【課題】 安価で取り扱いやすい湿式法で、非導電性物質表面を実質的に平滑のまま密着性良く触媒を担持することができ、しかも環境負荷の少ない無電解めっきの前処理方法を提供すること。
【解決手段】 無電解めっきにおける触媒核と化学結合をすることが可能な基を有する化合物（Ａ）を、水素結合によって非導電性物質表面に吸着させることを特徴とする無電解めっきの前処理方法。 （もっと読む）

本発明は、活性化剤溶液と銅シード表面上に銅をメッキするのを容易とするための銅シード面の活性化方法を目的とする。活性化剤溶液は、前駆体溶液を少なくとも約９５℃に加熱し、そしてその温度に少なくとも約３０分間維持することにより調製され、ここで、前駆体溶液は、水、塩化物イオン、錫（ＩＩ）イオンおよび、錫（ＩＩ）イオンの錫（ＩＶ）イオンへの酸化を実質的に防止する酸化防止剤からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、感光性樹脂で作製したレジストパターンの凹部に酸化銀と還元剤の混合物を充填して、埋め込み法によって導電性画像を作製する方法において、高温で処理することなく、それによりレジストの薬品処理性を変えることもなく、耐熱性の低い支持体でも適用可能で、レジストの浸食による画像の形成不能も避けられる、導電性画像作製方法を提供するものである。
【解決手段】酸化銀の還元剤として感光性樹脂に対し非浸食性のものを用いる。特に、グリセリン、還元糖、ポリエチレングリコールが好適である。 （もっと読む）

【課題】 焼成温度を低くして微粒子をセラミックス基材に強固に接合し、該微粒子をめっき触媒核として無電解めっきもしくは電解めっき処理により、基材の表面を粗化することなく、高密着性の金属皮膜を安価に形成可能なセラミックス基材表面への金属皮膜形成方法及び金属化処理セラミックス基材を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 セラミックス基材表面に金属皮膜を形成するにあたって、（１）貴金属成分で構成される微粒子と、セラミックスと親和性の高い成分で構成される微粒子を２種類以上混合したものをセラミックス基材表面に付与する工程、（２）２００〜５００℃での加熱処理により前記微粒子を基材表面に強固に固定化する工程、そして（３）固定化された前記微粒子をシード層として、セラミックス基材表面に金属皮膜を析出させる工程、からなる。 （もっと読む）

【課題】 レジストを用い、無電解めっきによって基板の表面に金属パターンを形成する方法であって、基板表面への密着性に優れた精細な金属パターンを得ることができるとともに、レジストパターンおよびその上の無電解めっき被膜を同時に除去すること、およびレジストパターン上の無電解めっき被膜のみを除去することのいずれもが容易になる方法を提供する。
【解決手段】 レジストパターンが形成された基板の表面全面を酸化処理（例えば紫外線照射）し、次いでレジストパターンの最上層を除去した後、基板の表面全面に無電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜の材料の違いによってプロセス条件を変えたりすることなく、配線の表面に金属膜を選択的に成膜でき、しかも、不要となったバリア膜を、機械的な要素が相対的に少ない方法で除去できるようにする。
【解決手段】 絶縁膜１０内に配線用凹部１２を形成した基板表面にバリア膜１４を形成し、次いで配線用凹部１２内ならびに基板表面に配線材料１６を成膜した基板Ｗを用意し、基板表面に成膜した余剰の配線材料１６を除去して配線用凹部１２内に埋込んだ配線材料１６で配線１８を形成するとともに、該配線形成部以外のバリア膜１４を露出させ、配線１８の表面に金属膜２０を選択的に成膜する。 （もっと読む）

【課題】ニッケルコーティングのハンダ付け特性改良方法
【解決手段】本発明は、ニッケルコーティングのハンダ付け特性の改良のための、容易で安価な法に関するもので、このハンダ付け特性の改良は、浸透法によって酸性パラジウム溶液からパラジウム層をニッケルコーティング上に析出させることによって達成される。本発明の方法は、電解析出されたつや消しニッケルコーティング及び化学析出されたニッケル−リン−又はニッケル−ホウ素コーティングのハンダ付け特性の改良にも適する。 （もっと読む）

【課題】光沢に優れ、変色、ムラのない銀皮膜を形成することが可能な、スプレー塗布用等として有用な２液性無電解銀めっき液を提供する。
【解決手段】（ｉ）銀化合物及びアンモニアを含む銀含有水溶液、並びに
（ii）還元剤を含む還元剤含有水溶液
の２液からなり、
更に、一般式：Ｒ¹Ｒ²Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＮＲ³）_nＲ⁴（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、アルコシキ基又はエポキシ基である。ｎは、１〜４の整数である。）で表されるエチレンアミン類が、銀含有水溶液及び還元剤含有水溶液のいずれか一方又は両方に含まれていることを特徴とする、２液性無電解銀めっき液。 （もっと読む）

【課題】 多ビット磁石タグを製造する既存の技術は、時間がかかり及び／又は高度に画成された磁気素子を製造することができない。
【解決手段】 本発明は、多数の情報ビットを表面に有する磁気タグを製造する方法において、無電界堆積反応で前記表面に磁性材料を堆積することにより前記情報ビットの幾つか又は全部を形成するステップを備えた方法を提供する。
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従来めっきができない樹脂などに簡易な方法で金属めっきする方法を提供することを目的とする。一分子中にアゾールを有するシランカップリング剤、例えばイミダゾールとγグリシドキシプロピルトリアルコキシシランとの等モル反応生成物であるカップリング剤の有機酸塩と貴金属化合物をあらかじめ混合もしくは反応させた液で被めっき物を表面処理した後、無電解めっきすることを特徴とする金属めっき方法。 （もっと読む）

本発明は、金属塩と、金属錯化剤と、還元剤と、アンモニア水及びチオ硫酸塩を含有する組成液並びにチオ尿素からなる群のうち少なくとも１つとを含有することを第１の無電解メッキ液中に被処理物を曝すことにより前記被処理物の表面上に第１メッキ層を形成し、フッ素樹脂、金属塩、金属錯化剤、及び界面活性剤を含有する第２の無電解メッキ液に前記被処理物をさらに曝すことにより前記第１メッキ層上に第２メッキ層を形成することにより、被処理物との密着性が極めて良好なフッ素樹脂コーティングを有する被処理メッキ物を提供する。
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【課題】 還元剤溶液を用いることなく簡便な工程で作成することができる上、無電解金属メッキ膜から金属メッキパターンを形成する工程を従来と比較して簡素化することができ、しかもミクロ〜ナノスケールで金属メッキパターンを正確に形成することができる無電解メッキ触媒を提供する。
【解決手段】 高分子−金属クラスター複合体からなる無電解メッキ用触媒。
高分子−金属クラスター複合体が、金属化合物の蒸気を、高分子化合物に、ガラス転移温度以上、不活性ガス雰囲気下において接触させ、金属化合物の蒸気を高分子内部に浸透させると同時に還元することにより得られたものである無電解メッキ用触媒。 （もっと読む）

本発明は、基本的に、金属パラジウム膜又は合金パラジウム膜が多孔性基質支持体の外側表面上に実質的に存在し、当該支持体の孔管にはほとんど若しくは全く存在しない金属パラジウム複合膜又は合金パラジウム複合膜に関し、且つその製造方法に関する。当該方法は、多孔性基質をパラジウム溶液でメッキして複合膜を形成する前に孔隙充填剤で当該多孔性基質を処理する工程を含む。
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本発明は、第一固体層（first solid layer）上に第二層(second layer)を形成するための化学反応を活性化することのできる第一固体層を基板の表面に形成する方法を提供する。この方法は基板の表面と、硬化性組成物及び第二層形成の化学反応のための活性化剤を含む第一液を接触させ、そして硬化性組成物を硬化させて基板の表面へのその材料の付着度を増し、それにより基板の表面に第一固体層を形成して付着させ、第二流体(second fluid)と接触させた後に第二層の形成の化学反応を活性化させうることを含む。 （もっと読む）

遊離−ＯＨ基と反応可能な疎水性成分が含まれる外側コーティング及び無機ゾル−ゲルコーティングである内側コーティングから成る二重コーティングが施されることにより容易に洗浄可能となる表面を備えた構造体であって、
前記外側疎水性コーティングが高くても１００℃までの穏やかな温度で乾燥された極めて反応性の高い内側ゾル−ゲルコーティングへ処理され、及び前記疎水性コーティングが縮合反応によって前記ゾル−ゲルコーティングへ化学的に強固に固定され、及び前記構造体表面上の前記二重コーティングが５０℃を越える温度で焼成されることを特徴とする前記構造体。 （もっと読む）

本発明は、次の段階：強誘電化合物の粒子が誘電層で被覆され、被覆粒子を焼結することで高密度複合材が形成されることからなる、複合強誘電体を得るための方法に関する。本発明は、被覆段階において、少なくとも１種の溶媒および誘電化合物の前駆物質を含有した流体と強誘電化合物の粒子が接触させられ、該流体が加圧されることで特徴付けられる。 （もっと読む）

【課題】高集積化、微細化されたパターンにおいて、ビアホール等を良好に埋め込み、かつ電気抵抗率の低い埋め込み型の多層配線構造を提供する。
【解決手段】埋め込み型の多層配線構造の製造方法が、絶縁層に孔部を形成する工程と、孔部の表面に、物理的真空堆積法で、平均膜厚が０．２ｎｍ以上で１０ｎｍ以下である触媒層６、または触媒層の平均膜厚が、触媒層の材料原子の１原子層以上で１０ｎｍ以下である触媒層６、を形成する工程と、触媒層を触媒に用いた無電解めっき法により、孔部の表面に無電解めっき層７を形成する工程と、無電解めっき層をシード層に用いた電解めっき法で、孔部を電解めっき層８で埋め込む工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化物と導体膜との間の良好な密着性を確保し、かつ導体損失を低減させて共振特性を向上させることのできるようにした。
【解決手段】 表面の平滑なセラミック素体１を作製した後（ａ）、Ｚｎの酸化還元電位よりも電気化学的に卑な電位を有する両性金属の金属イオン、例えばＡｌ^３＋、Ｓｉ^４＋を添加したＺｎ溶液を調製し、セラミック素体１をＺｎ溶液に浸漬して該セラミック素体１の表面にＺｎ皮膜２を形成し（ｂ）、この後、無電解めっき処理を施してＺｎ皮膜２上にめっき皮膜３を形成する（ｃ）。 （もっと読む）