【課題】一次実装後に導電層が露出しにくく、高い接続信頼性を実現することが可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供する。
【解決手段】基材微粒子の表面に、導電層、密着層、及び、錫又は錫と他の金属との合金からなる低融点金属層が順次積層されている導電性微粒子であって、前記密着層は、置換めっきによって形成されたものである導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】鋼板の表面に銅を付着させることによって、自動車分野および建材に用いる強度部材として好適な、耐遅れ破壊特性に優れた、引張り強度１１８０ＭＰａ以上を有する高張力鋼板を製造する方法及び該鋼板を提供する。
【解決手段】１１８０ＭＰａ以上の引張り強度を有する冷延鋼板に対して、無電解メッキ法、電解メッキ法、蒸着法などの公知の方法により、片面当たり１ｍｇ／ｍ^２以上２０００ｍｇ／ｍ^２以下のＣｕまたはＣｕ基合金皮膜を付着させる製造方法および鋼板。 （もっと読む）

【課題】 マグネシウム合金をエッチングし、またすずめっきをする際の密着性を良好にする。
【解決手段】エチレンジアミン四酢酸２ナトリウム（ＥＤＴＡ−２Ｎａ）と水からなるクロム酸フリー水溶液によるエッチング処理を行った後、不働態化処理、Ｚｎの置換めっきを行い、引続いてすずめっきを行なう。不働態化処理と亜鉛置換めっきの中間にピロリン酸ナトリウム、四ホウ酸ナトリウム及びフッ化ナトリウムを含有する水溶液による活性化抑制処理を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】導電ペースト用フィラーに適した高品質の銀被覆銅粉およびそれを用いた導電ペーストを提供する。
【解決手段】機械的に偏平化されたフレーク状銅粉の表面に銀被覆層を有し、ＪＩＳ Ｚ８７２９に規定される明度Ｌ^*が５０以上である銀被覆銅粉。機械的に偏平化されたフレーク状銅粉の表面に銀被覆層を有し、銀被覆層の平均厚さｔ（ｎｍ）と銀被覆銅粉の明度Ｌ^*が下記(1)式の関係を満たす銀被覆銅粉。３９＋０.７６ｔ−３.５×１０^-3ｔ²≦Ｌ^* …(1)。銀の被覆量は例えば３０質量％以下である。酸素含有量は例えば１質量％以下、炭素含有量は例えば２質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子部品などへのはんだ実装およびワイヤーボンディング性に優れためっき層を施すことができる無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】パラジウム化合物、アミン化合物、無機硫黄化合物および還元剤を含む無電解パラジウムめっき液において、前記還元剤として、次亜リン酸または次亜リン酸化合物およびギ酸、またはギ酸化合物を併用してなり、前記パラジウム化合物０．００１〜０．１モル／ｌ、前記アミン化合物は０．０５〜５モル／ｌ、前記無機硫黄化合物０．０１〜０．１モル／ｌ、前記次亜リン酸化合物は０．０５〜１．０モル／ｌ、前記ギ酸またはギ酸化合物は０．００１〜０．１モル／ｌであり、これにより、はんだ特性およびワイヤーボンデイング特性に優れためっき液を得ることを特徴とする無電解パラジウムめっき液。 （もっと読む）

【課題】めっき触媒等の金属に対して充分な吸着性を有し、吸水性が低く、重合性に優れ、且つアルカリ水溶液による加水分解を抑制しうる新規共重合ポリマーの提供。
【解決手段】下記式（１）で表されるユニット、及び、下記式（２）で表されるユニットを含むポリマー。式（１）及び式（２）中、Ｒ^１〜Ｒ^５は、夫々独立して、水素原子、又は置換若しくは無置換のアルキル基を表し、Ｒ^６は、無置換のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基を表し、Ｖ及びＺは、夫々独立して、単結合、置換若しく無置換の二価の有機基、エステル基、アミド基、又はエーテル基を表し、Ｌ^１及びＬ^２は、夫々独立して、置換若しくは無置換の二価の有機基を表す。
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【解決手段】水溶性金塩と還元剤と錯化剤とを含有し、シアンイオンを含有しない無電解非シアン化金めっき浴であって、下記一般式（１）


で示されるバルビツール酸化合物を含有する無電解金めっき浴。
【効果】無電解金めっき浴は、ニッケルに対する金めっき及びパラジウムに対する金めっきの双方に使用することができ、この無電解金めっき浴を用いれば、例えば、１つの製造ラインでＮｉ／ＡｕプロセスにもＮｉ／Ｐｄ／Ａｕプロセスにも対応することができ、生産性が高い。また、形成された金めっき皮膜の特性も良好である。更に、めっき浴の安定性も高い。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき電極膜にワイヤボンディングを行う際に、信頼性の高いワイヤ接合力を得る手段を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、一面に無電解めっき電極膜１１０が形成された基板１０２と、基板１０２の一面に搭載された半導体チップ１２０と、半導体チップ１２０と無電解めっき電極膜１１０の一面とを接続するボンディングワイヤ１５０とを含む。ここで、無電解めっき電極膜１１０の一面のボンディングワイヤ１５０との接合部において、当該接合部の最下部の高さと当該接合部以外の一面の最高部の高さとの差である窪み量が１．５μｍ以下である。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも以下の工程：（Ａ）相応する金属の、少なくとも３個の炭素原子を有するモノ−、ジ−又はポリカルボン酸のカルボキシレート又はモノ−、ジ−又はポリカルボン酸の誘導体、アルコキシド、水酸化物、セミカルバジド、カルバメート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジド及びそれらの混合物から成る群から選択される、少なくとも１種の金属酸化物の少なくとも１種の前駆体化合物を含有する溶液を、少なくとも１種の溶媒中で製造する工程、（Ｂ）工程（Ａ）からの溶液を基材に施与する工程及び（Ｃ）前記少なくとも１種の前駆体化合物を、少なくとも１種の半導体金属酸化物に変えるために、工程（Ｂ）からの基材を、２０〜２００℃の温度で熱処理する工程を包含し、その際、工程（Ａ）において電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）が前駆体化合物として使用される場合、これを酸化亜鉛又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって得る、基材上に少なくとも１種の半導体金属酸化物を含有する層を製造するための方法、この方法によって得られる、少なくとも１種の半導体金属酸化物で被覆されている基材、この基材の、電子部品における使用、並びに電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（式中、ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）を、酸化亜鉛及び／又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって製造するための方法に関する。
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【課題】各種の下地金属上に置換析出型の金めっき皮膜を形成する際に、金めっきの析出性、カバーリング性などを向上させることが可能な新規な置換析出型無電解金めっき方法、及びこの方法に用いる処理剤を提供する。
【解決手段】亜硫酸塩、アミノカルボン酸類、ヒドロキシカルボン酸類、ホスホン酸類及びポリエチレンンアミン類からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分を有効成分とする水溶液からなる置換析出型無電解金めっきの前処理用活性化液、並びに
該活性化液に被処理物を接触させた後、水洗を行うことなく、該被処理物を置換析出型無電解金めっき液に接触させることを特徴とする置換析出型無電解金めっき方法。 （もっと読む）

【課題】基材ポリマー粒子の有する良好な圧縮特性を保持し、圧縮変形を受けた後も導電性の低下が少なく、メッキ皮膜層により酸化防止効果、及びマイグレーション防止効果を有し、更に、粒子自体が導電性を有するため、前記メッキ皮膜層が剥がれた後でも電気抵抗が増大することや、絶縁性になることがなく、導通信頼性に優れた導電性粒子、及び該導電性粒子を製造するための導電性粒子の製造方法の提供。
【解決手段】基材ポリマー粒子に対し、ヨウ素をドープしてポリマー／ヨウ素複合体を調製する１次ドープ工程、該ポリマー／ヨウ素複合体に対し、金属種を反応させて金属ヨウ化物コンポジットを調製する２次ドープ工程、該金属ヨウ化物コンポジットを金属微粒子へ還元し、金属微粒子ドープ粒子を調製する還元工程、を少なくとも含み、更に、前記金属微粒子ドープ粒子を無電解メッキする無電解メッキ工程、を含むことを特徴とする導電性粒子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】カバーレイフィルムやソルダーレジストと銅又は銅合金界面へのめっき液の浸入が少なく、また、はんだ濡れ性が良好であり、基材とはんだとの接合信頼性も良好なめっき被膜を形成する無電解錫又は錫合金めっき液の提供。
【解決手段】少なくとも錫塩、錯化剤、酸を含む無電解錫又は錫合金めっき液において、ベンゼン環に直接結合した一つ以上のヒドロキシル基を持つ化合物を含有し、且つポリアルキレングリコール化合物又はポリアルキレングリコールの末端の少なくとも一つ以上のヒドロキシル基をアルコキシ基で封鎖したポリアルキレングリコールエーテル化合物を含有することを特徴とする無電解錫又は錫合金めっき液。 （もっと読む）

銅イオン源と、式Ｉの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが３０ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化１】


［式中、
−Ｒ¹基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−Ｒ²基は、それぞれ独立して、Ｒ¹またはアルキルから選ばれ、−ＸとＹは独立して、また各繰返単位のＸが独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン及びＺ−（Ｏ−Ｚ）_m（但し、Ｚ基はそれぞれ独立してＣ２〜Ｃ６アルキレンから選ばれる。）から選ばれるスペーサー基であり、−ｎは０以上の整数であり、−ｍは１以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】ニッケルフェライト皮膜の形成に要する時間をさらに短縮できる炭素鋼部材へのニッケルフェライト皮膜形成方法を提供する。
【解決手段】皮膜形成装置をＢＷＲプラントの炭素鋼製の給水配管に接続する（Ｓ１）。
ニッケルイオン及びギ酸を含む薬液を、循環配管内に流れる、６０〜１００℃の範囲内の温度に加熱された皮膜形成水溶液に注入する（Ｓ４）。この皮膜形成水溶液が給水配管に供給され、給水配管の内面にニッケル金属皮膜が形成される。ニッケル金属皮膜が形成された後、鉄（II）イオン及びギ酸を含む薬液、過酸化水素及びヒドラジンを、ニッケルイオン及びギ酸を含む皮膜形成水溶液に注入する（Ｓ５〜Ｓ７）。鉄（II）イオン、過酸化水素、ヒドラジン、ニッケルイオン及びギ酸を含む皮膜形成水溶液が給水配管に供給される。給水配管内でニッケル金属皮膜の表面にニッケルフェライト皮膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】配線間リーク電流の増加を抑制できる配線構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に設けられ、シリコン、酸素、炭素および水素を含む、配線溝５が形成された絶縁膜３,４と、配線溝５内に設けられた金属配線８と、金属配線８の上面に選択的に形成されたメタルキャップ１０とを具備してなり、絶縁膜４は、その表面を含む第１の領域と、第１の領域下の第２の領域とを備えており、前記第１の領域の炭素濃度は前記表面から深くなるに従って減少し、前記第２の領域内の炭素濃度は、前記第１の領域との界面から一定距離の深さまでは深くなるに従って減少し、前記一定の距離減を越えると深くなるに従って増加し、前記表面における炭素濃度を超えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安価でありながら刃先の耐摩耗性、硬度、じん性及び耐衝撃性に優れたることで寿命が長い帯鋸の提供を目的とし、さらには、この帯鋸に好適な部分メッキ方法及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】帯鋸の刃先部分にのみ、部分的に無電解ニッケルメッキ皮膜を形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】、白金や白金族酸化物よりも安価な触媒を用いたガス拡散電極、ガス拡散電極の製造方法、燃料電池および食塩電解セルを提供すること。
【解決手段】基材に触媒が担持されたガス拡散電極において、触媒は、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）の金属酸化物から構成され、基材は、Ｔｉであり、繊維状または焼結体の多孔性基材である。ガス拡散電極の製造方法では、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａのイオンを含む溶液を用い、ディップコート法などのゾルゲル法により金属酸化物からなる触媒層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＶＧＣＦ（商標）のような大きなサイズのＣＮＴであっても、めっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Ｎｉ−Ｐめっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】無電解Ｎｉ−Ｐめっき液へのＶＧＣＦ（商標）（市販の直径１５０ｎｍ前後、長さ１０〜２０μｍ程度のサイズの大きなカーボンナノチューブ）の分散剤として、トリメチルセチルアンモニウムクロリドを好適とするトリメチルセチルアンモニウム塩を用いためっき液、及びこのめっき液を用いてＮｉ−Ｐめっきを施すめっき方法。 （もっと読む）

本発明は、異常ニッケルめっきを抑制する、プリント配線板の銅の造形上へのニッケルの無電解めっき方法を開示する。該方法は、ｉ） 銅の造形をパラジウムイオンで活性化する段階； ｉｉ） 過剰なパラジウムイオンまたはそれらから形成される沈殿物を、少なくとも２つの異なる種類の酸を含む前処理組成物を用いて除去する段階、その際、１つの種類は有機アミノカルボン酸である、およびｉｉｉ） ニッケルの無電解めっきをする段階を含む。
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【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）をめっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Ｃｕめっき液を提供する。
【解決手段】ＣＮＴの分散剤として、トリメチルセチルアンモニウム塩を1.0×10−３Ｍ〜2.0×10−３Ｍ程度添加する。トリメチルセチルアンモニウム塩は、トリメチルセチルアンモニウムクロリドが好適である。めっき条件によって、ＣＮＴが無電解Ｃｕめっき皮膜内に完全に埋没している状態や、無電解Ｃｕめっき皮膜表面にＣＮＴの先端が突出している状態に調整できる。ＣＮＴ先端がめっき皮膜表面に突出している場合には、摺動特性に優れる被めっき物を得ることができる。また、無電解Ｃｕめっき皮膜中にＣＮＴを取り込ませた場合、２μｍ程度のめっき皮膜の厚さで、１００ｋＨｚ〜数ＧＨｚ程度までの高い周波数の電磁波シールド性を有することが期待できる。 （もっと読む）