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Fターム[4K022AA02]の内容

化学的被覆 (24,530) | 基材 (6,240) | 無機質の基材表面 (1,752) | 金属表面、金属の酸化表面 (851)

Fターム[4K022AA02]に分類される特許

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【課題】基板を効率的に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板Wを保持する基板保持機構110と、基板保持機構110に保持された基板Wに向けてめっき液を吐出する吐出機構21と、吐出機構21に接続され、吐出機構21にめっき液を供給するめっき液供給機構30とを備えている。ガス供給機構170は、空気より比熱容量が高い加熱用ガスを加熱して基板保持機構110に保持された基板Wに向けて供給する。少なくとも吐出機構21、めっき液供給機構30およびガス供給機構170は、制御機構160によって制御される。 (もっと読む)


【課題】基板を効率的に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板Wを保持する基板保持機構110と、基板保持機構110に保持された基板Wに向けてめっき液を吐出する吐出機構21と、吐出機構21に接続され、吐出機構21にめっき液を供給するめっき液供給機構30とを備えている。基板保持機構110の周囲に、基板Wから飛散しためっき液を排出する液排出機構140が配置され、基板保持機構110に保持された基板Wの上方において、基板Wの表面側を覆うようにトッププレート151が設けられている。基板W、液排出機構140およびトッププレート151の間に、空気より比熱容量が高い加熱用ガスGが滞留する滞留空間156が形成される。 (もっと読む)


【課題】下地金属とパラジウムとの間の密着性を改善し、接続信頼性を高めることができる無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】本発明による無電解パラジウムめっき液は、水溶性パラジウム塩と、パラジウムイオンに対する錯化剤と、還元剤と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】無電解パラジウムの安定性低下による異常析出の問題を解消し、ENIGAGよりもコスト面でも優れた無電解めっき層を含む基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板製造方法は、回路パターン10が設けられた基板に金(Au)層30をめっきする第1のステップと、金(Au)層30にパラジウム(Pd)層40をめっきする第2のステップと、パラジウム(Pd)層40に金(Au)層30をめっきする第3のステップと、から成る表面処理めっき層形成ステップを含む。 (もっと読む)


【課題】凹凸のある部品の表面や部品内部孔の表面であっても摺動抵抗が低くかつ表面の硬度の高い摺動面を形成し、高性能な摺動部品およびガイド部品を安価に製造できるようにする。
【解決手段】構造母材101の摺動部表面にめっき膜102を成膜しその最表面に分散したダイヤモンド微粒子103を共析させることにより、凹凸のある表面や部品内部孔の表面にあっても摺動抵抗の低い摺動面を形成するとともに、めっき面の熱処理によってめっき膜の硬度を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、めっき液を含む薬液の持ち出し量を低減させて洗浄工程での洗浄時間を短縮させ、しかも、めっき液循環ラインの内部等のフラッシングを容易かつ迅速に行うことができるめっき装置の提供。
【解決手段】めっき前処理を行うめっき前処理槽60を有するめっき前処理モジュール64と、基板表面に無電解めっきを行うめっき槽66,72を有するめっきモジュール70,76と、めっき前処理モジュール64とめっきモジュール70,76の間で基板を搬送するモジュール間基板搬送装置86を有し、めっき前処理槽は、めっき前処理液の温度調節機能を備えためっき前処理液循環ラインを有し、めっき槽は、フィルタとめっき液の温度調節機能を備えためっき液循環ラインを有し、めっき液循環ラインは、めっき液循環ライン及びめっき槽の内部をフラッシングするフラッシングライン114,122に接続されている。 (もっと読む)


【課題】コスト性に優れながら、接触抵抗が小さく、かつ耐食性に優れて長期にわたって信頼性良く使用することができる燃料電池用集電板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】燃料電池単位セルが複数積層されたセル積層体の両端に配設されて電流を取り出すのに用いる燃料電池用集電板1であって、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミ基材2の片側表面に、Niめっき皮膜4と、Pd、Pt、Ag、Rh、Ir、Os、及びRuからなる群から選ばれたいずれか1以上の貴金属を含んだ貴金属めっき皮膜5と、Auめっき皮膜6とを備えるようにしたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 アルミニウム酸化膜を除去する前工程を経ることなく、密着性に優れたニッケルメッキを行うことができるアルミニウム又はアルミニウム合金用のニッケルメッキ液を提供する。
【解決手段】 フッ化水素酸及び/又はその塩、ニッケル塩、スズ塩並びに水を含有するニッケルメッキ液を用いる。 (もっと読む)


【課題】賦形された無機薄膜、パターン化無機薄膜を形成するためのインプリント用組成物であって、凹凸の転写性に優れ、且つ、焼成による凹凸(パターン)の崩れを抑制できるインプリント用組成物を提供する。
【解決手段】本発明のインプリント用組成物は、樹脂製の型を用いて無機薄膜を形成するためのインプリント用組成物であって、金属酸化物粒子と金属酸化物前駆体とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高温環境下に曝されても基板との優れた密着性を示す金属層を有する積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に下地層を形成する下地層形成工程と、下地層上に、重合性基、および、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する官能基を有するポリマーと、反応性基を有するシランカップリング剤とを含む被めっき層形成用組成物を用いて、被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、被めっき層に、めっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっきを行い、被めっき層上に金属層を形成するめっき工程と、を備え、下地層形成用組成物および/または被めっき層形成用組成物が、P=O基含有重合性化合物を含み、被めっき層のヤング率が1200MPa以下である、金属層を有する積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性及びはんだ接続信頼性を得ることが可能な半導体チップ搭載用基板の製造方法及びこれにより得られる半導体チップ搭載用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】セミアディティブ法で銅回路を形成する工程において、電解めっきレジストを形成し、電解銅めっきにより銅回路を形成した後に、無電解ニッケルめっき皮膜を形成し、銅回路の上部のみに銅の拡散を抑制するためのバリヤ皮膜である無電解ニッケルめっき皮膜を形成する。次いで、電解めっきレジストを剥離し、導体回路となるべき部分以外の銅をエッチング除去し、ソルダーレジストパターンを形成し、電解ニッケルめっき皮膜が上部に形成された銅回路に、無電解パラジウムめっき皮膜を形成しさらに無電解金めっき皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】ニッケルめっき被膜に、はんだによりパワー素子などの素子を接合した場合であっても、熱伝導性の低下が抑制されるニッケルめっき被膜を得ることができる無電解ニッケルめっき処理方法を提供する。
【解決手段】基材の処理表面を、炭素元素を含む無電解ニッケルめっき液に浸漬させて、無電解めっきにより、前記処理表面にニッケルめっき被膜を被覆する工程を少なくとも含む無電解ニッケルめっき処理方法である。無電解ニッケルめっき処理方法は、前記無電解ニッケルめっき液を、前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程で繰り返し用いるものである。前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程において、前記ニッケルめっき被膜中に共析する炭素量を調整しながら、前記ニッケルめっき被膜を被覆する。 (もっと読む)


【課題】表面が非常に硬く且つ表面から内部に向けて徐々に軟らかくなる厚い硬化層を有するアルミニウム硬化材の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム硬化材の製造方法は、Mg元素を含むアルミニウム合金材を表面硬化する方法であり、第1工程と第2工程とを有する。第1工程では、アルミニウム合金材10の表面にニッケル層20を15μm形成する。第2工程では、ニッケル層20が形成されたアルミニウム合金材10を550度まで加熱し60分〜90分保持する。こうして、母材(アルミニウム合金材10)の中のMg元素が触媒になって、Mgイオン及びAlイオンがニッケル層20の表面に向けて拡散して、AlとNiの高硬度の金属間化合物による硬化層を形成できる。 (もっと読む)


【課題】短時間に且つ安価に遮熱膜を内燃機関の燃焼室内壁に形成する。
【解決手段】内燃機関10におけるシリンダボア12とシリンダヘッド15下面とピストン13頂部とで区画される燃焼室16の内壁に遮熱膜23を形成する方法であって、中空の金属製又は合金製のマイクロカプセル25が含有されたメッキ液を用いて燃焼室16の内壁にメッキを施すことで、メッキ層24及びメッキ層24内に介在するマイクロカプセル25を含む遮熱膜23を燃焼室16の内壁に形成する。 (もっと読む)


【課題】微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を十分に低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性を有する半導体チップ搭載用基板を製造可能な方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体チップ搭載用基板製造方法は、基板の表面の導体回路の少なくとも一部を覆うように、電解ニッケルめっきによりニッケル層を形成する工程と、基板に対してデスミア処理を施す工程と、クエン酸を含む溶液に基板を浸漬する工程と、ニッケル層の少なくとも一部を覆うように、無電解めっきによりパラジウム層又は金層を形成する無電解めっき工程とをこの順序で備える。 (もっと読む)


【課題】従来技術の欠点が解消され、電極上で使用する際、例えば塩素アルカリ電解において塩素を発生させるために低い過電圧を可能にする、酸化ルテニウムおよび酸化チタンに基づく電気触媒活性成分を含んでなる改良された触媒被膜を提供する。
【解決手段】酸化ルテニウムおよび酸化チタンに基づく電気触媒活性成分および任意に1種以上のドーピング金属元素を含んでなる触媒被膜であって、酸化ルテニウムおよび酸化チタンがルチル型のRuOおよびTiOとして主に存在し、RuOおよびTiOが混合酸化物相として主に存在している触媒被膜。 (もっと読む)


【課題】基材表面に、非晶質炭素被膜を被覆し、これを高面圧下でかつ摺動頻度の高い摺動部材として使用したとしても、その表面の非晶質炭素被膜の摩耗を抑制することができる摺動部材の製造方法を提供することにある。
【解決手段】基材10の表面に、ナノダイヤモンド粒子21が分散されたニッケルめっき被膜20を被覆する工程と、ニッケルめっき被膜20の表面に露出したナノダイヤモンド粒子21を核として、ナノダイヤモンド粒子21から膜厚方向に非晶質炭素を成長させながら、ニッケルめっき被膜20の表面に非晶質炭素被膜30を被覆する工程と、を少なくとも含む。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき液を安定に運転できる無電解めっき装置及び無電解めっき液への酸素供給方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液30を貯留する無電解めっき槽1と、前記無電解めっき槽1に接続し、その無電解めっき槽1との間で前記無電解めっき液30を循環する循環流路21を有する外部循環手段2と、を備え、前記外部循環手段2が、その循環流路21内に、酸素を含む気体を前記無電解めっき液30に混入すると共に前記無電解めっき液30を加圧して前記気体を前記循環流路21内の前記無電解めっき液中に溶解させる気体混入手段と、前記気体を溶解させた前記無電解めっき液を減圧し微細気泡を発生させる減圧手段8と、を更に有する無電解めっき装置100。 (もっと読む)


【課題】ホルムアルデヒドを含有しない無電解銅組成物の提供。
【解決手段】無電解銅および銅合金メッキ浴が開示される。該無電解浴は、ホルムアルデヒドを含んでおらず、環境に優しい。該無電解浴は、安定しており、基体に光沢のある銅または銅合金を堆積する。 (もっと読む)


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