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Fターム[4K022AA03]の内容

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Fターム[4K022AA03]に分類される特許

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【課題】優れた導電性を有する基板を容易に製造できる製造方法を提供すること。
【解決手段】金属線14を有する基板10の製造方法であって、基板層12に金属層14aを積層する工程と、金属層14aの表面の少なくとも一部を樹脂層16で被覆する工程と、樹脂層16により被覆されていない金属層14aの部分をエッチングにより除去することで、基板層12上に金属線14を形成する工程と、を含む、基板10の製造方法とすること。 (もっと読む)


【課題】前駆体溶液に各々の組成部分が均一に混合される薄膜製造システムを提供する。
【解決手段】薄膜製造システム10は、前駆体溶液200を製造する前駆体溶液製造装置11及び前記前駆体溶液を基板の表面に導入して薄膜を形成する薄膜堆積装置12を備え、前記前駆体溶液製造装置11は、吸収塔112と、該吸収塔に連通される液体貯蓄缶111及び気化装置110を備え、前記液体貯蓄缶は、膜めっき溶液を貯蓄し且つ前記吸収塔に前記膜めっき溶液を提供し、前記気化装置は、添加剤溶液を気化させ且つ前記吸収塔に気化された添加剤溶液を提供し、前記吸収塔は、前記膜めっき溶液に前記気化された添加剤溶液を吸収させて前駆体溶液を形成する。 (もっと読む)


【課題】磁性膜を基体に付着させる際の適切な形成条件を定め、磁性膜の膜厚が2μmを超えるような場合であっても剥離の生じないような磁性膜付着体の製造方法を提供すること。
【解決手段】磁性膜5を基体3に付着してなる磁性膜付着体10の製造方法を提供する。この製造方法は、基体3を準備する工程と、交互に積層された有機物膜6及びフェライト膜7からなる磁性膜5を基体3上に形成する工程とを備える。この製造方法において、磁性膜5を形成する工程は、20μm以下の膜厚を有するフェライト膜7をフェライトメッキ法により形成する工程と、0.1μm以上20μm以下の膜厚を有する有機物膜6であって当該有機物膜6の膜厚tとヤング率Eとの比t/Eが0.025μm/GPa以上である有機物膜6を形成する工程とを交互に行うものである。 (もっと読む)


この発明の方法は、(a)第一の金属またはその合金のナノ粒子の分散によって構成される電気絶縁性または半導電性の基板を備える段階と、(b)前記基板上に阻害物質の層を塗布し、光学的、熱学的、化学的、または電気化学的誘起により、該阻害物質の層を部分的に除去または非活性化し、それにより第一の金属またはその合金の少なくとも一部を露出させ、電子回路のパターンを得る段階(b)と、(c)無電解処理により、段階(b)で得られた前記基板に存在する、第一の金属またはその合金が露出した部分に、第二の金属またはその合金の層を堆積させる段階であって、これによって段階(b)を経た後でも該基板上に存在する阻害物質が、第一の金属またはその合金上に堆積される第二の金属またはその合金を部分的に阻害することで、第二の金属またはその合金が、段階(b)で得られた、第一の金属またはその合金の露出した部分に、選択的に堆積されることを確実にする段階を備える。 (もっと読む)


【課題】高原子価金属化合物から金属膜を直接製造することができる組成物、金属膜の製造方法、及び金属粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】銅、銀またはインジウムの高原子価化合物、直鎖、分岐または環状の炭素数1から18のアルコール類およびVIII族の金属触媒から成ることを特徴とする、銅、銀またはインジウムの金属膜製造用組成物を用いて被膜を形成し、次いで加熱還元することにより、銅、銀またはインジウムの金属膜を製造する。また、銅、銀またはインジウムの高原子価化合物かの代わりに、銅、銀またはインジウムの高原子価化合物からなる表層を有する銅、銀またはインジウムの金属粒子を用い、同様にして、銅、銀またはインジウムの金属膜を製造する。 (もっと読む)


本発明は、感光性の金属含有組成物を基材に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を化学線源にて露光し、及び金属含有組成物を後処理することによって金属含有フィルムを形成する方法に係る。該方法は、また、感光性の金属含有組成物を、マスク又は型を通して化学線源にて露光し、組成物の非露光部分を現像することを含む。本発明の他の具体例は、前記の方法によって形成された金属含有フィルム、三次元の物体又は物品である。本発明は、直接パターン化された金属含有フィルム及び微小デバイスの製造に有用である。 (もっと読む)


本発明は、a)SATP条件で固体の少なくとも1つのZnOクバン、及びSATP条件で液体の少なくとも1つのZnOクバンという、少なくとも2つの異なるZnOクバンと、b)少なくとも1つの溶剤とを含む調製物、この調製物からZnO半導体層を製造する方法、並びに電子部材自体に関する。
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ガラス基板を被覆する方法が記載される。被覆は、導電金属酸化物被覆であり、透明でもよい。導電薄膜で被覆されたガラス基板は、例えば、ディスプレイ装置、太陽電池用途および多くの他の急伸する産業および用途において使用できる。
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【課題】 ハロゲン系腐食ガスおよびハロゲン系ガスプラズマでの使用により発生するパーティクルを低減する耐食性部材を提供する。
【解決手段】 半導体製造装置内、フラットパネルディスプレイ製造装置内または太陽電池製造装置内の様なハロゲン系腐食ガスまたはハロゲン系ガスプラズマ等に曝される面が、ゾルゲル法によって形成された酸化ガドリニウムゾルゲル膜と、酸化ガドリニウムゾルゲル膜上に溶射法によって形成された溶射皮膜で形成された耐食性部材とする。 (もっと読む)


【課題】厚みの均一な無電解パラジウムめっき皮膜が形成された被めっき体を提供する。
【解決手段】被めっき体と、無電解ニッケルめっき皮膜と、無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜と、無電解パラジウムめっき皮膜と、置換金めっき皮膜と、を有し、前記無電解ニッケルめっき皮膜、前記無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜、前記無電解パラジウムめっき皮膜及び前記置換金めっき皮膜の順序に積層され、前記置換金めっき皮膜が最表層に位置してなる、めっき析出物。 (もっと読む)


【課題】種々の部材の高性能化に寄与できる積層体を提供する。
【解決手段】ニッケル源である硝酸ニッケルを含有し、かつ、溶媒としてニッケル酸化物の単結晶2を形成可能な単結晶形成可能溶媒である水、メタノール、エタノールまたはアセトンとジケトン類またはケトエステル類とを含有するニッケル酸化物膜3形成用溶液を、ニッケル酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材1に接触させることにより、前記基材上にニッケル酸化物膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ナノメーターサイズの三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜を有する積層体を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、上記基材上に形成され、平均細孔径500nm以下の三次元連結孔を有する多孔質アルミニウム酸化物膜と、を有することを特徴とする積層体を提供することにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、多孔質基材の孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を形成することができる積層体の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した多孔質基材に噴射することにより、上記多孔質基材上に金属酸化物膜を形成する積層体の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、上記多孔質基材側に向け、かつ、上記多孔質基材表面の法線方向に対して傾けることを特徴とする積層体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】密着性を向上させることができる高分子繊維材料のめっき方法等を提供すること。
【解決手段】高分子繊維材料のめっき方法は、(1)高分子繊維材料の表面を親水化又は活性化するプラズマ処理工程と、(2)高分子繊維材料の表面をカチオン化するカチオン処理工程と、(3)PdとSnのコロイド溶液に浸漬する第一Sn−Pd触媒浸漬工程と、(4)高分子繊維材料にPdのみを吸着・結合させる第一アクセレーター処理工程と、(5)高分子繊維材料を120℃〜180℃に所定時間保持する熱処理工程と、(6)PdとSnのコロイド溶液に浸漬する第二Sn−Pd触媒浸漬工程と、(7)高分子繊維材料にPdのみを吸着させる第二アクセレーター処理工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】酸を用いることなくSn化合物を容易に溶解でき、金属めっき皮膜の均一性を損なうことなく長期に渡って使用できる無電解めっきのセンシタイジング液を提供する。
【解決手段】Sn化合物と溶媒とを含み、前記溶媒が水溶性アルコールを10容量%以上含む無電解めっき用センシタイジング液とする。また、被めっき体を前処理液に浸漬する前処理工程と、前記前処理工程後の前記被めっき体をめっき液に浸漬するめっき工程とを有し、前記前処理液として、本発明の無電解めっき用センシタイジング液を用いる無電解めっき方法とする。 (もっと読む)


【課題】汚れが付き難い、目立ち難い、及び、拭き取り易いという3つの要求のバランスが取れた表面を与える表面処理剤を提供することを目的とする。
【解決手段】下記式(1)で示されるパーフルオロポリエーテル残基含有ポリオルガノシロキサン及びそれを含む表面処理剤である。



[式(1)中、Rfは2価のパーフルオロポリエーテル残基、QはRf基とZとを連結する2価の基、Zはシロキサン結合を3個以上有する3〜11価のポリオルガノシロキサン残基、Rは炭素数8〜40の1価の有機基、nは1〜8の整数、Aは下記式(2)に示した基であり、kは1〜9の整数、但し、n+k=(Zの価数−1)である。



(式(2)中、R’は炭素数1〜4のアルキル基、又はフェニル基、Xは加水分解性基であり、aは2又は3、bは2〜10の整数である。)] (もっと読む)


【課題】めっき物を提供する。
【解決手段】基材上にプライマー層2を形成し、この上に還元性高分子微粒子及びバインダーを含む下地塗料を塗布して塗膜層3を形成するか、又は、該プライマー層上に導電性高分子微粒子及びバインダーを含む下地塗料を塗布し、該導電性高分子微粒子を脱ドープ処理して塗膜層を形成し、そして該塗膜層に無電解めっき液から金属膜を化学めっきすることにより製造されるめっき物であって、該塗膜層の上側半分の中に前記還元性高分子微粒子5のうち60%以上の粒子が存在する、めっき物。 (もっと読む)


本発明の第1主題は、1つ又はそれ以上の酸化還元溶液を基材上にスプレーすることにより、非電解的に基材の表面を金属被覆する方法である。本発明の方法は、工業化可能であり、自動化可能であり、クリーンであり、多層基材に適用可能であり、固着性や装飾的外観に関しても最適である。この目的を達成するため、本発明は、次のステップを含む。a)金属被覆の前に基材の表面張力を減少させるための物理的処理あるいは化学的処理、b)1つ又はそれ以上の酸化還元溶液を1つまたそれ以上のエアロゾルの形でスプレーすることにより、ステップa)において処理された基材表面の非電解的金属被覆処理、c)金属被覆された基材表面上の保護膜の形成処理。本発明の他の主題は、本発明の方法を実現する小型機器、及び得られる製品であり、特に、化粧用の中空ガラスのフラスコ、家庭電化製品や飛行機のための部品、導電性トラックや無線周波数用アンテナ、電磁気スクリーニングのためのコーティングなどの電子部品である。 (もっと読む)


【課題】熱負荷後においても高い密着性を有するめっき物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面上に導電性高分子微粒子とバインダーの硬化により形成される架橋構造を含む塗膜層が形成され、該塗膜層上に金属めっき膜が無電解めっき法により形成されためっき物。 (もっと読む)


【課題】可視光領域での透過率が高く、化学的に安定であり、高い導電性を有した透明導電性基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明性基板の表面に、金ナノ粒子が線状に配列して成長した金ナノワイヤーから成る膜を有する本発明の透明導電性基板を製造するには、不活性ガス雰囲気下にて基板の表面に、アミノ基あるいはチオール基を有した化合物を用いて、それらの表面基を導入した後、得られた処理基板を、金イオンあるいは金の錯体イオンを含む溶液中に所定時間浸漬させて金イオンあるいは金の錯体イオンを処理基板表面基に吸着させ、その後、還元性溶液中に浸漬させて処理基板表面基の金イオンあるいは金の錯体イオンを還元させ、処理基板表面に金ナノ粒子を付着させ、最終工程で、前記処理基板を、金イオンあるいは金の錯体イオンを含む溶液中に浸漬させ、還元性溶液を添加し、所定時間後に取り出す。 (もっと読む)


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