【課題】使用済みのクリームハンダからハンダを分離することができるハンダ材分離装置を提供する。
【解決手段】ハンダ材を槽内で溶融し、そして徐冷により分離されたフラックスと固化ハンダとを槽外に取り出すことができるハンダ材分離装置であって、
ハンダとフラックスを含有するハンダ材が投入される分離槽と、
該分離槽を回動または傾動可能に支持する支持機構と、
前記分離槽を回動または傾動させ、そしてその上向き姿勢から所定の回動または傾動角度にて停止させる駆動制御機構と、
前記分離槽を加熱し、該槽内のハンダ材を溶融することができる加熱手段と、
前記分離槽内の温度をハンダの融点より低い高温に維持することができる温度制御機構とを備えてなる、ハンダ材分離装置。 （もっと読む）

【課題】金属および金属酸化物を含有するターゲットから、工程数を少なくかつ不純物の混入を少なく金属を回収する金属回収方法、および工程数が少なくかつ再生利用の効率の高い、ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】金属および金属酸化物を含有するターゲット１から該金属を回収する金属回収方法であって、ターゲット１を、前記金属酸化物は溶融も分解もさせず、かつ、前記金属を溶融させるように加熱して、該金属を該金属酸化物から分離する金属回収方法であり、ターゲット１を、該ターゲット１に含まれる前記金属酸化物の焼結体が通過しない大きさに設定された貫通孔１２Ｂが底面にある上段ルツボ１２および該貫通孔１２Ｂの下に設けられた下段ルツボ１４を備えてなる２段ルツボ１０の該上段ルツボ１２内で加熱し、溶融した前記金属を該下段ルツボ１４内に流れ込ませて前記金属酸化物から分離する。 （もっと読む）

【課題】旋回流抑止部材の溶湯中への設置により、不純物の除去を効率的に行うものでありながら、精製中に生じる気泡や酸化物が溶湯の表面近傍へ残留して溶湯表面が凝固するのを防止することができる金属精製法及び装置等を提供する。
【解決手段】容器１に収容された精製すべき溶湯２中に冷却体３を浸漬し、この冷却体３を前記容器に対して相対的に回転させながら冷却体表面に高純度金属を晶出させる金属の精製方法において、冷却体３の回転によって引き起こされる溶湯２の旋回流を抑止するように、旋回流抑止部材６１、６２を溶湯中に配置して精製を行い、精製途中で前記旋回流抑止部材の旋回流に対する抑止力を低下させる。 （もっと読む）

【課題】活性の経時的な低下を抑制したパラジウム触媒や水素透過性の経時的な低下を抑制したパラジウム膜などを製造することが可能な高純度パラジウムを提供すること。
【解決手段】パラジウムの内部に含まれる硫黄原子を表面に移動させる工程と、前記パラジウム表面の前記硫黄原子を除去する工程とを、交互に繰り返し含むことを特徴とする高純度パラジウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、素子を構成する材料の高純度化と均質性によって回路の微小化を可能とするための、高純度バナジウム、高純度バナジウムからなるターゲット、高純度バナジウム薄膜、及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】α放射を生ずるＵの同位体元素とＴｈの同位体元素の不純物含有量が、それぞれ１ｗｔｐｐｂ未満であり、さらにＰｂ及びＢｉの同位体元素の不純物含有量を、それぞれ１ｐｐｍ未満、０．１ｐｐｍ未満とし、バナジウムの純度が９９．９９ｗｔ％以上とする。粗バナジウム原料を、溶融塩電解してカソード側に電析バナジウムを得、次にこれを電子ビーム溶解し、得られたインゴットを鍛造・圧延してスパッタリング用ターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】高密度化及び高容量化が必要な半導体装置で使用されるはんだ材料に対し、α線の少ない高純度錫または錫合金若しくは高純度錫の製造方法の提供。
【解決手段】U、Thのそれぞれの含有量が5ppb以下、Pb、Biのそれぞれの含有量が1ppm以下であり、純度が5N以上（但し、O、C、N、H、S、Pのガス成分を除く）であり、鋳造組織を持つ高純度錫のα線カウント数が0.001cph/cm²以下に低減させた高純度錫又は錫合金である。原料となる錫を酸で浸出させた後、この浸出液を電解液とし、該電解液に不純物の吸着材を懸濁させ、原料Snアノードを用いて電解精製を行う、錫合金及び高純度錫の製造方法。 （もっと読む）

【課題】カスの回収を簡単に行えるアルミニウム溶湯処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の装置は、アルミニウム溶湯が貯留される貯湯槽１と、貯湯槽１の中央部に設けられ、軸心回りに回転駆動しつつ、溶湯液面Ｌ１よりも下方に配置された下端部から溶湯中に処理ガスが気泡状態で放出される処理ガス吹き込み用シャフト２と、下端が溶湯液面Ｌ１よりも下方に配置され、上端が溶湯液面Ｌ１よりも上方に配置され、シャフト２の周囲を覆うように設けられた筒状シャフトカバー３と、貯湯槽１の内周壁面における下側部に上下方向に沿って設けられ、シャフト２の回転に伴って貯湯槽１内を回転流動するアルミニウム溶湯を上方に流動させる整流板７１〜７３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高融点金属の電子ビーム溶解炉へ原料を供給する原料保持容器の搬送用吊り具およびこれに用いる原料保持容器であって、原料保持容器を効率良くかつ安全に搬送することができる装置構造を提供する。
【解決手段】クレーン係合フックと、原料保持容器および原料保持容器搬送用吊り具全体を支持する支持フレームと、原料保持容器を支持する本体フレームと、支持フレームを本体フレームに対して水平方向に移動させる水平移動手段と、本体フレームおよび原料保持容器搬送用吊り具を位置決めする位置決め手段とから構成されている原料保持容器搬送用吊り具。また、この搬送用吊り具を用いて搬送される原料保持容器であって、原料保持容器の外壁部および／または両端部のフランジに、搬送用吊り具との位置決め手段である位置決めバーを挿入する嵌合孔および溝および／または吊りピンを挿入する貫通孔が形成されている原料保持容器。 （もっと読む）

【課題】低い圧縮圧力で形成してもブリケットの強度を向上させることが可能であり、製鋼炉において安全に使用できる安価な製鋼用還元鉄塊成鉱の製造方法を提供する。
【解決手段】平均組成で亜鉛成分含有率が１．０質量％以上１０質量％以下である粉粒状の鉄系ダストおよびスラッジの少なくとも一方に、炭材を混合した後、還元焙焼処理を行って還元鉄とし、前記還元鉄を粗粒状還元鉄と粉粒状還元鉄とに分級した後、前記粉粒状還元鉄を主原料とするブリケット成型原料を、ブリケット成型機により冷間で塊成化し、還元鉄ブリケットを成型する、製鋼用還元鉄塊成鉱の製造方法において、前記ブリケット成型原料の水分含有率が０．５質量％以上６質量％未満であることを特徴とする製鋼用還元鉄塊成鉱の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】金属溶解炉の湯溜部の上方の空間が溶湯流路の空間部に連通する構造の金属溶解炉にカバーガスを供給する際、金属溶解炉内のカバーガスが溶湯流路の空間部に流入しても、溶湯流路内を流れる溶湯表面に厚い保護被膜が形成されることがなく、溶湯流路が閉塞しないようにする。
【解決手段】金属を溶解し、その溶湯Ｍを貯える炉本体１と、この炉本体から溶湯を外部に汲み出す流出管６と、炉本体にカバーガスを導入する第１導入管３と、流出管にカバーガスを導入する第２導入管７を備え、炉本体の上部空間が流出管に連通している金属溶解炉を用い、カバーガスとして、少なくとも炭酸ガスを含むガスを用い、第１導入管に供給するカバーガスの炭酸ガス濃度を、第２導入管に供給するカバーガスの炭酸ガス濃度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】真空アーク溶解炉を用いたチタンインゴットの溶製方法であって、高純度で、鋳肌が良好で、しかも生産性の高いチタンインゴットの溶製方法を提供する。
【解決手段】鋳型に保持された溶湯と消耗電極との間にアークを発生させ、消耗電極を溶解して鋳型内にインゴットを形成する真空アーク溶解炉を用いたチタンインゴットの溶製方法において、アークギャップ（消耗電極下端から溶湯面までの距離）を、溶製されるチタンの種類に応じて変更することを特徴とする。溶製されるインゴットがチタン合金の場合は、アークギャップの平均値（真空アーク溶解を実施可能な範囲内において最大限のアークギャップ値と最小限のアークギャップ値との算術平均）よりも小さいアークギャップにて溶解を行い、溶製されるインゴットが純チタンの場合は、アークギャップの平均値よりも大きいアークギャップで溶解する。 （もっと読む）

【課題】真空アーク溶解炉を用いた金属の溶解方法において、生産速度を落とすことなく、合金成分の偏析の少ない合金インゴットを溶解する方法およびそのための装置を提供する。
【解決手段】消耗電極と鋳型との間にアークを発生させ、消耗電極を溶解して鋳型内にインゴットを形成する金属の真空アーク溶解方法であって、鋳型内に溶製されたインゴットと鋳型との間の空間にヘリウムガスを流しつつ溶解操業を行う。 （もっと読む）

【課題】消耗電極式真空アーク溶解炉を用いた合金インゴットを溶製する方法において、合金インゴットの溶製に使用する合金原料の歩留まりの低下がなく、溶製された合金インゴットの組成変動の少ない合金インゴットの溶製方法を提供する。
【解決手段】消耗電極式真空アーク溶解炉を用いた合金インゴットの溶製方法であって、溶解炉の底部に塊状または顆粒状の合金をスタート材として配置し、スタート材と消耗電極との間にアークを発生させて溶製を開始することを特徴とする合金インゴットの溶製方法。 （もっと読む）

複合金属半製品を製造するための方法であって、第１の金属若しくは第１の金属合金から成る、るつぼとして形成された基体内に、第２の金属若しくは第２の金属合金から成る電極を導入し、電極を電流供給下で前記基体内で溶解させ、この際に、基体の第１の金属若しくは第１金属合金を所定の横断面にわたって溶解させ、上記両金属若しくは両金属合金が、凝固後に、上記両金属若しくは両金属合金から成るスラグのない混合区域を形成するようにした。
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１０ｍｍサイズ未満の合金鉄微粉を準備するステップと、３ｍｍ未満のサイズの部分を篩い分けし、３ｍｍ未満の微粉を作るために３ｍｍ〜１０ｍｍの部分を破壊するステップと、結果として得られた微粉を容器内でフェノール・ホルムアルデヒド・レゾール樹脂バインダと混合するステップと、混合された微粉を塊体形成のためにバッチ式で圧縮機械で成形するステップと、塊体を温度範囲１５０℃〜２００℃に維持される炉内で約６０分〜９０分間加熱して硬化させるステップとを含む、フェロマンガン微粉、フェロクロム微粉及びフェロシリコン微粉などの合金鉄微粉の塊体の形成方法。 （もっと読む）

【課題】有害物質を極力低減させるとともに、成膜時のパーティクルの発生数が少なく、膜厚分布が均一であり、かつ４Ｎ（９９．９９％）以上の純度を持ち、半導体メモリーのキャパシタ用電極材を形成する際に好適なスパッタリングターゲット製造用高純度Ｒｕ粉末、該高純度Ｒｕ粉末を焼結して得たスパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得た薄膜並びに前記高純度Ｒｕ粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の各含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、Ａｌの含有量が１〜５０ｗｔｐｐｍであることを特徴とする高純度Ｒｕ粉末、及び純度３Ｎ（９９．９％）以下のＲｕ原料をアノードとし、溶液中で電解して精製する、同高純度Ｒｕ粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 消耗電極式真空溶解用によるチタン又はチタン合金インゴットの製造において、その消耗電極に使用されるコンパクトの間及びコンパクト内における原料偏在、及びこれによるインゴット内の成分偏差を解消する。
【解決手段】 コンパクト１個分のスポンジチタン粒と他の原料粉粒とを、ホッパー２１ａ〜２５ａから計量器２１ｂ〜２５ｂを経て混合容器１０に投入する。コンパクト１個分の原料粉粒が投入された混合容器１０を、混合部３０において混合機により２軸回転させる。これにより、混合容器１０内の原料粉粒を効率よく強制攪拌して、原料偏在の少ない混合原料とする。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ−Ｐｔ合金インゴットの硬度を低下させて圧延を可能とし、圧延ターゲットを安定して効率良く製造する技術を提供する。
【解決手段】３Ｎレベルの原料Ｎｉを電気化学的に溶解する工程、電解浸出した溶液をアンモニアで中和する工程、活性炭を用いてろ過し不純物を除去する工程、炭酸ガスを吹き込んで炭酸ニッケルとし、還元性雰囲気で高純度Ｎｉ粉を製造する工程、３Ｎレベルの原料Ｐｔを酸で浸出する工程、浸出した溶液を電解により高純度電析Ｐｔを製造する工程からなり、これらの製造された高純度Ｎｉ粉と高純度電析Ｐｔを溶解する工程からなる。 （もっと読む）

【課題】製造されるチタンインゴットの鋳肌不良の発生を抑制することができる真空アーク溶解法によるチタンインゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】真空アーク炉２の中に吊下げたチタンでなる消耗電極１と、真空アーク炉２の水冷銅るつぼ３の底部に敷き詰めたチタンスタート材の間にアーク４を発生させ、消耗電極１からチタン溶滴を滴下させ、そのチタン溶滴が集まって形成された溶融プール５が冷却されて凝固することでチタンインゴット６を製造する際に、アーク４を４．０〜２０．０ｓｅｃ／回転の回転速度で回転することで、溶融プール５を攪拌させてチタンインゴット６を製造する。 （もっと読む）

【課題】ニオブ材の棄て料が少なく低コストで且つ短時間に製造可能な荷電粒子加速器に用いられる超伝導高周波加速空洞の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）円盤形状のニオブ材によるインゴットを得る行程と、（ｂ）前記ニオブインゴットを支持した状態で、微小の浮遊砥粒を吹き付けつつ多重のワイヤを前後に振動させることにより前記ニオブインゴットを所定厚の複数枚のニオブプレートにスライス切断する行程と、（ｃ）前記スライス切断されたニオブプレートに付着している前記浮遊砥粒を除去する行程と、（ｄ）前記ニオブプレートを深絞り成形することにより所望形状のニオブセルを形成する行程と、の各行程を有する （もっと読む）