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Fターム[4K018AA04]の内容

粉末冶金 (46,959) | 製造目的金属、金属基合金 (5,030) | Cu、Cu基合金 (452) | Cu基合金 (261)

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【課題】粒径を微細化し、比表面積を増大させた耐弧成分を含有する接点材料の耐電圧特性を向上させる。
【解決手段】微細化された耐弧成分の粉末に所定の圧力を加えて圧粉体とし、この圧粉体に少なくとも導電成分のCuを溶浸し、Cuと耐弧成分と必要により第3成分を含有した合金からなる接点6、7を有する真空バルブ用接点材料であって、原料のままの粉末時、所定の圧力を加えて成形した圧粉体時、Cuを溶浸して合金にした時、のいずれかのとき、耐弧成分に付着している酸化物質を除去する熱処理を行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 機械加工性に優れ、主としてCu,Gaを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲット中の全金属元素に対し、Ga:15〜40原子%を含有し、さらに、Bi:0.1〜5原子%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有する。このスパッタリングターゲットの製造方法は、少なくともCu,GaおよびBiの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金を1050℃以上に溶解し、鋳塊を作製する工程を有する。または、少なくともCu,GaおよびBiの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金の粉末とした原料粉末を作製する工程と、原料粉末を真空、不活性雰囲気または還元性雰囲気で熱間加工する工程を有している。 (もっと読む)


【課題】 耐焼付き性に優れた無機化合物粒子を添加した銅系摺動材料を提供する。
【解決手段】 無機化合物粒子5の平均粒径が1〜10μm、無機化合物粒子5に対するCu合金マトリクス4の真密度の比が0.6〜1.4、無機化合物粒子5に対するCu合金マトリクス4の熱膨張係数の比が1.5〜3.0を満たし、Cu合金マトリクス4に分散した無機化合物粒子5の平均粒子間距離を5〜50μmとしたことで、Cu合金マトリクス4の全体が無機化合物粒子5との熱膨張量の差による影響を受けるようになる。このため、均質に活性状態となり、Cu合金マトリクス4の表面全体に早期に酸化膜及び硫化膜が形成されることで、耐焼付き性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】 Biを含有したCu合金において、合金素地中に分散するBi相の粒の形状を制御することで、耐焼付性に優れた銅系摺動材料を提供する。
【解決手段】 Cu合金層はBiを5〜30質量%含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる銅系摺動材料において、BiはCu合金層中にBi相の粒として分散し、Bi相は粒径が2〜50μmかつ円形度が0.1〜0.7を満たすものが、Cu合金層中の全Bi相のうち質量比で30%以上であることにより、Cu合金層内にBi相の粒が均一に分散した状態となるため、摺動材料の摩耗とともにCu合金層内部のBi相の粒が順次摺動面に露出する一方、溶融したBiの過度な流出が抑制されるため、良好な耐焼付性を有する。 (もっと読む)


【課題】溶着引き外しが容易な接点材料とその製造方法を得る。
【解決手段】CuとCrとTeからなる接点材料において、Cuを主体とした母材中にCr粒子、Te−Cu−Cr相とCu−Te相とが混在したCu−Cr−Te粒子、Cr−Te粒子が分散し、且つ母材とCr粒子との粒界にTe含有相を形成し、Cr含有量が40質量%以上50質量%以下、Te含有量が0.1質量%以上2.0質量%以下で、残部がCuである。製造方法は、混合粉末を焼結型に充填し、温度700℃以上1080℃以下、圧力30MPa以上200MPa以下でパルス通電加圧焼結を行う。 (もっと読む)


【課題】 高い精度で熱膨張が制御可能な金属基複合材料を実現する。
【解決手段】 本発明のある態様においては、少なくともある温度範囲で負の熱膨張を示す逆ペロフスカイト型マンガン窒化物の粉末と、金属相となる組成の単体金属または金属合金の粉末とを混合した混合粉を密閉状態において加熱することにより、金属相と逆ペロフスカイト型マンガン窒化物とが焼結により複合化されている熱膨張制御金属複合材料が提供される。また、熱膨張制御金属複合材料の製造方法も提供される。 (もっと読む)


【課題】鋼裏金と強固に接合したAl青銅焼結合金摺動材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】鋼裏金上に中間層となるCu−Sn焼結材料粉末を第一粉末層として散布し、その上にAl青銅焼結材料粉末を散布して摺動層となる第二粉末層を形成後、還元性或いは不活性ガス雰囲気下550〜750℃の温度範囲で一次焼結を行い、第一粉末層の焼結を進行させ、鋼裏金との接合および凝集固化した第二粉末層との密着性を高め、続いて第二粉末層を緻密化させるために加圧圧縮を施し、第二粉末層の密度を高めた後、二次焼結を還元性或いは不活性ガス雰囲気、840〜950℃の温度で施し、第一粉末層から発生する遷移的な液相により、第二粉末層の焼結促進と、中間層を介した鋼裏金と摺動層間の焼結・接合をより強固にし、最表層に鋼裏金と強固に接合したAl青銅焼結合金層を形成したAl青銅焼結合金摺動材料を得る。 (もっと読む)


【課題】Cu系の軸受けや摺動部品などに使用される焼結部品のさらなる高強度化および小型複雑形状化に対応する原料粉末として、焼結体組織を均一化し、高い成形性の圧粉体と高強度な焼結体が得られる粉末冶金用のCu−Sn−Ni系の原料粉末を提供する。
【解決手段】重量比でSnを3〜12%含み、Niを5〜15%含み、Pを0.05〜1.0%含み、残部がCuおよび不可避不純物からなることを特徴とする粉末冶金用の混合粉末である。 (もっと読む)


【課題】この発明の真空バルブ用接点の製造方法は、内部のポアが少なく密度の高い真空バルブ用接点を得る。
【解決手段】この発明に係る真空バルブ用接点の製造方法は、圧粉体を成形する圧粉体成形工程と、この圧粉体を焼結して板状のCrスケルトン1を形成するスケルトン形成工程と、このCrスケルトン1を板厚中央部で二分割に切断して切断面を形成する分割切断工程と、前記切断面の中央部にCu板2を載置する載置工程と、Cu板2を加熱して溶融したCuをCrスケルトン1の内部に浸透させる溶浸工程とを備えたものである。 (もっと読む)


【課題】従来になく高い充填密度を有する混合導電粉を用いた導電ペーストを提供する。
【解決手段】相対充填密度が68%以上である混合導電粉と樹脂バインダとを含む導電ペーストであって、前記混合導電粉が、実質的に球状で表面が平滑化された銀被覆銅粉60〜96重量%と銀粉4〜40重量%とを含み、前記銀被覆銅粉が、銀および銀と銅との合金により銅粉の表面が部分的に被覆され、銀の合計量が銅に対して3〜30重量%である銀被覆銅粉の表面に、銀被覆銅粉に対して0.02〜1.0重量%の量の脂肪酸が付着してなる実質的に球状の脂肪酸付着銀被覆銅粉である導電ペースト。 (もっと読む)


【課題】複雑形状の導電性成形体を高密度にかつ短時間で成形できる導電性成形体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、第1の導電性粉末を成形して得られた予備成形体を放電プラズマ焼結法により焼結して導電性成形体を得る工程を有する導電性成形体の製造方法であって、前記工程において、前記予備成形体に対して第2の導電性粉末を介して圧力を付与しながら直流パルス電流を流通して前記予備成形体を焼結する製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 機械加工性に優れ、主としてCu,Gaを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットは、Ga:20〜40at%、Sb:0.1〜3at%、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有する。このスパッタリングターゲットの製造方法は、少なくともCu,GaおよびSbの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金として粉末とした原料粉末を作製する工程と、前記原料粉末を真空、不活性雰囲気、または還元性雰囲気で熱間加工する工程を有し、前記原料粉末に含まれるGaがCuGa合金またはGaSb合金として含有されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】軸受に適した硬度を持つことで耐磨耗性に優れ、更に、低摩擦の特性を持つことで摺動性に優れた摺動材料を提供する。
【解決手段】Cu-Ni-Si系合金で構成される摺動材料で、Niを0.5〜10.0質量%、Siを0.1〜5.0質量%、Crを0.1〜5.0質量%含み、残部がCuと不可避的な不純物からなり、不純物レベルでSnを含む。低摩擦の特性を持たせて摺動性を向上させるためには、Biを含むことが好ましく、Biを2.0〜20.0質量%含むことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 割れや、バッキングプレートやバッキングチューブに対する剥がれが生じ難いスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、CuGa合金粉末とCu粉末との混合粉末を、金属基体上に溶射してスパッタリングターゲットを形成する工程を有する。これによって作製されたターゲットは、互いに不定形なCuGa合金相と純Cu相とが、相互に食い込み合った組織を有している。 (もっと読む)


【課題】熱膨張率が小さく、かつ熱伝導率が大きいCr−Cu合金を用いて、製造プロセスが簡略で、経済的で生産性が高く、高精度の半導体用放熱部品および半導体用ケース,半導体用キャリア,パッケージを提供する。
【解決手段】粉末冶金法を適用して製造したCr−Cu合金に加工を施して得たCr−Cu合金板を冷間プレス加工した成形体であり、かつCr含有量が30質量%超え80質量%以下で残部がCuおよび不可避的不純物からなり、不可避的不純物がO:0.15質量%以下,N:0.1質量%以下,C:0.1質量%以下,Al:0.05質量%以下,Si:0.10質量%以下である半導体用放熱部品である。 (もっと読む)


【課題】 太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための低酸素Cu−Ga系合金粉末、およびスパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子%で、Gaを25%以上、40%未満含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が200ppm以下としたCu−Ga系合金粉末。また、原子%で、Gaを25%以上、40%未満含み、残部Cuおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が250ppm未満、かつ結晶粒径が10μmを超え、100μm以下としたCu−Ga系合金スパッタリングターゲット材。さらには、上記Cu−Ga系合金粉末を原料とし、これを400〜850℃の温度で固化成形するCu−Ga系スパッタリングターゲット材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高い制動力と優れた制動力の高温安定性を有する焼結摩擦材料の提供。
【解決手段】質量%で、7.5%以上のFe、50%以上のCu、5〜15%の黒鉛、0.3〜7%の二流化モリブデンおよび0.5〜10%のシリカを含有し、Fe/Cuが0.15〜0.40である焼結摩擦材料。 (もっと読む)


【課題】剛性を維持しつつ耐候性、断熱性に優れた軽量構造体を提供する。
【解決手段】軽量構造体1は、連続した骨格により形成される複数の気孔が連通した三次元網目状構造を有する気孔率の異なる二種類の多孔質金属体2,3により構成され、複数の空間部31を有する枠状に形成された気孔率の低い高密度多孔質金属体3と、空間部31内に組み込まれ高密度多孔質金属体3よりも気孔率の高い低密度多孔質金属体2とを有する多孔質層4により形成されている。 (もっと読む)


【課題】潤滑性、低トルク性等の保持器の性能を向上させるための加工部を積極的に設けた保持器をMIM法によって成型することによって、これらの諸性能を向上させた保持器を低コストで提供することである。
【解決手段】軸方向両端の環状部13と、その環状部13相互間を一定間隔で連結する多数の柱部14と、柱部14相互間に設けられたポケット部15とによって構成された転がり軸受用保持器において、前記環状部13、柱部14、ポケット部15の一部または全部に、潤滑性、低トルク性等の保持器性能の向上を図るための給油溝17等の加工部が設けられ、その加工部を含む全体がMIM法により成型された構成とした。 (もっと読む)


【課題】圧粉体および焼結体のように接合面の表面状態にばらつきがあっても、高い接合強度を維持することができるろう材を提供する。
【解決手段】本発明の銅基ろう材は、全体を100質量%としたときに(以下単に「%」という)、20%以上36%以下のNiと、19%以上30%以下のMnと、0%以上16%以下のFeと、0%を超え2%以下のSiと、0.1%以上0.5%以下のBと、残部がCuと不可避不純物および/または改質元素と、を含む。Feを含まない場合のMnの含有量に対するNiの含有量(Ni/Mn)は、1.1以上2以下である。 (もっと読む)


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