【課題】粉体ベースのアディティブ・マニュファクチュアリング方法によって、ＮｉもしくはＣｏもしくはＦｅ又はそれらの組み合わせをベースとする耐熱超合金から構成される部品又はクーポン、すなわち部品の一部を製造する方法であって、テーラーメードの機械的特性の獲得に関して最適化された方法を提供する。
【解決手段】ＮｉもしくはＣｏもしくはＦｅ又はそれらの組み合わせをベースとする耐熱超合金から構成される部品又はクーポンの製造方法であって、ａ）前記の部品もしくはクーポンを、粉体ベースのアディティブ・マニュファクチュアリングプロセス（そのプロセスの間には、粉体は完全に溶融され、その後に固化される）によって形成する工程と、ｂ）前記の形成された部品もしくはクーポンを、特定の材料特性の最適化のために熱処理に供する工程とを含む方法において、ｃ）前記熱処理を、鋳造された部品もしくはクーポンと比較してより高い温度で行う。 （もっと読む）

【課題】効率的な原料粉末供給を可能とする三次元形状造形物の製造方法を提供すること。
【解決手段】（ｉ）原料粉末から成る粉末層の所定箇所に光ビームを照射してその所定箇所の原料粉末を焼結又は溶融固化させて固化層を形成する工程、および、（ｉｉ）得られた固化層の上に新たな粉末層を形成し、新たな粉末層の所定箇所に光ビームを照射して更なる固化層を形成する工程を繰り返して行う三次元形状造形物の製造方法であって、光ビームの照射位置データに基づいて、新たな粉末層のうちの必要な造形領域を特定し、その特定された造形領域に原料粉末を局所的に供給することを特徴とする三次元形状造形物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】固化層形成時の沈み込みに好適に対処した「三次元形状造形物の製造方法」を提供すること。
【解決手段】（ｉ）造形プレート上に設けた粉末層の所定箇所に光ビームを照射して前記所定箇所の粉末を焼結又は溶融固化させて固化層を形成する工程、および、（ｉｉ）得られた固化層の上に新たな粉末層を形成し、前記新たな粉末層の所定箇所に光ビームを照射して更なる固化層を形成する工程を繰り返して行い、粉末層の形成は、造形テーブルを下降変位させた後、スキージング・ブレードを造形テーブル上にてスライド移動させることにより行っており、「第２層目以降の各粉末層を形成するための造形テーブルの下降変位幅」を「第１層目の粉末層を形成するための造形テーブルの下降変位幅」とは異なるように変更する、あるいは、「第２層目以降の各粉末層を形成するためのスキージング・ブレードの上昇変位幅」を「第１層目の粉末層を形成するためのスキージング・ブレードの上昇変位幅」とは異なるように変更することを特徴とする、三次元形状造形物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複雑形状の導電性成形体を高密度にかつ短時間で成形できる導電性成形体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、第１の導電性粉末を成形して得られた予備成形体を放電プラズマ焼結法により焼結して導電性成形体を得る工程を有する導電性成形体の製造方法であって、前記工程において、前記予備成形体に対して第２の導電性粉末を介して圧力を付与しながら直流パルス電流を流通して前記予備成形体を焼結する製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】成膜の品質を向上させるルテニウム合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ルテニウム粉末とルテニウムよりも酸化力が強い金属粉末との混合粉末を焼結して得られるルテニウム合金焼結体ターゲットであって、ガス成分を除くターゲットの純度が99．95wt％以上であり、ルテニウムよりも酸化物を作りやすい金属を5at%〜60at%含有し、相対密度が99％以上、不純物である酸素含有量が1000ｐｐｍ以下であることを特徴とするルテニウム合金スパッタリングターゲットであり、ターゲット中に存在する酸素を低減させて、スパッタ時のアーキングやパーティクルの発生を少なくし、焼結密度を向上させてターゲットの強度を高め、さらにSi半導体へ微量添加されているB及びPの組成変動を防止するために、ターゲット中のB及びP不純物の量を厳しく制限する。 （もっと読む）

【課題】 割れや、バッキングプレートやバッキングチューブに対する剥がれが生じ難いスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、ＣｕＧａ合金粉末とＣｕ粉末との混合粉末を、金属基体上に溶射してスパッタリングターゲットを形成する工程を有する。これによって作製されたターゲットは、互いに不定形なＣｕＧａ合金相と純Ｃｕ相とが、相互に食い込み合った組織を有している。 （もっと読む）

【課題】軟磁性金属材料を用いた圧粉成形体は、形状によって充分な強度を得られず、歪取りのための熱処理の際に寸法形状が変化したり、磁気特性が低下する場合があった。
【解決手段】本発明による圧粉成形体の製造方法は、３つまたは４つの官能基を持つエポキシ樹脂を結合剤として用い、軟磁性金属粒子を含む金属粒子を加圧して所定の形状に成形することにより成形体を得るステップと、得られた成形体を焼鈍して残留応力を除去するステップとを具えるが、脂環式化合物を含む硬化剤を結合剤に添加するステップや、結合剤を加熱してこれを硬化させるステップをさらに具えることもできる。これによって製造された圧粉成形体は、例えば磁気センサーの磁気シールドとして好適である。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン電池、キャパシタ、燃料電池等の二次電池の集電体や、各種フィルタ、触媒担持体等に適し、その切断面においても高耐食性を有する金属多孔体とその製造方法の提供。
【解決手段】少なくともＮiとＣrとを含む合金からなる３次元網目状構造を有する金属多孔体であって、該金属多孔体の骨格が中空の芯部と外殻とからなり、該外殻の断面を厚み方向に均等に外側、中央部、内側に３分割して、外側部分、中央部部分、内側部分におけるＣrの重量パーセント濃度をそれぞれａ、ｂ、ｃとしたとき、該ａ、ｂ、ｃが式（１）の関係を満たすことを特徴とする金属多孔体。
｜（ａ＋ｃ）／２−ｂ｜÷（ａ＋ｂ＋ｃ）／３ ＜ ０．２０ （１） （もっと読む）

【課題】 バラツキが少なく高い抗折強度を備えた超硬合金と、これを用いて小径孔あけ加工や高送り切削に対しても優れた耐折損性を有する回転工具を提供する。
【解決手段】 平均粒径が０．１〜０．４μｍの炭化タングステン粒子２、２間を３〜１３質量％のコバルトを主体とする結合相３にて結合した超硬合金１の透過型電子顕微鏡観察において、粒径０．０５μｍ以下の炭化タングステン粒子４の数が炭化タングステン粒子２全体の数に対して１０％以下、抗磁力３４，０００〜５６，０００Ａ／ｍ、コバルト１質量％当りの換算で飽和磁化率１．３５〜１．６５μＴｍ^３、かつ超硬合金を粉砕し、＃２０メッシュを通した粉砕粉末を５０℃の希塩酸（ＨＣｌ：Ｈ_２Ｏ＝１：１）中で２４時間溶解してろ過したろ液中に、ろ液中の総金属量に対してタングステンを８〜２４質量％、クロムを３〜６質量％、バナジウムを０．６〜１．５質量％の割合で含有する。 （もっと読む）

【課題】 加工作用力の制御性が高く、安定した加工強度を有する粉末粒子の整形設備及び方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、粉末粒子の整形設備に関し、外部圧力の変化に応じて多種の形態に変換することが可能な密閉チェンバーを有し、前記密閉チェンバーは、形態の変換中にその内部に充填された粉末粒子を押圧し移動させるものであることを特徴とする。更に粉末粒子整形方法に関し、整形される粉末を、密閉チェンバーを満たすように充填するa工程と、多種の形態に変化するように密閉チェンバーに対して変動する外部圧力を加え、前記粉末粒子を押圧して移動させ且つ摩擦させるb工程とを含有することを特徴とする。本発明は、粉末粒子への整形加工力の制御性が高く、加工強度が安定的であり、各種の粉体の整形及び粉砕に適し、分散した塊りの粉砕及びその更なる整形処理にも好適である。 （もっと読む）

【課題】面内均一性に極めて優れたＡｇ系薄膜を形成するのに有用なＡｇ系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ系スパッタリングターゲットのスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveを下記手順（１）〜（３）によって測定したとき、平均結晶粒径ｄ_aveは１０μｍ以下を満足する。（手順１）スパッタリング面の面内に任意に複数箇所を選択し、選択した各箇所の顕微鏡写真（倍率：４０〜２０００倍）を撮影する。（手順２）各顕微鏡写真について、井桁状または放射線状に４本以上の直線を引き、直線上にある結晶粒界の数ｎを調べ、各直線ごとに下式に基づいて結晶粒径ｄを算出する。ｄ＝Ｌ／ｎ／ｍ式中、Ｌは直線の長さ、ｎは直線上の結晶粒界の数、ｍは顕微鏡写真の倍率を示す。（手順３）全選択箇所の結晶粒径ｄの平均値をスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveとする。 （もっと読む）

【解決課題】金属などの高温溶湯を高圧のガスにより噴霧、微粒化して成形体を製造するに当って、機械的性質に優れた高品質の成形体を高い歩留で得るためのガスアトマイザーを提供すること。
【解決手段】流下する高温溶湯（Ｓ）を高圧ガスにより噴霧、微粒化して成形体（５）を製造するガスアトマイザー（Ａ）において、前記高温溶湯流（Ｓ）を包囲する高圧ガス室（ＧＲ）と、この高圧ガス室（ＧＲ）の下部内側に連通して配設された噴霧用ノズル（ＡＮ）と、同高圧ガス室（ＧＲ）の下部外側に連通して配設された冷却用ノズル（ＣＮ）とからなることを特徴とする高温溶湯のガスアトマイザー（Ａ）。 （もっと読む）

【課題】コンデンサのさらなる大容量化を容易に実現可能な技術を提供する。
【解決手段】本発明のコンデンサ用電極体の製造方法は、弁作用金属およびその合金の少なくとも一方からなる第１金属粒子７の２次粒子の空孔部に、第１金属粒子７よりも優先的に除去される第２金属粒子１３を含む複合粒子１４を、陽極用基材５上に吹き付けることにより複合層１５を形成する第１の工程と、複合層１５から第２金属粒子１３を除去する第２の工程とを含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】スクレーパーブレード８５の先端の調節作業に要する時間を大幅に短縮すること。
【解決手段】スクレーパーシャフト７３の外周面にスクレーパーアーム８１がスクレーパーシャフト７３の軸心周りに回転可能に嵌合して設けられ、スクレーパーアーム８１には、金属粉末を均しながら掻き寄せるスクレーパーブレード８５が設けられ、スクレーパーシャフト７３の外周面に基準ピン８７が一体的に設けられ、スクレーパーアーム８１の一側面に基準ピン８７に一方側から当接可能なボールプランジャ８９が螺合して設けられ、スクレーパーアーム８１の他側面に基準ピン８７に他方側から当接可能なスプリングプランジャ９１が螺合して設けられていること。 （もっと読む）

内燃エンジン、特に２ストローククロスヘッドエンジン、の燃料弁ノズル（１）が、合金鋼のコア部分（４）を備えた弁ヘッド（３）及び燃焼室に向かうノズルの表面を形成する外側面（５）を有する。外側面（５）は、ニッケルベース、クロムベース及びコバルトベースでの高温腐食抵抗合金の微粒子種材料から形成される。この微粒子種材料は、粘着性の層に結合される。少なくともコア部分（４）への遷移区域において、外側面（５）の微粒子材料内の粒子は、外側面及びコア部分を鍛造することにより生じるせん断歪によって卵形状又は細長い形状へと変形され、鍛造された外側面（５）は、少なくとも９８．０％の密度を有する。 （もっと読む）

【課題】 水素吸蔵合金がアルカリ蓄電池内でアルカリ電解液によって酸化されるのを十分に抑制して、アルカリ蓄電池のサイクル寿命特性を向上させるアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金電極を提供する。
【解決手段】 導電性基板に水素吸蔵合金粉末、水溶性のバインダー、フッ素オイル及び界面活性剤を充填したアルカリ蓄電池用水素吸蔵電極であって、前記界面活性剤が、45℃以上の曇点を有するポリオキシエチレンアルキルエーテルであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金型材料自体を潤滑特性の良い材料とすることを目的とする。
【解決手段】炭素粉末が１〜１０vol％混入された工具鋼粉末が固化されてなる金型材料であって、ビッカース硬さが８００〜１１００であり、相手材を電気亜鉛めっき鋼とし、負荷応力０．４MPa、すべり速度３０mm／min、すべり距離１２mmとした摩擦試験の場合における摩擦係数が０．１〜０．１５である。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性無機充填粉末などの無機充填粉末を高密度で均一な分散状態で安定に保持することができ、しかも高い形態保持性を有し、凹凸面に対しても密着性にも優れた構造体を提供する。
【解決手段】三次元方向に伸びる針状部または片状部を有する針状または細片状の無機基材粉末と、この無機基材粉末と同じか、あるいは無機基材粉末よりも小さい粒径を有する無機充填粉末との混合物からなり、この混合物は前記無機基材粉末および無機充填粉末のそれぞれ単独での合計体積よりも７０％以下に体積が減嵩されており、かつ形態保持性を有する構造体６であり、前記無機基材粉末と無機充填粉末との予備混合物を振とうして得られる。 （もっと読む）

【解決課題】初期起動電流（ＩＳ）１Ａ以上の高容量用途のモーターの整流子に適用可能であり、摩耗が非常に少なく、耐久性が良好な摺動接点材料を提供する。
【解決手段】本発明は、Ａｇ合金マトリックス中に金属酸化物粒子を分散させてなる摺動接点材料において、Ａｇ合金マトリックスは、ＡｇにＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ及びＣｕの１種又は２種以上を０．０１〜１０．０重量％含むＡｇ合金であり、金属酸化物として、Ｔａ酸化物を０．１〜３．０重量％分散させてなる摺動接点材料である。本発明は、更に、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ及びＺｎの1種又は２種以上の金属酸化物粒子を０．１〜１０．０重量％分散させても良い。そして、これらの摺動接点材料は、Ｃｕ又はＣｕ合金のベース材料上の一部に埋設したクラッド複合材の形態で使用される。 （もっと読む）

【課題】膜の成分組成の均一性（膜均一性）に優れたＣｕ−Ｇａスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａを含むＣｕ基合金からなるスパッタリングターゲットであって、その平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、かつ気孔率が０．１％以下であることを特徴とするＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）