【課題】 機械加工性に優れ、主としてＣｕ，Ｇａを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲット中の全金属元素に対し、Ｇａ：１５〜４０原子％を含有し、さらに、Ｂｉ：０．１〜５原子％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。このスパッタリングターゲットの製造方法は、少なくともＣｕ，ＧａおよびＢｉの各元素を単体またはこれらのうち２種以上の元素を含む合金を１０５０℃以上に溶解し、鋳塊を作製する工程を有する。または、少なくともＣｕ，ＧａおよびＢｉの各元素を単体またはこれらのうち２種以上の元素を含む合金の粉末とした原料粉末を作製する工程と、原料粉末を真空、不活性雰囲気または還元性雰囲気で熱間加工する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】ＤｙやＴｂの使用量を低減するか又はこれらの重希土類元素を使用することなしに、高い保磁力を有するＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石を製造するための方法を提供する。
【解決手段】アモルファス組織を有するＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石原料を用意する工程、及び前記Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石原料を５２５℃以上６００℃以下の温度及び５０ＭＰａ以上３００ＭＰａ以下の圧力において熱処理する熱処理工程を含むことを特徴とするＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】焼結後の磁石の主相と粒界相との間に空隙を生じさせることなく、また、磁石全体を緻密に焼結することが可能となった永久磁石及び永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】粉砕されたネオジム磁石の微粉末に対して、Ｍ−（ＯＲ）_ｘ（式中、ＭはＣｕ、Ａｌ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ又はＮｂである。Ｒは炭化水素からなる置換基であり、直鎖でも分枝でも良い。ｘは任意の整数である。）で示される有機金属化合物が添加された有機金属化合物溶液を加え、ネオジム磁石の粒子表面に対して均一に有機金属化合物を付着させる。その後、乾燥させた磁石粉末を大気圧より高い圧力に加圧した水素雰囲気下において２００℃〜９００℃で数時間保持することにより水素中仮焼処理を行い、更に、水素中仮焼処理によって仮焼された粉末状の仮焼体を真空雰囲気で２００℃〜６００℃で数時間保持することにより脱水素処理を行う。 （もっと読む）

【課題】湿式粉砕を用いた場合であっても、焼結前に磁石粒子の含有する炭素量を予め低減させることができ、焼結後の磁石の主相と粒界相との間に空隙を生じさせることなく、また、磁石全体を緻密に焼結することが可能となった永久磁石及び永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】粗粉砕された磁石粉末を、有機溶媒中でビーズミルにより粉砕し、その後、圧粉成形した成形体を大気圧より高い圧力に加圧した水素雰囲気下において２００℃〜９００℃で数時間保持することにより水素中仮焼処理を行う。続いて、焼成を行うことによって永久磁石１を製造する。 （もっと読む）

【課題】湿式粉砕の粉砕性を向上させることにより、磁気性能を向上させた希土類永久磁石及び希土類永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】粗粉砕された磁石粉末と一般式Ｍ−（ＯＲ）ｘ（式中、ＭはＮｄ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｂの内、少なくとも一種を含む。Ｒは炭素鎖長が２〜１６の炭化水素からなる置換基であり、直鎖でも分枝でも良い。ｘは任意の整数である。）で表わされる有機金属化合物とを有機溶媒中で湿式粉砕することにより、磁石原料を粉砕して磁石粉末を得るとともに該磁石粉末の粒子表面に有機金属化合物を付着させる。その後、有機金属化合物を付着させた磁石粉末を成形して焼結を行うことによって永久磁石１を製造する。 （もっと読む）

【課題】焼結後の冷却時における割れの発生を防止することができる酸化物スパッタリングターゲットの製造に用いるホットプレス用モールドを提供する。
【解決手段】ホットプレス用モールド１は、複数の円弧板状セグメント１６を周方向に並べて垂直方向に沿う筒状に形成されたスリーブ１１と、スリーブ１１の外側に配置され、スリーブ１１を筒状に保持する外枠１３とを有しており、スリーブ１１の外周面１６ｂは、上方に向けて拡径する斜面に設けられ、外枠１３の内周面１３ａは、スリーブ１１の外周面１５ｂの傾斜角度に沿った斜面に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜形成用のＦｅ−Ｃｏ―Ｔａ系スパッタリングターゲット材において、スパッタリング時に発生するパーティクルを極力抑止することが可能なスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ−Ｔａ粉末とＣｏ−Ｔａ粉末と純Ｔａ粉末とを混合して混合粉末を得る工程と、前記混合粉末を焼結温度１１００〜１４００℃、圧力１２５〜２００ＭＰａで１〜１０時間の加圧焼結をする工程とを有するＦｅ−Ｃｏ−Ｔａ系スパッタリングターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの成分をその中により均一に分布させることに加えて、スパッタリング時のアーク放電効果及び不要な粒子の形成を減少させたＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含有し、スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ_２Ｏ_３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さが、それぞれ３μｍ未満である（「Ｘ」は、非磁性酸化物の金属元素を表す）ＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】磁石特性の低下を防止することが可能となった希土類永久磁石及び希土類永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】磁石原料を磁石粉末に粉砕し、粉砕された磁石粉末と炭化水素からなるバインダーと炭化水素からなる有機化合物から選択される１種以上の有機溶媒とを混練することによりスラリー１２を生成する。そして、生成したスラリー１２をシート状に成形し、グリーンシート１３を作製する。その後、作製されたグリーンシート１３を非酸化性雰囲気下でバインダー分解温度に一定時間保持することによりバインダーを解重合反応等によりモノマーに分解し飛散させて除去し、バインダーを除去したグリーンシート１３を焼成温度に温度を上昇して焼結を行うことによって永久磁石１を製造するように構成する。 （もっと読む）

【課題】グリーンシートの厚み精度を向上させることにより、生産性の向上を可能とした希土類永久磁石及び希土類永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】磁石原料を磁石粉末に粉砕し、粉砕された磁石粉末とバインダーとを混合することにより、バインダーを１ｗｔ％〜４０ｗｔ％含む混合物を生成する。そして、生成した混合物を基材に高精度塗工することにより設定値に対して±５％以内の厚み精度を有するシート状のグリーンシートを作製する。その後、作製されたグリーンシートを非酸化性雰囲気下でバインダー分解温度に一定時間保持することによりバインダーを解重合反応等によりモノマーに分解し飛散させて除去し、バインダーを除去したグリーンシートをＳＰＳ焼結等の加圧焼結により焼結を行うことによって永久磁石１を製造するように構成する。 （もっと読む）

【課題】磁場配向を適切に行わせることによって永久磁石の磁気特性を向上させた希土類永久磁石及び希土類永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】磁石原料を磁石粉末に粉砕し、粉砕された磁石粉末とバインダーとを混合することにより混合物を生成する。そして、生成した混合物を長尺シート状に成形し、グリーンシート１３を作製する。その後、成形したグリーンシート１３が乾燥する前に、グリーンシート１３の面内方向且つ長さ方向に対して磁場を印加することにより磁場配向を行い、グリーンシート１３を焼結することにより永久磁石１を製造するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、Ｍｏの分散性が良い、均一微細な組織をもったＭｏＴｉターゲット材の製造方法およびＭｏＴｉターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本発明は、（１）Ｍｏ一次粒子が凝集したＭｏ凝集体を平均粒径１０μｍ以下に解砕してＭｏ粉末を作製する工程と、（２）前記Ｍｏ粉末と平均粒径５０μｍ以下のＴｉ粉末とを混合して混合粉末を作製する工程と、（３）前記混合粉末を加圧焼結してＭｏＴｉ焼結体を作製する工程とを有するＭｏＴｉターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ホウ化アルミニウムを含む、耐摩耗性材料、金属コーティング、粉末材料、ワイヤー材料、又は冶金製品を提供する。
【解決手段】マトリックス材料の硬度を増大し、その耐摩耗性を改善するための硬質相材料を提供する。硬質材料はＡｌＢ_8-16構造を有するホウ化アルミニウム材料である。ホウ化アルミニウム硬質相は、粒子状ホウ化アルミニウムをマトリックス材料と混合、マトリックス材料からのホウ化アルミニウムの析出を介してマトリックス材料に組み込んでもよい。ホウ化アルミニウム硬質相を含む材料を硬質耐摩耗性材料を提供するために、コーティング用途に用いてもよい。冶金生成物の硬度及び耐摩耗性を改善するために、ホウ化アルミニウム硬質相を冶金生成物に組み込んでもよい。 （もっと読む）

【課題】溶成工程や粉砕成型工程を経ることなく高純度のマグネシウムシリコン合金および製造方法を提供すること。
【解決手段】粒径が５００μｍ以下のマグネシウム粉と粒径が１００μｍ以下のシリコン粉を所定比で焼結型内に充填し、この粉末を所定圧力以上に加圧しながら所定温度で加熱して焼結するマグネシウムシリコン合金の製造方法および、この製造方法によって得られた品質が良好で且つ緻密なマグネシウムシリサイド（Ｍｇ₂Ｓｉ）である。 （もっと読む）

【課題】Ｍｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ系多結晶体であって、性能指数が高い、熱電変換素子および、熱電変換モジュールの提供。
【解決手段】Ｓｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｂｉ、Ａｌから選択される少なくとも１種のドーパントＡでドーピングされたＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ中に、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される少なくとも１種の遷移金属Ｂの元素および/または遷移金属Ｂのシリサイドが分散していることを特徴とする下記式（１）で表されるＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ・Ａａ・Ｂｂ多結晶体。Ｍｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ・Ａａ・Ｂｂ、式（１）［ただし、式（１）中のｘは０〜1、ａはＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘに対するドーパントＡの含有量であって０．０１〜５ｍｏｌ％であり、ｂはＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘに対する遷移金属Ｂの含有量であって０．０１〜５ｍｏｌ％である。］ （もっと読む）

【課題】機械的強度が高く、かつ、通電発熱性を有し、抵抗発熱体として使用可能であること。
【解決手段】多孔質発熱体１は、アルミニウム粉２と、黒鉛粉３と、蛙目粘土粉４と、木粉５と、これら原料が比重の違いによって移動が生じない量の水及び／またはバインダ６とを混合してなる焼結原料混合物７を圧力を加えて成形し、１０００℃〜１２００℃の範囲内で焼結して５％〜５０％の範囲内の空隙を有し、通電によって発熱する成型体を形成してなるものである。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】
アルミニウム粉末、又はアルミニウムを９０質量％以上含むアルミニウム合金粉末との混合粉末を含む金属粉末２０体積％〜４０体積％と、平均粒径が１０μｍ〜３５０μｍの炭化珪素を９５体積％以上含有するセラミックス粉末６０体積％〜８０体積％との混合粉末を金属粉末の融点未満の温度で加圧成形し、加圧成形時に最終的に穴加工を行う箇所に融点が成形温度以上である金属、若しくは融点が成形温度以上である金属にセラミックスを含有するセラミックス−金属複合体を配置した板状のアルミニウム−炭化珪素質複合体で、板状のアルミニウム−炭化珪素質複合体の金属、若しくは融点が成形温度以上である金属にセラミックスを含有するセラミックス−金属複合体部分を機械加工し、穴部を形成した板状のアルミニウム−炭化珪素質複合体。 （もっと読む）

【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式：｛（Ｆｅ_ｘＰｔ_{１００−ｘ}）_{（１００−ｙ）}Ａ_ｙ｝_{（１００−ｚ）}Ｃ_ｚ、ここでＡがＳｂおよびＳｎの少なくとも一方からなる金属であり、原子比により３０≦ｘ≦８０、１≦ｙ≦２０、３≦ｚ≦６５で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＳｂＰｔ合金粉およびＳｎＰｔ合金粉の少なくとも一方と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 （もっと読む）

【課題】成膜の品質を向上させるルテニウム合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ルテニウム粉末とルテニウムよりも酸化力が強い金属粉末との混合粉末を焼結して得られるルテニウム合金焼結体ターゲットであって、ガス成分を除くターゲットの純度が99．95wt％以上であり、ルテニウムよりも酸化物を作りやすい金属を5at%〜60at%含有し、相対密度が99％以上、不純物である酸素含有量が1000ｐｐｍ以下であることを特徴とするルテニウム合金スパッタリングターゲットであり、ターゲット中に存在する酸素を低減させて、スパッタ時のアーキングやパーティクルの発生を少なくし、焼結密度を向上させてターゲットの強度を高め、さらにSi半導体へ微量添加されているB及びPの組成変動を防止するために、ターゲット中のB及びP不純物の量を厳しく制限する。 （もっと読む）

【課題】低コストで、に第三元素を添加しない、低酸素ＭｏＣｒターゲット材を製造する方法およびＭｏＣｒターゲット材を提供すること。
【解決手段】Ｃｒを０．５〜５０原子％含有し残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏＣｒターゲット材の製造方法であって、（１）Ｍｏ焼結体を平均粒径２０〜５００μｍに粉砕してＭｏ粉末を作製する工程と、（２）該Ｍｏ粉末を還元性雰囲気中で熱処理して還元処理Ｍｏ粉末を作製する工程と、（３）平均粒径２０〜５００μｍのＣｒ原料粉末を準備する工程と、（４）前記還元処理Ｍｏ粉末と前記Ｃｒ原料粉末とを混合した混合粉末を作製する工程と、（５）該混合粉末を加圧焼結してＭｏＣｒ焼結体を作製する工程とを有するＭｏＣｒターゲット材の製造方法。 （もっと読む）