【課題】ターゲットに含まれる強磁性金属元素の含有量を減少させずに、マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させることができるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲット１０であって、前記強磁性金属元素を含む磁性相１２と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相１４、１６と、酸化物相１８とを有しており、前記複数の非磁性相のうちの少なくとも１つの非磁性相１４は、磁性相１２よりも細かく酸化物相１８と分散し合っている。 （もっと読む）

【課題】 機械加工性に優れ、主としてＣｕ，Ｇａを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲット中の全金属元素に対し、Ｇａ：１５〜４０原子％を含有し、さらに、Ｂｉ：０．１〜５原子％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。このスパッタリングターゲットの製造方法は、少なくともＣｕ，ＧａおよびＢｉの各元素を単体またはこれらのうち２種以上の元素を含む合金を１０５０℃以上に溶解し、鋳塊を作製する工程を有する。または、少なくともＣｕ，ＧａおよびＢｉの各元素を単体またはこれらのうち２種以上の元素を含む合金の粉末とした原料粉末を作製する工程と、原料粉末を真空、不活性雰囲気または還元性雰囲気で熱間加工する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】 大型で均質な焼結体を安価に効率良く製造することを可能とし、放電特性や得られる薄膜の特性が良好な大型のスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 加圧圧縮時には充填した原料粉末に対して実質的に１軸方向からのみ加圧し、加圧終了後の減圧時には成形体に対して等方的に圧力を開放することが可能な構造を有する成形型を用いることにより、成形時のスプリングバックを効率よく解消して、高い成形圧力での冷間静水圧プレスを可能とする。これにより、バインダー等の有機物を含まない原料粉末を用いて、直接、形状精度の良い成形体を作製することができ、大型で均質、かつ、炭素含有量の少ない焼結体を効率よく高い歩留まりで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 膜剥離の問題を改善し、さらに低い電気抵抗値を維持できる、ＭｏＴｉターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ｔｉを２０〜８０原子％含有し残部がＭｏおよび不可避的不純物からなる組成を有し、前記不可避的不純物の一である水素が１０質量ｐｐｍ以下であるＭｏＴｉターゲット材である。また、本発明のＭｏＴｉターゲット材は、ＭｏＴｉ焼結体を１００Ｐａ未満の圧力、８００℃以上、０．５時間以上の条件で熱処理する工程とで得られる。 （もっと読む）

【課題】簡素化した製造工程でも低酸素の焼結Ｍｏ合金スパッタリングターゲット材を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ）の群から選択される１種または２種以上の金属元素Ｍを０．５〜６０原子％含有し、残部がＭｏおよび不可避的不純物からなるＭｏ合金スパッタリングターゲット材の製造方法であって、Ｍｏ原料粉末と平均粒径２００μｍ以下の水素化した前記金属元素Ｍの粉末とを混合処理した混合粉末を加圧容器に充填し、次いで該加圧容器を加熱しながら減圧脱気処理をした後、熱間静水圧プレスで加圧焼結してＭｏ合金焼結体を作製する焼結Ｍｏ合金スパッタリングターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＷＳ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｈｆ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｙ，Ｓｃ，Ｍｇ，Ｃａからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で０．１〜１０．０ｗｔ％含有し、残部がＷＳ_２および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】 耐湿性や耐酸化性を改善し、さらに、低抵抗な主導電層であるＡｌと積層した際に、加熱工程を経ても低い電気抵抗値を維持できる、Ｍｏ合金からなる被覆層を用いた電子部品用積層配線膜および被覆層を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Ａｌを主成分とする主導電層と該主導電層の一方の面および／または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がＭｏ_{１００−ｘ−ｙ}−Ｎｉ_ｘ−Ｔｉ_ｙ、１０≦ｘ≦３０、３≦ｙ≦２０で表され、残部が不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜。 （もっと読む）

【課題】焼結後の冷却時における割れの発生を防止することができる酸化物スパッタリングターゲットの製造に用いるホットプレス用モールドを提供する。
【解決手段】ホットプレス用モールド１は、複数の円弧板状セグメント１６を周方向に並べて垂直方向に沿う筒状に形成されたスリーブ１１と、スリーブ１１の外側に配置され、スリーブ１１を筒状に保持する外枠１３とを有しており、スリーブ１１の外周面１６ｂは、上方に向けて拡径する斜面に設けられ、外枠１３の内周面１３ａは、スリーブ１１の外周面１５ｂの傾斜角度に沿った斜面に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜形成用のＦｅ−Ｃｏ―Ｔａ系スパッタリングターゲット材において、スパッタリング時に発生するパーティクルを極力抑止することが可能なスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ−Ｔａ粉末とＣｏ−Ｔａ粉末と純Ｔａ粉末とを混合して混合粉末を得る工程と、前記混合粉末を焼結温度１１００〜１４００℃、圧力１２５〜２００ＭＰａで１〜１０時間の加圧焼結をする工程とを有するＦｅ−Ｃｏ−Ｔａ系スパッタリングターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの成分をその中により均一に分布させることに加えて、スパッタリング時のアーク放電効果及び不要な粒子の形成を減少させたＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含有し、スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ_２Ｏ_３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さが、それぞれ３μｍ未満である（「Ｘ」は、非磁性酸化物の金属元素を表す）ＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、Ｍｏの分散性が良い、均一微細な組織をもったＭｏＴｉターゲット材の製造方法およびＭｏＴｉターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本発明は、（１）Ｍｏ一次粒子が凝集したＭｏ凝集体を平均粒径１０μｍ以下に解砕してＭｏ粉末を作製する工程と、（２）前記Ｍｏ粉末と平均粒径５０μｍ以下のＴｉ粉末とを混合して混合粉末を作製する工程と、（３）前記混合粉末を加圧焼結してＭｏＴｉ焼結体を作製する工程とを有するＭｏＴｉターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度、非晶質性および耐候性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金において、マグネトロンスパッタ時に効率良く使用できるターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＴａおよびＢの２種以上を含有し、残部ＣｏおよびＦｅ、ならびに不可避的不純物よりなり、下記式１および式２を満足し、相対密度９９％以上であることを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金ターゲット材。
０．６０≦Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）≦０．６５（ａｔ．％比） … （１）
５ａｔ％≦（Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ）＋Ｂ／２≦１０ａｔ％ … （２）
ただし、Ｂ：７％以下とする。 （もっと読む）

【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式：｛（Ｆｅ_ｘＰｔ_{１００−ｘ}）_{（１００−ｙ）}Ａ_ｙ｝_{（１００−ｚ）}Ｃ_ｚ、ここでＡがＳｂおよびＳｎの少なくとも一方からなる金属であり、原子比により３０≦ｘ≦８０、１≦ｙ≦２０、３≦ｚ≦６５で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＳｂＰｔ合金粉およびＳｎＰｔ合金粉の少なくとも一方と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 （もっと読む）

【課題】成膜の品質を向上させるルテニウム合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ルテニウム粉末とルテニウムよりも酸化力が強い金属粉末との混合粉末を焼結して得られるルテニウム合金焼結体ターゲットであって、ガス成分を除くターゲットの純度が99．95wt％以上であり、ルテニウムよりも酸化物を作りやすい金属を5at%〜60at%含有し、相対密度が99％以上、不純物である酸素含有量が1000ｐｐｍ以下であることを特徴とするルテニウム合金スパッタリングターゲットであり、ターゲット中に存在する酸素を低減させて、スパッタ時のアーキングやパーティクルの発生を少なくし、焼結密度を向上させてターゲットの強度を高め、さらにSi半導体へ微量添加されているB及びPの組成変動を防止するために、ターゲット中のB及びP不純物の量を厳しく制限する。 （もっと読む）

【課題】低コストで、に第三元素を添加しない、低酸素ＭｏＣｒターゲット材を製造する方法およびＭｏＣｒターゲット材を提供すること。
【解決手段】Ｃｒを０．５〜５０原子％含有し残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなるＭｏＣｒターゲット材の製造方法であって、（１）Ｍｏ焼結体を平均粒径２０〜５００μｍに粉砕してＭｏ粉末を作製する工程と、（２）該Ｍｏ粉末を還元性雰囲気中で熱処理して還元処理Ｍｏ粉末を作製する工程と、（３）平均粒径２０〜５００μｍのＣｒ原料粉末を準備する工程と、（４）前記還元処理Ｍｏ粉末と前記Ｃｒ原料粉末とを混合した混合粉末を作製する工程と、（５）該混合粉末を加圧焼結してＭｏＣｒ焼結体を作製する工程とを有するＭｏＣｒターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 機械加工性に優れ、主としてＣｕ，Ｇａを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットは、Ｇａ：２０〜４０ａｔ％、Ｓｂ：０．１〜３ａｔ％、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有する。このスパッタリングターゲットの製造方法は、少なくともＣｕ，ＧａおよびＳｂの各元素を単体またはこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末とした原料粉末を作製する工程と、前記原料粉末を真空、不活性雰囲気、または還元性雰囲気で熱間加工する工程を有し、前記原料粉末に含まれるＧａがＣｕＧａ合金またはＧａＳｂ合金として含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 割れや、バッキングプレートやバッキングチューブに対する剥がれが生じ難いスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、ＣｕＧａ合金粉末とＣｕ粉末との混合粉末を、金属基体上に溶射してスパッタリングターゲットを形成する工程を有する。これによって作製されたターゲットは、互いに不定形なＣｕＧａ合金相と純Ｃｕ相とが、相互に食い込み合った組織を有している。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系のターゲットにおいて、より優れた耐食性を示す高いＣｒの含有量とした場合であっても、ターゲットの成形時に割れが発生することなく、また、スパッタ時においても割れが発生することがないスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原子％で、Ｓｉ：５〜２０％、Ｃｒ：５．５〜２５％を含有し、残部：Ａｌおよび不可避不純物からなる組成の素地中に絶対最大長：０．１〜５０μｍの範囲内にあるＡｌリッチの粒子が分散していることにより、前記課題を解決したものである。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲットを用いることなく、炭素含有量の多いＦｅＰｔＣ系薄膜を単独で形成できるＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｆｅ、ＰｔおよびＣを含有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットであって、Ｐｔを４０〜６０ａｔ％含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金相と、Ｃ相とが互いに分散した構造を有するようにし、ターゲット全体に対するＣの含有量を２１〜７０ａｔ％にする。
また、Ｐｔを４０〜６０ａｔ％含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金粉末にＣ粉末を添加し、酸素の存在する雰囲気下で混合して混合粉末を作製した後、作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形する。 （もっと読む）