【課題】より実用的な噴霧熱分解装置用の粒子捕集装置を提供する。
【解決手段】噴霧熱分解法で合成された粒子を含む粒子含有ガスからの前記粒子の捕集装置であって、前記粒子含有ガスを導入及び排出が可能に形成された、所定の空間部を有する捕集部と、前記空間部中の前記粒子含有ガスに液滴を供給する液滴供給部と、を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度、非晶質性および耐候性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金において、マグネトロンスパッタ時に効率良く使用できるターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＴａおよびＢの２種以上を含有し、残部ＣｏおよびＦｅ、ならびに不可避的不純物よりなり、下記式１および式２を満足し、相対密度９９％以上であることを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金ターゲット材。
０．６０≦Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）≦０．６５（ａｔ．％比） … （１）
５ａｔ％≦（Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ）＋Ｂ／２≦１０ａｔ％ … （２）
ただし、Ｂ：７％以下とする。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性を維持しつつ、焼結温度特性を５００〜９００℃の範囲で自在にコントロールできる新たな導電性ペースト用銅粉を提案する。
【解決手段】Ａｌ（アルミニウム）及びＰ（リン）を含有する導電性ペースト用銅粉であって、 Ａｌ濃度が０．０１ａｔｍ％以上０．８０ａｔｍ％未満であり、且つ、当該Ａｌ濃度とＤ５０（μｍ）との積によって算出されるＡｌ換算量（Ａｌ濃度×Ｄ５０）が２．００以下であることを特徴とする導電性ペースト用銅粉を提案する。 （もっと読む）

【課題】高周波数域での損失（鉄損）が小さい低損失の圧粉磁心を製造可能な軟磁性粉末、この軟磁性粉末を容易に製造することができる軟磁性粉末の製造方法、軟磁性粉末を用いて製造された低損失の圧粉磁心、およびこの圧粉磁心を備えた磁性素子を提供すること。
【解決手段】チョークコイル１０は、トロイダル形状の圧粉磁心１１と、この圧粉磁心１１に巻き回された導線１２とを有する。圧粉磁心１１は、軟磁性粉末と結合材とを混合し、加圧・成形して得られたものである。圧粉磁心１１に用いられた軟磁性粉末は、Ｆｅを主成分とし、平均粒径が５〜２５μｍであり、かつ、最大粒径が６３μｍ未満である金属粉末である。また、この軟磁性粉末は、ＳｉおよびＣｒの少なくとも一方を含んでいるのが好ましい。軟磁性粉末の各粒子は、それぞれ結合材によって絶縁されているため、チョークコイル１０の特に高周波数域における渦電流損失を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】面内均一性に極めて優れたＡｇ系薄膜を形成するのに有用なＡｇ系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ系スパッタリングターゲットのスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveを下記手順（１）〜（３）によって測定したとき、平均結晶粒径ｄ_aveは１０μｍ以下を満足する。（手順１）スパッタリング面の面内に任意に複数箇所を選択し、選択した各箇所の顕微鏡写真（倍率：４０〜２０００倍）を撮影する。（手順２）各顕微鏡写真について、井桁状または放射線状に４本以上の直線を引き、直線上にある結晶粒界の数ｎを調べ、各直線ごとに下式に基づいて結晶粒径ｄを算出する。ｄ＝Ｌ／ｎ／ｍ式中、Ｌは直線の長さ、ｎは直線上の結晶粒界の数、ｍは顕微鏡写真の倍率を示す。（手順３）全選択箇所の結晶粒径ｄの平均値をスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveとする。 （もっと読む）

【課題】 ２８０℃以下の低温で接合が可能なＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストであって、かつこのペーストにより形成されたＡｕ−Ｓｎ合金はんだは、Ｓｎ−Ａｇ系鉛フリーはんだによるセカンドリフロー時にも溶融しない。ＬＥＤ素子にやさしい接合が可能でかつ、セカンドリフロー時にも溶融することがなく、低Ａｕ化による材料コスト低減を可能とするＡｕ−Ｓｎ合金はんだペーストを提供する。
【解決手段】 ＡｕとＳｎとの合計１００質量部に対して、Ｓｎを５５〜７０質量部含むＡｕ−Ｓｎ混合粉末と、（Ｂ）フラックスとを含み、成分（Ａ）が、（Ａ１）ＡｕとＳｎとの合計１００質量部に対して、Ｓｎを１８〜２３．５質量部含むＡｕ−Ｓｎ合金はんだ粉末、および（Ａ２）ＡｕとＳｎとの合計１００質量部に対して、Ｓｎを８８〜９２質量部含むＡｕ−Ｓｎ合金はんだ粉末を含む。 （もっと読む）

【課題】粒径が１０μｍ以下の微細なマグネシウムシリサイド粒がほぼ均一に分散した略球形状のマグネシウム系金属粒子で構成される金属粉末及びこの金属粉末を容易且つ安価に製造する方法ならびにこの金属粉末から自動車用部品を容易且つ安価に製造する方法を提供すること。
【解決手段】マグネシウムを９０〜９５質量％、珪素を５〜１０質量％含む溶湯を、不活性気体雰囲気下において貯留容器２２に貯留し、一定温度に保持する。そして貯留容器２２の内部圧力を上昇させ、貯留容器２２に設けられた流出孔２８から溶湯３２を流出させ、流出する溶湯３２に衝突気体を衝突させる。これにより溶湯３２を、平均粒径が４０〜１００μｍの粒子状に飛散させつつ凝固させる。 （もっと読む）

【課題】焼結時の結晶化により粗大結晶粒を生成させず、良好な磁気特性を備えたナノコンポジット磁石を製造する方法を提供する。
【解決手段】硬磁性相と軟磁性相とから成る急冷組織から成り、結晶組織が８５重量％以上である急冷合金を、加圧下で急速昇温により結晶化温度以下の温度に昇温して焼結することを特徴とするナノコンポジット磁石の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高周波数域での損失（鉄損）が小さい低損失の圧粉磁心を製造可能な軟磁性粉末、この軟磁性粉末を容易に製造することができる軟磁性粉末の製造方法、軟磁性粉末を用いて製造された低損失の圧粉磁心、およびこの圧粉磁心を備えた磁性素子を提供すること。
【解決手段】チョークコイル１０は、トロイダル形状の圧粉磁心１１と、この圧粉磁心１１に巻き回された導線１２とを有する。圧粉磁心１１は、軟磁性粉末と結合材とを混合し、加圧・成形して得られたものである。圧粉磁心１１に用いられた軟磁性粉末は、Ｆｅを主成分とし、平均粒径が５〜２５μｍであり、かつ、最大粒径が６３μｍ未満である金属粉末である。また、この軟磁性粉末は、ＳｉおよびＣｒの少なくとも一方を含んでいるのが好ましい。軟磁性粉末の各粒子は、それぞれ結合材によって絶縁されているため、チョークコイル１０の特に高周波数域における渦電流損失を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 溶湯状態から凝固に至る急速冷却を最適に制御することで、Ｓｎ相中に非常に細かい（ナノオーダー：１μｍ以下）にＳｎＣｕ合金粒子、ＳｎＭｎ合金粒子が分散した組織が得られる鉛フリー接合用材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｎと他の金属Ｍからなる合金であって、ＳｎとＭで構成される金属間化合物からなる相をＳｎ基地中に１μｍ以下の微細粒子として分散させた状態にあることを特徴とする鉛フリー接合用材料。また、上記された金属間化合物は、ＳｎとＭとで構成される金属間化合物のうち最もＳｎの含有量の多い金属間化合物であることを特徴とする鉛フリー接合用材料およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】粒度微細ながら耐酸化性、導電性のバランス共に損なわない銅粉、さらには形状や粒度のバラツキが小さく、低含有酸素濃度である導電性ペースト用銅粉及び導電性ペーストを提供する。
【解決手段】 粒子内部にＡｌ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＧａを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％、かつＳｎを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％含有する導電性ペースト用銅粉。 （もっと読む）

【課題】再溶融やフラッシュ・ショートの発生を防止し、高温雰囲気中での密着性が高く、濡れ性が優れた、回路部品の接続材料を提供する。
【解決手段】熱硬化性樹脂バインダー、金属粉末、フラックス成分を含有する熱硬化性樹脂組成物において、金属粉末が第一複合金属粉末と第二複合金属粉末とを含む。第一複合金属粉末は、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｎを所定量含有する第１金属粒子と、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｎを所定量含有する第２金属粒子とを含み、熱拡散により金属間化合物を形成する特性を有する。第二複合金属粉末は、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｎを所定量含有する第３金属粒子と、Ｓｎからなる第４金属粒子とを含み、熱拡散により金属間化合物を形成する特性を有する。フラックス成分として、構造式（１）と（２）で示される化合物の少なくとも一方が用いられている。 （もっと読む）

【課題】金属の表面を、その金属の融点より低い融点を有する異種の金属によって被覆した金属粉末を形成する場合に、それぞれの金属の融点の温度差が大きくても異種の金属によって良好に被覆された金属粉末を製造することができる金属粉末製造方法および装置を提供する。
【解決手段】融点がＭ_ａ（℃）の金属材料２、および融点がＭ_ｂ（℃）（ただし、Ｍ_ａ＞Ｍ_ｂ）の被覆金属材料４をそれぞれ溶融させる溶融工程と、溶融された金属溶湯２Ａを流出ノズル６から流出させる流出工程と、流出される金属溶湯２Ａに、溶融工程で溶融された被覆金属溶湯４Ａを吹き付けて、金属溶湯２Ａに被覆金属溶湯４Ａが付着された粒状体粒状体３０Ａを形成する溶湯吹き付け工程と、粒状体３０Ａを固化させてから、金属粉末として回収する回収工程とを備え、融点Ｍ_ａ、Ｍ_ｂは、Ｍ_ａ−Ｍ_ｂ＞１００を満足する。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、ＳｉおよびＢを総量として０．１〜１０％含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜を製造するスパッタリングターゲット材。また、上記ＳｉおよびＢの組成比が２：８〜６：４である、スパッタリングターゲット材、および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜にある。 （もっと読む）

【課題】粒度微細ながら耐酸化性、導電性のバランス共に損なわない銅粉、さらには形状や粒度のバラツキが小さく、低含有酸素濃度である導電性ペースト用銅粉を提供する。
【解決手段】 粒子内部にＰ（りん）を０．０１ａｔｍ％〜０．３ａｔｍ％、かつＧｅを０．１ａｔｍ％〜１０ａｔｍ％含有する導電性ペースト用銅粉。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの使用初期段階でのスプラッシュの発生を軽減し、これにより配線膜等に生じる欠陥を防止し、ＦＰＤの歩留りや動作性能を向上させることが可能なＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）−（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ａ群（Ｎｉ，Ｃｏ）から選択される少なくとも１種と、Ｂ群（Ｃｕ，Ｇｅ）から選択される少なくとも１種と、Ｃ群（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）から選択される少なくとも１種を各々含有するＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）−（Ｌａ，Ｇｄ，Ｎｄ）系合金スパッタリングターゲットを構成し、そのビッカース硬さ（ＨＶ）を３５以上にする。 （もっと読む）

【課題】結晶組織が粗くコスト高となる溶湯金属の急冷によるバルク金属ガラスに替えて、焼結法による高密度の極微細で均一な組織を有するターゲットを提供する。
【解決手段】非晶質又は平均結晶子サイズが５０ｎｍ以下の組織を備えている焼結体パッタリングターゲット、特に３元系以上の合金からなり、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、希土類金属から選択した少なくとも１元素を主成分とする焼結体パッタリングターゲットに関し、該ターゲットを、アトマイズ粉を焼結することによって製造する。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜用合金および薄膜製造用スパッタリングターゲット材、およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、Ｐおよび／またはＺｒを合計０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材。また、上記スパッタリングターゲット材はガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したもの、およびそれら上記スパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系薄膜。 （もっと読む）

【課題】結晶組織が粗くコスト高となる溶湯金属の急冷によるバルク金属ガラスに替えて、焼結法による高密度の極微細で均一な組織を有するターゲットを提供する。
【解決手段】非晶質又は平均結晶子サイズが５０ｎｍ以下の組織を備えている焼結体パッタリングターゲット、特に３元系以上の合金からなり、Ｚｒ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、希土類金属から選択した少なくとも１元素を主成分とする焼結体パッタリングターゲットに関し、該ターゲットを、アトマイズ粉を焼結することによって製造する。 （もっと読む）

【課題】面内均一性に極めて優れたＡｇ系薄膜を形成するのに有用なＡｇ系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ系スパッタリングターゲットのスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_ａｖｅを下記手順（１）〜（３）によって測定したとき、平均結晶粒径ｄ_ａｖｅは１０μｍ以下を満足している。 （手順１）スパッタリング面の面内に任意に複数箇所を選択し、選択した各箇所の顕微鏡写真（倍率：４０〜２０００倍）を撮影する。 （手順２）各顕微鏡写真について、井桁状または放射線状に４本以上の直線を引き、直線上にある結晶粒界の数ｎを調べ、各直線ごとに下式に基づいて結晶粒径ｄを算出する。 ｄ＝Ｌ／ｎ／ｍ 式中、Ｌは直線の長さ、ｎは直線上の結晶粒界の数、ｍは顕微鏡写真の倍率を示す。 （手順３）全選択箇所の結晶粒径ｄの平均値をスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_ａｖｅとする。 （もっと読む）