【課題】 溶融性を改善した鉛フリー接合材料を提供する。
【解決手段】 ＳｎおよびＣｕからなる鉛フリー接合材料において、ＳｎＣｕ合金にＢｉまたはＩｎの１種または２種を添加することを特徴とする鉛フリー接合材料。また、上記の成分組成が、質量％で、Ｃｕ：１５〜３３％、Ｓｎ：５０〜８４％、ＢｉまたはＩｎの１種または２種の合計が１〜１７％であることを特徴とする鉛フリー接合材料。さらに、上記の材料であって、ＳｎとＣｕで構成される金属間化合物がＳｎ基地中に分散し、かつＢｉまたはＩｎがＳｎ基地中に５μｍ以下の微細相として分散またはＳｎ基地中に強制固溶または分散および強制固溶の双方の状態にあることを特徴とする鉛フリー接合材料。 （もっと読む）

【課題】 平均粒径が小さく、粗大なｂｃｃＦｅ結晶の析出が無い軟磁性合金粉末と、高い飽和磁束密度と低い保磁力が得られるナノ結晶軟磁性合金粉末と、その製造方法と、それを用いた低損失の圧粉磁心を提供すること。
【解決手段】 組成式Ｆｅ_ａＢ_ｂＳｉ_ｃＰ_ｘＣ_ｙＣｕ_ｚで表され、７９．０≦ａ≦８６．０ａｔ％、５≦ｂ≦１３ａｔ％、０≦ｃ≦８ａｔ％、１≦ｘ≦１０ａｔ％、０≦ｙ≦５ａｔ％、０．４≦ｚ≦１．４ａｔ％、及び０．０６≦ｚ／ｘ≦１．２０である合金組成物からなり、平均粒径０．７μｍ以上５．０μｍ以下であることを特徴とする軟磁性合金粉末である。 （もっと読む）

【課題】金属ナノ粒子を効果的に分散できる分散剤を提供する。
【解決手段】 下記の一般式（I）：
【化１】


［一般式（I）中、Ｒ_１、Ｒ_２は、それぞれ独立して、炭素数３〜６のアルキル基を示す。］
で表される酒石酸誘導体からなる分散剤。一般式（Ｉ）中、炭素数３〜６のアルキル基としては、イソプロピル基などの分岐したアルキル基である。 （もっと読む）

【課題】金属ナノ粒子を効果的に分散できる分散剤を提供する。
【解決手段】下記の一般式（I）：


［上記式（I）中、基Ｒ_１、基Ｒ_２、基Ｘは、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、又はベンジル基を示すが、基Ｒ_１、基Ｒ_２、基Ｘのうち少なくとも１つは、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基、又はベンジル基を示す。］で表されるマロン酸誘導体からなる分散剤。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体素子、及び半導体素子と多孔質状金属層との接合面等における、クラックや剥がれを抑制可能な半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｋ）またはリードフレーム（Ｌ）に設けられたパッド部（Ｐ）上に多孔質状金属層（Ｃ）を介して半導体素子（Ｓ）の金属層が接合されている半導体装置であって、前記多孔質状金属層（Ｃ）の外周側部位の金属密度がその内側に位置する中心側と比較して低いことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】塗設時に金属ナノワイヤーを凝集させることなく好適に分散させることができ、ヘイズが低く、ブツ故障が少なく、導電性及び透明性に優れた導電膜の製造方法、前記導電膜の製造方法により製造された導電膜、及び前記導電膜を有するタッチパネルの提供。
【解決手段】金属粒子として平均短軸長さ１５０ｎｍ以下の金属ナノワイヤーと、分散剤とを含有する金属ナノワイヤー分散液を、限外濾過膜を用いて限外濾過し、洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程後の金属ナノワイヤー分散液を含有する導電膜形成用塗布液を支持体上に塗布する塗布工程とを含み、前記洗浄工程後の金属ナノワイヤー分散液中の前記分散剤の含有量（｛分散剤の質量／（全金属粒子の質量＋分散剤の質量）｝×１００）が、３．２質量％以上である導電膜の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】Ｍｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ系多結晶体であって、性能指数が高い、熱電変換素子および、熱電変換モジュールの提供。
【解決手段】Ｓｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｂｉ、Ａｌから選択される少なくとも１種のドーパントＡでドーピングされたＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ中に、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される少なくとも１種の遷移金属Ｂの元素および/または遷移金属Ｂのシリサイドが分散していることを特徴とする下記式（１）で表されるＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ・Ａａ・Ｂｂ多結晶体。Ｍｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ・Ａａ・Ｂｂ、式（１）［ただし、式（１）中のｘは０〜1、ａはＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘに対するドーパントＡの含有量であって０．０１〜５ｍｏｌ％であり、ｂはＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘに対する遷移金属Ｂの含有量であって０．０１〜５ｍｏｌ％である。］ （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、所望の微細孔、特にナノメータオーダの微細孔を有する金属多孔質体を提供する。
【解決手段】平均粒子径が５０ｎｍ〜１μｍの範囲内にある第１の金属粒子と、第２の金属材料を含有する金属粒子の平均粒子径が５ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内にあり、第１の金属粒子の平均粒子径以下である第２の金属粒子とを準備する。次いで、前記第１の金属粒子及び前記第２の金属粒子を混合して混合物を得るとともに、前記第２の金属粒子を溶融させ、得られた溶融物によって前記第１の金属粒子を結合し、金属多孔質体を製造する。 （もっと読む）

【課題】水素の吸蔵・放出特性を改善した水素吸蔵合金を提供する。
【解決手段】下記一般式（１６）で表され、かつＣｕＫα線を用いたＸ線回折パターンにおける２θ＝８〜１３゜の範囲に現れる最強ピークの強度（Ｉ₁）と、全ピークの最強線ピークの強度（Ｉ₂）との強度比（Ｉ₁／Ｉ₂）が０．１５未満である合金を含む水素吸蔵合金。
Ｒ４_1-a-bＭｇ_aＭ８_b（Ｎｉ_1-xＭ９_x）_z …（１６）
ただし、Ｒ４はイットリウムを含む希土類元素およびＣａから選ばれる少なくとも１つの元素、Ｍ８はＭｇより電気陰性度の大きな元素（ただし、Ｒ４、Ｎｉ、Ｍ９を除く）、Ｍ９はＣｏ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｓｉ，Ｐ，Ｂから選ばれる少なくとも１つの元素であり、ａ、ｂ、ｘ、ｚはそれぞれ０＜ａ≦０．６、０≦ｂ≦０．５，０≦ｘ≦０．９，２．５≦ｚ＜４．５を示す。 （もっと読む）

【課題】従来の金属ナノ粒子合成手法における、水中の還元雰囲気下での合成では金属ナノ粉子が短時間で酸化され易く、表面を種々の方法で被覆しても、不安定で、水中では、特にその被覆物が離脱して、次第に表面から酸化されてしまうなどの問題を解決する。
【解決手段】高温高圧状態の、亜臨界ないし超臨界水中での水熱還元プロセスを適切な還元剤存在下に行い、生成ナノ粒子の表面が金属状である金属又は合金ナノ粒子を得る。これにより、触媒、記憶材料、発光材料、オプトエレクトロニクスなどの広範な分野での利用が期待されている、例えば、性状の優れたコバルトナノ粒子を、簡単な手法で、低コストに且つ安定的に製造できる。 （もっと読む）

【課題】厚膜のパターンを形成した際にも、加熱する事なく高い導電性を発現させる事が可能な金属超微粒子の製造方法、および金属超微粒子含有組成物を提供する。
【解決手段】水性媒体中に平均粒径が０．１μｍ以下の金属超微粒子を分散させた分散液を得る工程、該分散液と水溶性ハロゲン化物とを、金属超微粒子に対する水溶性ハロゲン化物のモル比で０．１５％以上８．０％以下の範囲内で混合する工程、および金属超微粒子の精製を行う工程、の３工程を少なくともこの順序に具備する金属超微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】磁性金属微粒子を含む磁気インクに存在する自然発火性という問題が改良された磁気インクであって、空気や水に触れても安全で自動小切手処理のほか、文書認証のための偽造防止印刷に好適に用いることができる相変化磁気インクの提供。
【解決手段】相変化インク担体と、任意の着色剤と、任意の分散剤と、任意の相乗剤と、任意の酸化防止剤と、磁気コアおよびその上に配置されたシェルを含む界面活性剤被覆磁性ナノ粒子とを含む相変化磁気インク。 （もっと読む）

【課題】 ファインピッチ化に対応でき、鉛フリーであってリフロー時の濡れ性や平滑性に優れたプリコート用ハンダペーストを提供すること。
【解決手段】 ハンダ粉末とフラックスとを混合したプリコート用ハンダペーストであって、ハンダ粉末は、１種類、又は２種類以上の金属粉末を含有し、金属粉末は、それぞれ金属種が異なる中心核１Ａ，１Ｂと、中心核１Ａ，１Ｂを被覆する被覆層２とを有し、平均粒径が０．１μｍ以上５μｍ以下であって、中心核１Ａ，１Ｂが、銀、銅、亜鉛、ビスマス、ゲルマニウム、ニッケル、インジウム、コバルトまたは金の単一の金属からなり、被覆層２が、錫からなる。 （もっと読む）

【課題】金属粒子の構造上の不均一性から生じる組成ズレを抑制することにより、リフロー時の溶融性を大幅に改善させたハンダ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】中心核３１と中心核３１を被覆する中間層３２と中間層３２を被覆する最外層３３で構成される金属粒子３０からなる平均粒径５μｍ以下のハンダ粉末において、中心核２１が銀、銅、ビスマス、ゲルマニウム、ニッケル、インジウム、金又はコバルトのいずれか１種の金属からなり、中間層３２が中心核３１の金属とは異なる銀、銅、ビスマス、ゲルマニウム、ニッケル、インジウム、金又はコバルトのいずれか一種の金属からなり、最外層３３が錫からなり、金属粒子３０の体積を１００％とするときの中心核３１、中間層３２、最外層３３の各体積割合をＶｃ％、Ｖｍ％、Ｖｏ％とするとき、Ｖｃ＜Ｖｍ＜Ｖｏの関係を満たし、錫の含有割合が８５〜９９．８質量％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ファインピッチ化に対応し得る平均粒径が１〜５μｍ以下の範囲内に粒径制御された微細なハンダ粉末を簡便、かつ効率よく製造できるハンダ粉末の製造方法及び該方法により得られたハンダ粉末を提供する。
【解決手段】錫イオンを含む水溶液と還元剤水溶液とを混合し、混合液中で粉末を還元析出させるハンダ粉末の製造方法において、粉末を還元析出させる際に、混合液中に粉末を構成する錫以外の元素から構成された金属微粉末及びその金属イオンを一種以上添加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 はんだ粉末や精密金属粉末射出成型（ＭＩＭ）部品、溶射用粉末、微細加工用ショット粉末の用途向けに微粉末等の用途向け微粉末を効率よく製造することを可能としたディスクを提供する。
【解決手段】 溶融した原材料を粉体にする遠心噴霧法並びに遠心噴霧法の機構を利用した粉末製造に用いるディスクにおいて、使用するディスクの相対密度が８５％以上であり、また耐熱衝撃抵抗が５００℃以上の材質で構成されていることを特徴とする粉末作製用ディスク。 （もっと読む）

【課題】ファインピッチ化に対応し得る平均粒径が１〜５μｍの範囲内に粒径制御された微細なハンダ粉末を簡便、かつ効率よく製造できるハンダ粉末の製造方法及び該方法により得られたハンダ粉末を提供する。
【解決手段】錫イオンを含む水溶液と還元剤水溶液とを混合し、混合液中で粉末を還元析出させるハンダ粉末の製造方法において、粉末を還元析出させる際に、混合液中に粉末を構成する元素から構成された金属微粉末を一種以上添加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高容量と良好なサイクル特性を実現するリチウムイオン二次電池用の負極材料を提供する。
【解決手段】Ｓｉ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、ＩｎおよびＺｎからなる群より選ばれた２種の元素である元素Ａ‐１と元素Ａ‐２と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｂａ、ランタノイド元素（Ｃｅ、およびＰｍを除く）、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、ＯｓおよびＩｒからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である元素Ｄとを含み、前記元素Ａ‐１の単体または固溶体である第１の相と、前記元素Ａ‐２の単体または固溶体である第２の相と、前記元素Ａ‐１と前記元素Ｄとの化合物である第３の相とを有することを特徴とするナノサイズ粒子と、前記ナノサイズ粒子を負極活物質として含むリチウムイオン二次電池用負極材料である。 （もっと読む）

【課題】ファインピッチ化を実現するハンダ用ペーストに好適な微細なハンダ粉末であって、リフロー時の溶融性及び濡れ性に優れ、しかもハンダバンプ形成時の組成制御が容易であり、ペーストの印刷性も向上させ得るハンダ粉末及びこの粉末を用いたハンダ用ペーストを提供する。
【解決手段】中心核２１、３１と中心核２１、３１を被覆する被覆層２２、３２で構成される平均粒径５μｍ以下の金属粉末からなるハンダ粉末１０において、中心核２１、３１はＣｏ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｃｕ又はＡｕの単一の金属からなり、被複層２２、３２はＳｎからなり、中心核２１、３１の金属種が異なる２種以上の金属粉末を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高残留磁束密度、高保磁力の焼結磁石であるＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系焼結磁石となるためのＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系焼結磁石用合金を作製する。
【解決手段】焼結磁石全体に亘って結晶粒の主相外殻にＤｙの多いＲ_２Ｔ_１４Ｂが存在するＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系焼結磁石を作製できるように、Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ母合金１と重希土類元素ＲＨの金属又は合金のＲＨ拡散源２とを処理室３内にて連続的または断続的に移動させながら、雰囲気圧力１０Ｐａ以下６００℃以上１０００℃以下の熱処理を１０分以上４８時間以下行い、Ｒ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系焼結磁石用合金の主相であるＲ₂Ｔ₁₄Ｂ化合物の結晶とそれ以外の相との界面部分に重希土類元素ＲＨの濃度が高い領域を連続して生成する。 （もっと読む）