【課題】高い精製効率が得られるとともに、冷却体との密着性も良く、冷却体の回転に起因する遠心力による剥離を抑制でき、精製物質の回収量の多い物質精製法及び精製装置を提供する。
【解決手段】溶融物質中に冷却体を浸漬し、その冷却体の表面に前記物質の結晶を晶出、成長させる精製法である。冷却体の周速が７００ｍｍ／ｓ以上８０００ｍｍ／ｓ未満となるように冷却体を回転させながら溶融物質中に浸漬させていき、且つ溶融物質に浸漬するときの冷却体の温度を、前記物質の固相線温度×０．７以上とする。 （もっと読む）

【課題】真空誘導炉を用いてＴｉ−Ａｌ含有Ｎｉ基高合金を製造するに当って、Ｍｇピックアップを防止し、Ｍｇの混入を防いでＴｉ−Ａｌ含有Ｎｉ基高合金を製造する方法を提供する。
【解決手段】真空誘導炉において各合金成分を配合した原料を溶製し、ＣａＯを主成分とするフラックスにＮｉＯを添加して精錬を行なったのち、鋳造に先だって真空誘導炉から取鍋に出湯し、取鍋においてＡｌ_２Ｏ_３−ＣａＯ−ＣａＦ_２からなるフラックスを用いて精錬を続ける。Ｍｇ量を分析するためのサンプルの採取は、温度１６００℃以上において行なう。 （もっと読む）

【課題】金属インゴット中のＨＤＩおよびＬＤＩ等の不純物が極めて低いレベルに抑制された優れた品質のインゴットを製造する。
【解決手段】原料供給手段と、電子ビーム照射手段と、供給された金属原料を溶解保持するハースと、溶湯を冷却してインゴットを得る鋳型を備えた金属の溶解装置およびこの装置を用いる金属の溶解方法であって、ハース内の上流から下流に向けて形成されている溶湯の水平方向の溶湯流れに対して鉛直方向の上昇流を形成させた後、下降流を形成させる。 （もっと読む）

本発明は、鉄含有物装入装置を備えて、偏析の発生を防止する、還元炉およびこれを含む鎔鉄製造装置に関する。本発明の一実施例による還元炉は、鎔鉄の製造に使用する鉄含有物を還元する。還元炉は、ｉ）鉄含有物が装入される装入口、ｉｉ）還元炉の内部に第１方向に向かって傾斜して固定されて、鉄含有物を還元炉の内部にガイドする第１誘導板、およびｉｉｉ）還元炉の内部に第１方向と交差する第２方向に向かって傾斜して固定されて、第１誘導板によってガイドされて落下する鉄含有物をガイドする第２誘導板を含み、第１誘導板によってガイドされて落下する鉄含有物は、第２誘導板によってガイドされながらその落下方向が変更される。
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【課題】精製すべき溶融金属中に冷却体を浸漬し、冷却体を回転させながら表面に高純度金属を晶出させる金属の精製方法に用いられる前記冷却体であって、表面に晶出した金属の遠心力による剥離防止効果を高めることができる冷却体等を提供する。
【解決手段】冷却体３の表面に１個または複数個の凹部３１、３２、３８が形成されると共に、凹部内を含む冷却体の表面に晶出した金属５に冷却体３の回転によって遠心力が加わることによる晶出金属の剥離を防止するために、凹部の底部から開口部までの間の壁面に、凹部内の空間を狭める方向に突出した剥離防止用突部３１３が形成されているか、及び／または、底部から開口部までの間の壁面の少なくとも一部が、前記遠心力に対して晶出金属に抵抗力を付与する方向に傾斜した平面状または曲面状の傾斜面３１５に形成されている。 （もっと読む）

【課題】純チタンをベースに窒素あるいは酸素含有率を独立に高めたチタン合金の製造方法であって、チタン合金中の窒素および酸素の含有率を効率よく高めることができるチタン合金の製造方法を提供する。
【解決手段】真空アーク溶解によるチタン合金の製造方法であって、窒化物と酸化物の少なくとも一方からなる合金添加剤を焼成し、合金添加剤とチタン材とから構成された混合原料を成型してブリケットにし、ブリケットで構成した電極を真空アーク溶解することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】純チタンをベースに窒素含有率を意図的に高めたチタン合金の溶製方法であって、チタン合金中の窒素含有率のみを、安価な方法で、しかも効果的に上昇させることができるチタン合金の製造方法を提供する。
【解決手段】チタン材と合金添加剤との混合原料を原料供給器に充填し、混合原料を電子ビーム溶解炉に供給するチタン合金の製造方法であって、混合原料を充填した原料供給器内を水の沸点以上に加熱保持し、さらに、減圧下に保持した後、混合原料を電子ビーム溶解炉に供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の配線材、特に銅電気メッキの際に凝集がなく、安定で均一なシード層を形成させることができ、かつスパッタ成膜特性に優れた銅合金スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された半導体素子配線を提供する。
【解決手段】Ａｌを０．５〜４．０ｗｔ％含有し、Ｓｉが０．５ｗｔｐｐｍ以下である銅合金スパッタリングターゲット及びＳｎを０．５〜４．０ｗｔ％含有し、Ｍｎが０．５ｗｔｐｐｍ以下である銅合金スパッタリングターゲット並びにこれらにＳｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ａｓから選択した１又は２以上を総量で１．０ｗｔｐｐｍ以下含有する銅合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】表面品質の良好なNi基合金を得ること、そのために熱間加工性の良好なNi基合金を有利に製造する技術を確立すること、そしてそのために、合金中のMg濃度、Ca濃度、酸素濃度およびＳ濃度を精度良く制御するための精錬方法を提案することにある。
【解決手段】原料をまず電気炉等で溶解した後、MgＯ系耐火物を用いた二次精錬用容器に出鋼して除滓し、続く二次仕上げ精錬においては、酸素吹精したのち脱酸し、石灰石、螢石、アルミナ、マグネシアのうち１種または２種以上からなるスラグ成分を添加して、生成するスラグ組成を、CaＯとAl₂Ｏ₃の質量濃度比（CaＯ／Al₂Ｏ₃）を0.2〜2.0、マグネシア濃度を1〜18mass％に調整することにより、溶融合金中のMg濃度が0.005〜0.04mass％で、Ca濃度が0.0005〜0.04mass％で、酸素濃度が3〜50mass％となるようにすると共に、Ｓ濃度を0.0006mass％以下になるようにする熱間加工性に優れたNi基合金の精錬方法。 （もっと読む）

【課題】工業上大量に且つ連続して高純度Ｍｇ₂ Ｎｉ水素吸蔵合金を製造する方法及び装置の提供。
【解決手段】Ｎｉ重量％が２３．５から５０．２のＭｇ−Ｎｉ原料を加熱し完全に溶融させて均一に混合させた後、Ｍｇ−Ｎｉ液体を降温させ温度をその成分の対応するＭｇ−Ｎｉ相図の固相線温度以上、液相線温度以下の温度区間に制御し、相図の偏析原理を利用して固態高純度のγ相Ｍｇ₂ Ｎｉ水素吸蔵合金を得る。坩堝内の余剰のマグネシウムに富む廃液体を別の独立坩堝中に注ぎ、並びにもともとγ相Ｍｇ₂ Ｎｉ水素吸蔵合金を含有する坩堝との位置を対応するよう調整し、Ｍｇ−Ｎｉ新原料を加入し並びに続けて加熱し、完全に溶融させた後に上述のステップの溶煉方式を重複し不断に実行し、連続する生産方式を形成する。 （もっと読む）

【課題】 貴金属を含むニッケル-銅マットを、特殊な設備を使わずに既存の銅製錬設備を活用して有価物成分を効率よく回収する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】貴金属を含有するニッケル及び銅の硫化物を主成分とする金属硫化物マットを、ニッケルに対して2倍等量以上3倍当量以下の硫酸を使い大気圧下で空気酸化しながら、液の酸化還元電位が銅の浸出が進行する値以下の範囲でニッケルを選択浸出して分離し、浸出残渣に銅硫化物とともに貴金属を濃縮する貴金属含有金属硫化物からの有価物回収方法。 （もっと読む）

【課題】製造作業効率の向上を図ると共に製造時における不具合の発生を阻止し、欠落ちが生じることのない大型の再溶解用消耗電極を製造可能な再溶解用消耗電極の製造方法を提供する。
【解決手段】ニッケルの含有量が３０質量％を超え且つアルミニウム,チタニウム,ニオブ及びタンタルの含有総和量が２．０質量％を超える析出硬化型高ニッケル合金から成る再溶解用消耗電極１を製造するに際して、再溶解用消耗電極１の形状に成形した析出硬化型高ニッケル合金に対して、固溶体化する温度よりも低い温度、好ましくは８５０〜９５０℃の均熱処理を１０〜１００時間施す。 （もっと読む）

【課題】析出強化型銅合金線材（例えばコルソン系合金線材）の製造速度を高くし、コストが大幅に低減できる製造方法、その方法で製造された銅合金線材およびその製造装置を提供する。
【解決手段】析出強化型の銅合金の溶銅中に銅合金の種線を浸漬させて鋳塊を得る鋳造工程と、該鋳造工程により得られた前記鋳塊を圧延する圧延工程とを連続的に行う連続鋳造圧延工程により銅合金線材を得る銅合金線材の製造方法であって、前記圧延工程の中間または前記圧延工程の直後における前記銅合金線材を焼入れ処理する銅合金線材の製造方法、銅合金線材およびその製造装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】エレクトロスラグ再溶解中に、インゴットの清浄化に影響を与えることなく効率よく脱窒素を行うことを可能にする。
【解決手段】エレクトロスラグ再溶解法によってインゴット３を溶製する際に、非酸化性雰囲気下で脱酸材６ａとともに硫黄化合物７ａを添加して脱窒素を行う。界面活性元素である硫黄を積極的に利用でき脱窒素が促進され、電極から溶融離脱したドロップレットがメタルプール中に落下する間やメタルプールでの溶融金属とスラグとの短い反応時間でも、優れた脱窒素効果が得られるとともに、脱窒素に寄与した硫黄はスラグに捕捉されてメタルプールに移行することはなくインゴットの清浄度を損なわない。 （もっと読む）

【課題】金属、合金、半導体などの材料を電子ビームの照射により溶融することにより、その材料に含まれる不純物元素を除去し、不純物元素の対流攪拌や拡散を抑制し、十分に精製された高純度の材料を得ることができる材料の精製方法を提供する。
【解決手段】減圧下にて、耐熱容器１１に材料１３を連続的に供給し、材料１３に電子ビーム１６，１７を照射して、溶融するとともに不純物元素を蒸発させて精製し、耐熱容器１１から精製済みの材料１３をオーバーフローさせて精製品を得る方法であって、材料１３への電子ビーム１６，１７の照射を制御して、耐熱容器１１の長手方向に沿って未溶融部分を１箇所以上形成し、かつ未溶融部分の幅を超える範囲で、未溶融部分を往復移動させることにより、互いに仕切られた溶融部分間の対流、拡散による均一化を抑制し精錬効果を高めたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュ数やスカム率が低く、コンピュータのデータ等の情報を記録する媒体としても利用可能な高品質の蒸着テープを得ることができる蒸着用 素材を提供する。
【解決手段】コバルト系蒸着用素材に含まれる炭素、マグネシウム、珪素、マンガン、アルミニウム、およびチタンの濃度を、合計で４２〜７１ｐｐｍとなるようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体の動作機能を保証するために障害となる不純物を低減させた高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を、安全かつ安価に得ることのできる高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法を提供する。
【解決手段】ジルコニウム若しくはハフニウム原料を電子ビーム溶解して高純度化した後インゴットに鋳造する工程、得られた高純度ジルコニウム若しくはハフニウムインゴット又は切粉等を水素雰囲気中で５００°Ｃ以上に加熱して水素化する工程、該インゴットを冷却し水素化ジルコニウム若しくはハフニウム粉をインゴットから剥落させて水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を得る工程、及び水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の水素を除去する工程からなることを特徴とする高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法。 （もっと読む）

【課題】溶解過程で、消耗電極とそれを吊下げるスチンガーロッドが傾斜した場合でも、スチンガーロッドと接触子との間にスパークが発生せず、安定操業が可能な消耗電極式溶融炉の通電装置を提供する。
【解決手段】スチンガーロッド２軸芯周りに複数配置された接触子５０と、接触子をスチンガーロッドの外周から軸芯方向へ摺動可能に嵌装する接触子嵌装孔４２を有し、外部の電源装置から供給された電力を接触子へ送る接触子ホルダー３１と、接触子嵌装孔内に嵌装された接触子をスチンガーロッドに押圧する押圧部７０と、接触子と接触子嵌装孔との間であって、スチンガーロッド軸芯方向の上方及び下方に設けられ、スチンガーロッドの傾斜に追従して接触子を傾動可能となす傾動吸収部５９とを備えた。 （もっと読む）

【課題】金属溶湯中のＨ_２ガスや介在物などの除去を十分に行なうことができる脱ガス装置を提供する。
【解決手段】本発明の脱ガス装置１は、金属溶湯を攪拌体５により回転攪拌して脱ガスをする脱ガス室４を備え、脱ガス室４から金属溶湯を流し出す開口部３を側壁１ｂに設け、該開口部３を囲う囲い板６を、回流する金属溶湯の下流側を開放させて配し、該囲い板６の金属溶湯の流れを受ける面を側壁１ｂに対して傾斜面６ａとしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＰＳ転炉の装入・排出口の近くに吸引部を配置してもそのメンテナンスに負担を与えることなく、マットや冷材装入時等に発生する漏出ガスを確実に回収することが可能な漏出ガス回収装置及び回収方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＰＳ転炉１の上部側に配置された排ガスフード５の一方側の側面、且つ、ＰＳ転炉１の装入・排出口３の近傍に、水冷ジャケット構造１２ｃを有するダンパ１２を備えた吸引部１１を配置し、それによってＰＳ転炉１を傾倒させて炉内にマットや冷材等を装入した際に装入・排出口３から漏出する漏出ガスを排ガスフード内５に引き込んで排気するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）