴット又は切粉等を水素雰囲気中で５００°Ｃ以上に加熱して水素化する工程、該インゴットを冷却し水素化ジルコニウム若しくはハフニウム粉をインゴットから剥落させて水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を得る工程、及び水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の水素を除去する工程からなることを特徴とする高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 不純物金属含有量の極めて少ない高純度活性金属を工業的に効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 金属ａ又は金属ａ化合物と、不純物金属ｂ又は不純物金属ｂ化合物とを含む原料金属をハロゲンと接触させ、金属ａの飽和ハロゲン化物と不純物金属ｂの飽和ハロゲン化物の混合飽和ハロゲン化物に変化させる第１の工程Ａと、ハロゲンとの親和力において金属ａとハロゲンとの親和力と同じかまたは弱くかつ不純物金属ｂとハロゲンとの親和力より大きい金属ｃ材料と、混合飽和ハロゲン化物とを接触させ、不純物金属ｂの飽和ハロゲン化物を不純物金属ｂの不飽和ハロゲン化物に変化させる第１の工程Ｂと、金属ａの飽和ハロゲン化物と不純物金属ｂの不飽和ハロゲン化物の混合物から不純物金属ｂの不飽和ハロゲン化物を除去する第２の工程と、金属ａの飽和ハロゲン化物を還元して精製金属とする第３の工程とを有する高純度金属の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化チタンを用いて自動車等の排気ガスや排気粒子物質又は電気・電子機器廃棄物の分解処理法を提供することを課題とする。さらには、該処理方法による排気物質中の微量物質又は電気・電子機器廃棄物の希少金属の回収方法を提供することを課題とする。
【解決手段】少なくとも粒子状物質（ＰＭ）を含む排気物質又は希少金属含む電気・電子機器廃棄物を、３００〜６００℃の範囲で加熱した酸化チタンと接触させて処理することを特徴とする処理方法による。また、排気物質又は電気・電子機器廃棄物を酸化チタンに接触させることで、排気物質中の微量物質又は電気・電子機器廃棄物中の希少金属を酸化チタンに吸着させて、回収することができる。 （もっと読む）