加工物３０上にニッケル鉄を無電解析出させる方法及びその組成物を提供する。加工物３０上にニッケル鉄を無電解析出させる際に用いられる析出液は、ニッケルイオン源、第一鉄源、錯化剤、還元剤及びｐＨ調節剤を含む。その析出液は、アルカリ金属イオンを実質的には含まない。磁気エレクトロニクス装置で使用されるフラックス集中システムの作製方法は、加工物３０を提供するステップと、加工物３０上に絶縁材料層３４を形成するステップとによって開始される。溝３６が絶縁層３４に形成され、バリア層４０が溝内に析出される。ニッケル鉄クラッド層４６がバリア層４０上に析出される。ニッケル鉄クラッド層の析出後、溝付近の絶縁材料層３４は、原子約１×１０^１１個／ｃｍ^２未満のアルカリ金属イオン濃度を有する。
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遊離−ＯＨ基と反応可能な疎水性成分が含まれる外側コーティング及び無機ゾル−ゲルコーティングである内側コーティングから成る二重コーティングが施されることにより容易に洗浄可能となる表面を備えた構造体であって、
前記外側疎水性コーティングが高くても１００℃までの穏やかな温度で乾燥された極めて反応性の高い内側ゾル−ゲルコーティングへ処理され、及び前記疎水性コーティングが縮合反応によって前記ゾル−ゲルコーティングへ化学的に強固に固定され、及び前記構造体表面上の前記二重コーティングが５０℃を越える温度で焼成されることを特徴とする前記構造体。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的に、流体処理プラットフォームを提供する。該プラットフォームは基板搬送ロボットを有するメインフレームと、該メインフレーム上の少なくとも１つの基板洗浄セルと、少なくとも１つの処理エンクロージャとを含む。該処理エンクロージャは、処理エンクロージャの内部と流体連通状態に位置決めされたガス供給源と、エンクロージャ内に位置決めされた第一流体処理セルと、第一流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第一基板ヘッドアセンブリと、エンクロージャ内に位置決めされた第二流体処理セルと、第二流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第二ヘッドアセンブリと、第一および第二流体処理セルの間に位置決めされ、流体処理セルとメインフレームロボットとの間で基板を移送するように構成された基板シャトルとを含む。 （もっと読む）

本発明は、鉄合金部材を硫化によって処理する方法に関する。その方法によれば、その部材は、電流を流すことなく所定濃度の苛性ソーダとチオ硫酸ナトリウムと硫化ナトリウムとを含む水溶液の収容槽に含浸され、前記水溶液は約５分から３０分間かけて約１００℃から１４０℃の間の温度にされる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的には、メッキ溶液の組成物、メッキ溶液を混合する方法及びメッキ溶液でキャッピング層を堆積させる方法を提供する。本明細書に記載されるメッキ溶液は、導電性特徴部上にキャッピング層を堆積させるために無電解堆積溶液として用いることができる。メッキ溶液はむしろ希釈溶液であり、導電性特徴部上で自己開始する強力な還元剤を含有する。メッキ溶液は、粒子を含まないキャッピング層を堆積させつつ導電層のためのインサイチュ洗浄プロセスを提供することができる。一実施形態においては、脱イオン水と、第１錯化剤を含む調整緩衝溶液、コバルト源と第２錯化剤を含むコバルト含有溶液、次亜リン酸塩源とボラン還元剤を含む緩衝化還元溶液とを合わせることを含む無電解堆積溶液を形成する方法が提供される。 （もっと読む）

基板の表面に向けて電磁放射を方向付けて、該基板の該表面上の部材から反射された該電磁放射の強度の変化を１つ以上の波長で検出することによって無電解堆積プロセスをコントロールするための装置および方法。一実施形態において、該基板が検出機構に対して移動されると、無電解堆積プロセスステップの検出された終了が測定される。別の実施形態において、多数の検出ポイントが、該基板の該表面にわたる該堆積プロセスの状態を監視するために使用される。一実施形態において、該検出機構は該基板上で無電解堆積流体に浸される。一実施形態において、コントローラは、記憶されたプロセス値、異なる時間に収集されたデータの比較、および種々の算出された時間依存データを使用して無電解堆積プロセスを監視、記憶および／またはコントロールするために使用される。 （もっと読む）

二酸化スズ含有触媒コーティングを有する電気化学的プロセスのための電極を、スズ（ＩＶ）ヒドロキシクロリドを含む前駆体溶液から出発して製造する。二酸化スズの堆積のプロセスは、高い収率及び改良された再現性を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シアン化物を含まない浸漬めっき溶液、およびアルミニウムまたはアルミニウム合金基板の表面にシアン化物を用いずに亜鉛合金の保護コーティングを形成する方法に関する。
【解決手段】本発明は、ｐＨが約３．５〜約６．５であり、亜鉛イオン、ニッケルおよび／またはコバルトイオン、フッ化物イオンを含む、非シアン化物で水性で酸性の浸漬めっき溶液を提供する。１つの実施形態においては、本発明の浸漬めっき溶液は、１つ以上の窒素原子、１つ以上の硫黄原子、あるいは硫黄原子および窒素原子の両方を含む少なくとも１つの抑制剤とをさらに含む。本発明は、さらに、アルミニウム基板またはアルミニウム合金基板を、本発明の非シアン化物で水性で酸性の浸漬めっき溶液に浸漬し、アルミニウム基板またはアルミニウム合金基板の表面に亜鉛合金の保護コーティングを形成する方法に関する。任意で、亜鉛合金をコーティングされたアルミニウム基板またはアルミニウム合金基板は、無電解または電解金属めっき溶液を用いてめっきされる。 （もっと読む）

本発明は、集積回路のメッキ方法を提供する。活性化プレートが、少なくとも一つの集積回路に隣接して配置される。集積回路は、接着パッド金属からなる複数の接着パッドを備え、また、活性化プレートも前記接着パッド金属からなる。無電解ニッケル層は、接着パッド及び活性化プレート上にメッキされ、金層は、接着パッド及び活性化プレート上の無電解ニッケル層を覆うようにメッキされる。活性化プレートを用いてメッキされた接着パッドを有する集積回路、ならびに集積回路をメッキするシステムについても開示されている。
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【課題】 上層配線層と下層配線層とを、アスペクト比の高いビアコンタクトで接続した多層配線構造を提供する。
【解決手段】 多層配線構造のビアコンタクト形成工程が、ビアホールの底面上に触媒層を設け、触媒層上にビアホールの上方に向ってめっき金属層を成長させ、めっき金属層でビアホールを充填する無電解めっき工程からなる。 （もっと読む）

【課題】用いる基板の結晶格子間隔や配向方向によらずに所望の結晶配向性を有する誘電体薄膜を得ることができ、かつ誘電体薄膜を一方向にほぼ完全に結晶配向させることが可能なゾル−ゲル法を用いた誘電体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】金属化合物を含む誘電体前駆体溶液を基板上に塗布して誘電体前駆体層を形成する工程と、誘電体前駆体層を乾燥する工程と、誘電体前駆体層を焼成する工程とを有する、ゾル−ゲル法を用いた誘電体薄膜の形成方法において、前記誘電体前駆体層を乾燥する工程は、誘電体前駆体溶液に含まれる溶媒の沸点よりも高温で、かつ誘電体前駆体層の発熱反応が最大となる温度よりも低温で乾燥処理を行い、前記誘電体前駆体層を焼成する工程は、所定の速度で昇温させながら焼成を行う工程を含むことにより、一定方向への結晶配向性を有する誘電体薄膜を形成する。 （もっと読む）