【課題】熱膨張率が小さく、かつ熱伝導率が大きいCr−Cu合金を用いて、製造プロセスが簡略で、経済的で生産性が高く、高精度の半導体用放熱部品および半導体用ケース，半導体用キャリア，パッケージを提供する。
【解決手段】粉末冶金法を適用して製造したCr−Cu合金に加工を施して得たCr−Cu合金板を冷間プレス加工した成形体であり、かつCr含有量が30質量％超え80質量％以下で残部がCuおよび不可避的不純物からなり、不可避的不純物がＯ：0.15質量％以下，Ｎ：0.1質量％以下，Ｃ：0.1質量％以下，Al：0.05質量％以下，Si：0.10質量％以下である半導体用放熱部品である。 （もっと読む）

【課題】ＨＤＤＲ法を用いて良好な角型性と高い保磁力を有するＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を提供する。
【解決手段】 ５０％体積中心粒径が１μｍ以上１０μｍ未満であり、Ｒ₂Ｔ₁₄Ｂ相を含むＲ−Ｔ−Ｂ系合金（ＲはＮｄおよび／またはＰｒを５０原子％以上含む希土類元素、ＴはＦｅ、またはＦｅとＣｏ）の粉末を用意する。この粉末を成型して圧粉体を作製する。圧粉体を２５０℃以上６００℃以下の温度の水素雰囲気中で熱処理を施す第一熱処理工程と、圧粉体に対し、６５０℃以上１０００℃以下の水素雰囲気中で熱処理を施す第二熱処理工程と、圧粉体に対し、６５０℃以上１０００℃以下の真空または不活性雰囲気中で熱処理を施す第三熱処理工程とを実行する。第一熱処理工程終了時から第二熱処理工程の開始時までの昇温は、真空または不活性雰囲気中で行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、導電性及び耐マイグレーション性に優れた銀コート銅粉とその製造法、該銀コート銅粉を含有する導電性ペースト、導電性接着剤、導電性膜、及び電気回路に関する。
【解決手段】 銅粉末と銀微粒子粉末とを混合攪拌して銅粉末の粒子表面に銀微粒子粉末を付着させる銀コート銅粉の製造法において、全処理工程を乾式で行うと共に、銀微粒子粉末として粒子表面を分散剤により表面被覆された銀微粒子粉末を用いることで、導電性及び耐マイグレーション性に優れた銀コート銅粉を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】焼成型導電性ペーストの銀粉として用いたとき、当該焼成型導電性ペーストの焼成の際、ガス発生に起因する膨張が起こらない銀粉およびその製造方法、並びに導電性ペーストを提供する。
【解決手段】５０〜９００℃の範囲において、５０℃における値を基準とした熱膨張率の最大値が０．３％以下であり、かつ、ＢＥＴ値（比表面積）が０．１ｍ^２／ｇ以上０．９ｍ^２／ｇ以下である銀粉を提供する。 （もっと読む）

【課題】均一な組成のＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】Ｃｕ粉末を、水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で１５０℃〜３００℃の温度で撹拌し、撹拌したＣｕ粉末に、Ｇａを１０質量％〜４５質量％の割合で配合した混合粉末を、真空又は不活性雰囲気中で３０℃〜３００℃の温度で攪拌することにより、直接、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を形成する。Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度で熱処理し、熱処理したＣｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度と、５ＭＰａ〜３０ＭＰａのプレス圧力とでホットプレス法により焼結する。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕターゲットの代替として用いることができるＲｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＲｕとＰｄを主要成分として含有するＲｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲットであって、Ｒｕを１〜４０ａｔ％含有して残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＲｕ−Ｐｄ合金相と、不可避的不純物を含むＲｕ相とが互いに分散した構造を有するようにする。
また、Ｒｕを１〜４０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＲｕ−Ｐｄ合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ｒｕ−Ｐｄ合金粉末に、粉末全体に対するＰｄの含有量が１〜５０ａｔ％となるように不可避的不純物を含むＲｕ粉末を混合して混合粉末を作製した後、作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形して、Ｒｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】原料鉄粉である粗製鉄粉の不純物濃度によらず、安定して所望の目標濃度範囲の製品鉄粉を、生産性高く製造できる、鉄粉の仕上熱処理方法および仕上熱処理装置を提供する。
【解決手段】粗製鉄粉を連続式移動床９に載置して、連続的に仕上熱処理装置に装入し、該粗製鉄粉に、まず予備処理ゾーン３１で、水素ガスおよび／または不活性ガス雰囲気中で450〜1100℃の温度域に加熱する予備処理を施し、ついで、脱炭ゾーン、脱酸ゾーン、脱窒ゾーンで、脱炭、脱酸、脱窒のうちの少なくとも２種の処理を施す。予備処理ゾーンでは、前記した少なくとも２種の処理で使用する雰囲気ガスとは別に、雰囲気ガスとして水素ガスおよび／または不活性ガスを連続式移動床９の移動方向と同一方向の流れとなるように、予備処理ゾーン３１の上流側から導入５０し、下流側から排出６するようにする。 （もっと読む）

【課題】酸素等の不純物の量の少ないＰｄ合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐｄを主要成分として含有するＰｄ合金系スパッタリングターゲットであって、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなり、ターゲット全体に対する酸素含有量を２０００質量ｐｐｍ以下にする。
また、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＰｄ合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ｐｄ合金粉末を加圧下で加熱して成形してＰｄ合金系スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】安価であり、厳しい高温条件下においても伸縮性が高くかつ耐磨耗性を両立する溶射材料の提供する。
【解決手段】ＮｉＣｒ合金と、Ｃｒ₃Ｃ₂とを含み、造粒焼結法により粒子状に形成され、前記ＮｉＣｒ合金におけるＣｒ含有量が４０〜５０質量％である溶射材料。前記溶射材料は、Ｃｒ₃Ｃ₂を１００質量％とする場合のＮｉＣｒ合金の配合比が、２５〜３５質量％であるのが好ましい。また、基材の表面に、本発明の溶射材料を高速フレーム溶射することにより、前記基材上に溶射被膜を形成する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】切削性能、耐熱亀裂性、および寸法精度に優れた刃先交換型切削チップを提供する。
【解決手段】本発明の刃先交換型切削チップは、少なくとも基材を含むものであって、該基材は、８．５〜１２．５質量％の鉄系金属と、０．２８〜１．１３質量％のＴａと、不可避不純物とを含み、かつ残部がＷＣである超硬合金からなり、該超硬合金の組織中のＷＣ粒子は、０．８〜２μｍの平均粒子径であり、基材の抗磁力をＨＣ（ｋＡ／ｍ）とし、基材に含まれるＣｏの質量％をＭ_Ｃｏ（質量％）とすると、下記式（Ｉ）を満たし、かつ超硬合金の組織中にＴａを主成分とする相が析出していないことを特徴とする。
−１．２×Ｍ_Ｃｏ＋３１．７≧ＨＣ≧−１．２×Ｍ_Ｃｏ＋２７．２ ・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】希土類元素の組成比率がＲ₂Ｆｅ₁₄Ｂの化学量論組成より少ない磁石粉末を用いて比較的低い熱間成形圧力で残留磁束密度Ｂ_rの高い等方性磁石を製造する。
【解決手段】本発明のバルク磁石の製造方法では、まず、希土類元素Ｒ（ＲはＬａおよびＣｅを実質的に含まない少なくとも１種の希土類元素）の含有量が２原子％以上１２原子％以下の組成であるＲ−Ｆｅ−Ｂ系急冷合金磁石粉末の粒子と、希土類元素Ｒ’（Ｒ’は、Ｎｄ、Ｐｒ、ＤｙおよびＴｂからなる群から選択された少なくとも１種の元素）を含有する希土類含有粉末の粒子とが混合した混合粉末であって、前記希土類含有粉末の割合が全体の１質量％以上３０質量％以下の範囲にある混合粉末を用意する。この混合粉末を加圧しながら５００℃以上８５０℃以下の温度に加熱して成形し、バルク磁石を形成する。 （もっと読む）

【課題】高温強度等に非常に優れた耐熱高強度アルミニウム合金を提供する。
【解決手段】本発明の耐熱高強度アルミニウム合金は、全体を１００質量％（以下単に「％」という）としたときに、Ｆｅ：３〜６％、Ｚｒ：０．６６〜１．５％、Ｔｉ：０．６〜１％、Ｔｉに対するＺｒの質量比（Ｚｒ／Ｔｉ）：１．１〜１．５、残部：Ａｌと不可避不純物および／または改質元素となる合金組成を有することを特徴とする。本発明の耐熱高強度アルミニウム合金は、主に母相とＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物相（第一化合物相）からなり、この第一化合物相との境界近傍にある母相中にＬ１_２型Ａｌ−（Ｚｒ、Ｔｉ）系金属間化合物（第二化合物相）が整合的に析出し得る。この第二化合物相は高温環境下でも安定であり、高温強度等を担う第一化合物相の粗大化等を第二化合物相が阻止することにより、本発明の耐熱高強度アルミニウム合金は優れた耐熱性を発揮すると考えられる。 （もっと読む）

【課題】Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石薄膜などの永久磁石薄膜の磁気特性を向上させることができる、永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法の提供。
【解決手段】原子比率による組成式が、Ｒ_ｘＴ_{１００−ｘ−ｙ}Ｍ_ｙ（Ｒは希土類元素のうち少なくとも一種であってＮｄ及び／又はＰｒを必ず含み、Ｔは遷移元素のうち少なくとも一種であってＦｅを必ず含み、ＭはＢ又はＢとＣであって５０原子％≦Ｂ／Ｍを満足する）で表され、ｘ、ｙが、１７≦ｘ≦２０、７≦ｙ≦１０を満足する組成からなり、酸素含有量が１５００ｐｐｍ以下の焼結体である。 （もっと読む）

【課題】導電性及び耐マイグレーション性に優れた導電性粒子を提供する。
【解決手段】銀粒子と、銀粒子を被覆する銀合金及び銀複合材から選ばれる少なくとも１種類以上の被覆材とを備える導電性粒子を構成する。 （もっと読む）

【課題】過酷条件下においても優れた耐食性を有するとともに、優れた磁気特性を有する表面改質されたＲ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石およびその製造方法を提供する。
【解決手段】表面改質されたＲ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石は、２５〜４０質量％の希土類元素：Ｒ、０．６〜１．６質量％のＢ、０〜１．０質量％のＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ，Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ、およびＢｉからなる群から選択される少なくとも１種の添加元素：Ｍ、残部は、磁石全体の０．０１〜２．５質量％がＣｏによって置換されたＦｅ、および不可避不純物からなる組成を有するもので、表面改質された部分が少なくとも４層を有する改質層からなり、この改質層が、磁石の内側から順に、Ｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｂおよび酸素を含む主層、Ｃｏ濃化層、Ｒ濃化層、最表層を少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】めっき法以外の方法によって、スズと鉄とタングステンからなる耐食性の三元合金皮膜を基材上に形成させる方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基材表面にスズ、鉄及びタングステンからなる耐食性合金皮膜を形成させる方法であって、
スズ、鉄及びタングステンの金属粉末を混合し、圧縮成形することによって、スパッタリングターゲットを形成する工程Ａと、
真空チャンバー内に前記基材と前記スパッタリングターゲットとを対向させ、スパッタリング法によってスズ、鉄及びタングステンからなる合金皮膜を形成する工程Ｂとを有し、
前記金属粉末は、タングステンの質量を１とした場合、スズの質量は５以上７以下であり、鉄の質量は２以上４以下である、ことを特徴とする方法に関する。耐食性合金皮膜の結晶構造は、アモルファスである。 （もっと読む）

【課題】 優れた耐食性を有するとともに、優れた磁気特性を有する表面改質されたＲ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石の製造方法を提供すること。
【解決手段】 酸素分圧が１×１０^３Ｐａ〜１×１０^５Ｐａで水蒸気分圧が１０００Ｐａ未満であり、かつ、酸素分圧と水蒸気分圧の比率（酸素分圧／水蒸気分圧）が１〜２００００（但し１を除く）の雰囲気を、処理室内の容積１ｍ^３あたりの雰囲気ガスの導入を酸素流量として０．０２８ｍ^３／分以上、かつ、全体流量として３ｍ^３／分以下の条件で行うことで処理室内が陽圧状態になるようにして形成し、酸素含有量が０．１質量％以下のＲ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石に対し、２３０℃〜２６０℃で熱処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
Ｗ−ＴｈＯ_２合金からなる陰極材料の代替材料となる、放射性元素であるトリウムを含まないタングステン合金からなる陰極材料を提供する。
【解決手段】ＴＩＧ、プラズマ溶射、プラズマ切断、放電加工、放電灯等に使用される放電陰極材料として用いられるタングステン陰極材料に希土類酸化物粒子とタングステン炭化物を微細分散させることで、希土類酸化物の還元と拡散を促進し、陰極表面への希土類元素の供給を確保し放電特性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】低損失な圧粉成形体、及びその圧粉成形体を製造することができる圧粉成形体の製造方法、圧粉成形体を具えるリアクトル、コンバータ、電力変換装置を提供する。
【解決手段】軟磁性粒子の外周に絶縁被膜が被覆された被覆軟磁性粒子を複数具えてなる被覆軟磁性粉末を用いて圧粉成形体を製造する方法で、素材準備工程と、照射工程とを具える。素材準備工程では、被覆軟磁性粉末を加圧成形した素材成形体を用意する。照射工程では、素材成形体の表面の一部にレーザを照射する。素材成形体の表面の一部にレーザを照射することにより、素材成形体の表面で複数の軟磁性粒子の構成材料同士が導通した導通部の分断箇所を増加することができ、圧粉成形体の損失を低減できる。 （もっと読む）

【課題】ＨＤＤＲ磁粉を用い、重希土類元素の使用を抑えつつ、高い保磁力をもったＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＤＤＲ法によるＲ−Ｔ−Ｂ系粉末（Ｒは、Ｎｄ及び／又はＰｒをＲ全体に対して９５原子％以上含む希土類元素、ＴはＦｅ又はＦｅの一部をＣｏ及び／又はＮｉで置換した、Ｆｅを５０原子％以上含む遷移金属元素）と、Ｒ’（Ｎｄ及び／又はＰｒをＲ’全体に対して９０原子％以上含み、ＤｙおよびＴｂを含まない希土類元素）と２５原子％以上６５原子％以下のＡｌからなるＲ’−Ａｌ系合金粉末とを準備する。Ｒ−Ｔ−Ｂ系粉末に対するＲ’−Ａｌ系粉末の質量比を１／１０以下とした混合粉末を、Ｒ₂Ｔ₁₄Ｂ相のキュリー点以下の温度で成形した圧粉体を５５０℃以上Ｒ’−Ａｌ系合金粉末の液相滲み出し開始温度Ｔ_p以下で熱間圧縮成形し、不活性雰囲気または真空中において５５０℃以上９００℃以下の温度で熱処理する。 （もっと読む）