【課題】触媒付着性が良好であり、また、触媒付着工程、現像工程その他工程において、触媒付着層がメッキ液に溶出したりすることがない無電解メッキ形成材料を提供する。
【解決手段】非導電性基材上に触媒付着層を有する無電解メッキ形成材料において、触媒付着層が、親水性の電離放射線硬化型樹脂組成物を含み、表面の純水に対する接触角が６０度以下となるように構成する。好ましくは、親水性の電離放射線硬化型樹脂組成物が、触媒付着層内で半硬化状態であるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 無電解めっき液を安定に運転できる無電解めっき装置及び無電解めっき液への酸素供給方法を提供する。
【解決手段】 無電解めっき液を貯留する無電解めっき槽と、前記無電解めっき槽に接続し、その無電解めっき槽との間で前記無電解めっき液を循環する循環流路を有する外部循環手段と、を備え、前記外部循環手段が、その循環流路内に、酸素を含む気体を前記無電解めっき液に混入すると共に前記無電解めっき液を加圧して前記気体を前記循環流路内の前記無電解めっき液中に溶解させる気体混入手段と、前記気体を溶解させた前記無電解めっき液を減圧し微細気泡を発生させる減圧手段と、を更に有する無電解めっき装置。 （もっと読む）

【課題】回路パターンの凹凸が大きい配線基板であっても、めっき液が非めっき部位に浸入することによりめっきされることがない。また、マスキングフィルムの打ち抜き加工に性、特にバリや穴が開かないなどの発生を防止する。
【解決手段】絶縁基材４上に凹凸が２５μｍ以上の回路パターンが形成された配線基板のめっき対象部位１，２に選択的にめっきをかけるために、該めっき対象部位１，２以外をマスキングするにあたり、ポリブチレンテレフタレートフィルムの片面に粘着剤層及び離型シートを順次積層させたマスキングフィルムを用い、該マスキングフィルムの該離型シートを剥離後、マスキングフィルムの粘着剤層面を常温環境下で配線基板の所定の場所に貼り付けた後、熱圧着することにより貼り付け、その後めっき対象部位にめっきをすることを特徴とする配線基板のめっき方法。及びこの方法を用いた配線基板である。 （もっと読む）

【課題】耐蝕性部材等に応用可能であり、表面にクラックやピンホール等がほとんどない緻密なセラミック薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】金属塩とクエン酸水溶液とを混合し、無水クエン酸錯体ゲルを作製するゲル作製工程（ステップＳ１）と、作製された無水クエン酸錯体ゲルとアルコール溶媒とを混合することで、無水クエン酸錯体ゲルをエステル化し、無水クエン酸錯体溶液を作製する溶液作製工程と（ステップＳ２）を行うことで、無水クエン酸錯体溶液を得る。そして、被膜対象となる基材の表面に、作製された無水クエン酸錯体溶液を用いて成膜処理する成膜工程（ステップＳ３〜Ｓ６）を行う。これにより、金属イオンの分散性を高め、クラックやピンホールのない緻密なセラミック薄膜を作製することができ、たとえば加工性や費用の面で優れ、かつ耐蝕性の高い部材を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】無電解メッキ処理や電解メッキ処理を行った後、電解メッキ層や無電解メッキ層を除去することなく、容易に凹部又は凸部以外の部分に無電解メッキが施された成形物を製造する方法及びタッチパネル用電極部材の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面が親水性の非導電性部材上に、少なくとも表面が疎水性樹脂からなる独立した凹部又は凸部を設けた後、当該凹部又は凸部以外の部分に触媒を付着させ、無電解メッキを行う。 （もっと読む）

【課題】ニッケル以外の重金属を含まず優れた安定性を有し、且つ良好なめっき皮膜外観、優れた耐食性を与えることのできる無電解ニッケルめっき液を提供すること。
【解決手段】ニッケルイオンと、錯化剤と、還元剤とを含む無電解ニッケルめっき液に、一般式：Ｒ−ＮＣ又はＣＮ−Ｒ−ＮＣ（式中、Ｒは、置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アリール基又は複素環式基であって、これらはエーテル結合を有していてもよい）で表されるイソシアニド系物質を少なくとも１種添加する。 （もっと読む）

【課題】 比抵抗の小さい金属薄膜を形成することが可能な、金属薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明の基材上に金属薄膜を形成する方法は、基材上に、金属のイオンを還元するための還元剤を含むメッキ液を用いて金属薄膜を形成する方法であって、上記還元剤として、上記金属のイオンに対して還元性を有し、上記金属の粒子を形成する第一の還元剤と、上記金属のイオンに対して還元性を有し、上記粒子を核として、当該核の表面にさらに上記金属を析出させる第二の還元剤と、を用いる。 （もっと読む）

【課題】電気特性の低下を十分に抑制できるセラミックス電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＭｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属原子の酸化物を含むセラミックス電子部品素体の表面に導電層を形成する工程、導電層上に、めっき液を用いて、ニッケルめっき層５を形成する工程を経てセラミック電子部品１００を製造するセラミック電子部品の製造方法であって、めっき液が、ニッケル塩と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物とを含み、ｐＨが６〜１２であるセラミックス電子部品の製造方法。 （もっと読む）

平均直径が３ｍｍ以下の複数のスルーチャネルを有するハニカム構造のような基体に、均一な膜コーティングを適用する方法および装置。本方法には、成膜材料を含む液体前駆体を基体に提供する工程と、基体に圧力差を与える工程とが含まれる。圧力差によって、液体前駆体は、スルーチャネルを均一に移動し、成膜材料がスルーチャネルの壁に堆積して、スルーチャネルの壁に成膜がなされる。本装置は、基体を保持し、複数のスルーチャネルに圧力差を維持することのできるチャンバを含む。
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【課題】
回路基板のベース板として好適な半田濡れ性を有するアルミニウム合金-炭化珪素質複合体を提供する。
【解決手段】
アルミニウム合金-炭化珪素質複合体の表面にニッケルめっきを施し、さらにその上に、炭素数が１０〜２０の高級脂肪酸をコーティングしてなることを特徴とするアルミニウム合金-炭化珪素質複合体であり、高級脂肪酸のコーティング量が、０．０１〜３．０ｇ／ｍ²であることを特徴とするアルミニウム合金-炭化珪素質複合体である。 （もっと読む）

【課題】触媒付着性が良好であり、また、触媒付着工程、現像工程その他工程において、触媒付着層が非導電性基材から剥離したりメッキ液に溶出したりすることがなく、さらに絶縁性に優れた無電解メッキ形成材料を提供する。
【解決手段】非導電性基材上に触媒付着層を有する無電解メッキ形成材料において、前記触媒付着層が、自己架橋性を有する親水性モノマーを構成モノマーとして含む親水性（メタ）アクリル系樹脂を含むように構成する。 （もっと読む）

【課題】広範な基材に適用でき、フォトマスクなどを用いることなく、基材との密着性の高い無機薄膜を高い精度で形成された積層部品と、前記無機薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂などの基板１に、ポリアミド酸などのカチオン交換基を有する樹脂で構成された樹脂層２を形成し、金属イオンを含む水溶液に浸漬して樹脂層２と金属イオンとを接触させ、生成した金属塩を還元処理又は活性ガスで処理して樹脂層２に金属又は半導電性無機化合物（半導体化合物など）を析出させ、無機薄膜３を形成する。水溶液は、周期表４族乃至１４族に属する金属の水溶性金属化合物の水溶液であってもよい。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い柱状セラミックスを短時間で効率よく作製することが可能な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板表面に複数のセラミックスの結晶核を形成する初期核形成工程と該基板表面にめっき法を用いて柱状セラミックス結晶を成長させる工程とを有することを特徴とするセラミックス膜の製造方法である。また前記初期核形成工程を大気開放型ＣＶＤ法で行うことが好ましい。さらに前記セラミックス膜が、多孔質膜であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】加熱のみで膜形成した場合に比べ、電気抵抗を大幅に低減した金属膜を得る。
【解決手段】金属コロイド粒子が金属粒子と粒子表面に配位修飾した保護剤とにより構成され、保護剤が分子中に窒素又は酸素のいずれか一方又はその双方を含む炭素骨格を有し、かつ窒素、酸素、窒素を含む原子団及び酸素を含む原子団からなる群より選ばれた１種又は２種以上をアンカーとして金属粒子表面に配位修飾した構造を有し、保護剤がハイドロキシアルキル基を分子構造に含み、金属コロイド粒子を水系又は非水系のいずれか一方の分散媒又はその双方を混合した分散媒に所定の割合で混合して分散させた金属コロイドを基材表面に塗布する工程と、基材を自然乾燥させて金属コロイド中の分散媒を除去する工程と、基材を室温〜２００℃の温度に保持しながら、濃度が、５〜２００ｇ／Ｎｍ³のオゾンを照射し、基材表面に金属膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】加熱のみで膜形成した場合に比べ、電気抵抗を大幅に低減した金属膜を得る。
【解決手段】金属コロイド粒子が金属粒子と粒子表面に配位修飾した保護剤とにより構成され、保護剤が分子中に窒素又は酸素のいずれか一方又はその双方を含む炭素骨格を有し、かつ窒素、酸素、窒素を含む原子団及び酸素を含む原子団からなる群より選ばれた１種又は２種以上をアンカーとして金属粒子表面に配位修飾した構造を有し、保護剤がハイドロキシアルキル基を分子構造に含み、金属コロイド粒子を水系又は非水系のいずれか一方の分散媒又はその双方を混合した分散媒に所定の割合で混合して分散させた金属コロイドを基材表面に塗布する工程と、基材を自然乾燥させて金属コロイド中の分散媒を除去する工程と、基材を室温〜２００℃の温度に保持しながら、照射強度が、０．００５〜０．１Ｗ／ｃｍ³のマイクロ波を照射し、基材表面に金属膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】導電性に優れ、多くの電子デバイスに簡便、安価に使用できる塗布法により銅薄膜を形成できる銅薄膜形成材料およびその材料を用いて銅薄膜を形成する手法を提供すること。
【解決手段】下記式


ここで、Ｒ^１〜Ｒ^５は水素原子またはハロゲン原子または炭素数１〜１５の炭化水素基または炭素数１〜１０のハロゲン化炭化水素基または炭素数１〜１０のエーテル基である。Ｒ^１〜Ｒ^５は互いに同一でも異なっても良い、
で表される化合物と溶剤を含有する銅薄膜形成材料。 （もっと読む）

【課題】ホルムアルデヒドを含まず、環境に優しい無電解銅組成物を提供する。
【解決手段】１以上の銅イオン源と、１以上のチオカルボン酸と、グリオキシル酸およびその塩と、組成物をアルカリ性に維持するための１以上のアルカリ性化合物とを含み、チオカルボン酸が、下記式を有する組成物を用いて無電解メッキを行う。 ＨＳ−（ＣＸ１）ｒ−（ＣＨＸ２）ｓ−ＣＯＯＨ（式中、Ｘ１は−Ｈまたは−ＣＯＯＨであり、Ｘ２は−Ｈまたは−ＳＨであり、ｒおよびｓは正の整数であり、ｒが０〜２、または０または１であり、ｓが１または２である）。 （もっと読む）

【課題】セラミックス表面にエッチングを行うことなく、セラミックスと無電解銅めっき膜との密着性を向上させる。
【解決手段】表面のＰｂ量が０〜２０ａｔｏｍ％であるセラミックスの表面に無電解銅めっきを行う。上記無電解銅めっきは、下記（１）〜（６）の工程により行うことができる。（１）セラミックスの表面を硫酸過酸化水素水により洗浄する硫酸過酸化水素水処理工程。（２）セラミックスの表面をアルカリ溶液により洗浄するアルカリ処理工程。（３）セラミックスの表面に触媒を付与する触媒化工程。（４）セラミックスの表面に無電解銅めっき膜を形成する無電解銅めっき工程。（５）セラミックスの表面を加熱する加熱処理工程。 （もっと読む）

【課題】高撥水性及び高硬度を有する硬質膜を製造可能なゾルを生産性よく製造することのできるゾルの製造方法、高撥水性及び高硬度を有する硬質膜を生産性よく製造することのできる硬質膜の製造方法、及び、短時間で硬化することのできる、高撥水性及び高硬度を有する透明な硬質膜を提供すること。
【解決手段】ハフニウム及び／又はジルコニウムの塩化物及び／又は二塩化酸化物と、ギ酸と、水とを、水性有機溶媒中で、無機酸の存在下、ハフニウム及び／又はジルコニウムの水酸化物を経由することなく、反応させることを特徴とする、ギ酸イオンが配位した錯体構造が含まれるハフニア及び／又はジルコニアのゾルの製造方法、この製造方法で製造されたゾルを基材表面に塗布して、紫外線を照射することにより硬化させることを特徴とする硬質膜の製造方法、並びに、この硬質膜の製造方法によって得られる硬質膜。 （もっと読む）

【課題】 特別な設備や装置を用いずに、安価で、かつ簡易な工程で、金属ナノ粒子付着
基材を製造する方法を提供する。
【解決手段】
基材を、加水分解触媒の存在下に、キレート形成性官能基含有シランカップリング剤、
金属ナノ粒子形成性金属塩および還元剤と接触させることにより、基材上にキレート形成
性官能基含有シランカップリング剤を介して金属ナノ粒子の点在物または層状物を形成す
ることを特徴とする金属ナノ粒子付着基材の製造方法である。 （もっと読む）