【課題】基板とめっき層との密着性に優れた積層体、その製造方法、積層体を備える薄膜トランジスタ、積層体を備えるプリント配線基板を提供する。
【解決手段】
積層体１では、基板２上にシリカ層３および有機層４を介し、めっき層５が形成されている。シリカ層３はポリシラザンを前駆体として形成されているので、基板２との密着性が良好で、上面に無数の微細な凹凸が存在するシリカ層３が形成される。有機層４は、シリカ層３の上面の凹凸によって発現するアンカー効果により、シリカ層３と強固に結合する。また、有機層４の上面には、シリカ層３の上面の無数の微細な凹凸を反映して凹凸が形成されるので、めっき層５と有機層４とは、化学的もしくは電気的な結合に加え、アンカー効果により強固に結合される。よって、シリカ層３および有機層４を介して基板２上に形成されるめっき層５の基板２に対する密着性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】プラントを構成する炭素鋼部材の腐食をさらに抑制することができる炭素鋼部材の防食方法を提供する。
【解決手段】ニッケルイオン及びギ酸を含む薬液を、循環配管内に流れる皮膜形成水溶液に注入する（Ｓ４）。この皮膜形成水溶液をＢＷＲプラントの炭素鋼製の給水配管に供給し、給水配管の内面にニッケル金属皮膜を形成する。ニッケル金属皮膜が形成された後、鉄（II）イオン、ギ酸、ニッケルイオン、過酸化水素及びヒドラジンを含む皮膜形成水溶液を、給水配管に供給する（Ｓ５〜Ｓ７）。給水配管内でニッケル金属皮膜の表面にニッケルフェライト皮膜が形成される。その後、酸素を含む１５０℃以上の水をニッケルフェライト皮膜に接触させ、ニッケル金属皮膜をニッケルフェライト皮膜に変換する（Ｓ１０）。給水配管の内面に厚みの厚いニッケルフェライト皮膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】被メッキ体の凹部、又はパイプ内部は、メッキ液及びその他液に浸漬させた後、空中に引き上げると、凹部、又はパイプ内部に液が溜まってしまう為、液を除去する作業が必要であった。凹部、又はパイプ内部へのメッキ方法においては、保持方法により、メッキ液浸漬時に凹部に空気が溜まる為、メッキが析出しない。これらを解決できる冶具を得る。
【解決手段】中冶具が可動できるように構成された保持冶具とし、中冶具にフロートを取り付け、フロートの浮力・重力を利用することにより、前記液への浸漬時と空中で、中冶具を傾動させることで、中冶具に保持された被メッキ体の保持姿勢を変え、パイプ内部、及び凹部において、浸漬時は空気を溜めず、空中では液を溜めないことを特徴とした。中冶具を傾動させる為、動作範囲が小さく、且つ構成部品が少ない為、安価に製作できることを特徴とした冶具である。 （もっと読む）

【課題】 製造条件を厳しくすることなく、高い生産性で、高強度、高熱伝導で、かつ高
靭性の窒化珪素基板を提供し、熱抵抗が低く、信頼性の高い窒化珪素基板を提供する。
【解決手段】 開示される窒化珪素配線基板１は、窒化珪素質焼結体からなる窒化珪素基
板１１の表面に金属からなる配線回路パターン１３がろう材により接合されるとともに、
配線回路パターン１３の表面にめっき層が形成されて構成されている。この場合、窒化珪
素基板１１の表面粗さＲｚが３μｍより大きく２０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この半導体製造方法は、複数の基板に連続してめっき処理を施す半導体製造方法であって、１枚の基板処理に必要なｐＨ調整剤を含む所定量のめっき液を温度調節用容器に収容し、温度調節用容器に収容しためっき液を、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じた所定の温度に調節し、基板を１枚ずつ所定位置に保持し、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じたタイミングで、保持された基板１枚毎に温度調節用容器に収容され温度調節されためっき液全量を、保持された基板の処理面に吐出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子部品などへのはんだ実装およびワイヤーボンディング性に優れためっき層を施すことができる無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】パラジウム化合物、アミン化合物、無機硫黄化合物および還元剤を含む無電解パラジウムめっき液において、前記還元剤として、次亜リン酸または次亜リン酸化合物およびギ酸、またはギ酸化合物を併用してなり、前記パラジウム化合物０．００１〜０．１モル／ｌ、前記アミン化合物は０．０５〜５モル／ｌ、前記無機硫黄化合物０．０１〜０．１モル／ｌ、前記次亜リン酸化合物は０．０５〜１．０モル／ｌ、前記ギ酸またはギ酸化合物は０．００１〜０．１モル／ｌであり、これにより、はんだ特性およびワイヤーボンデイング特性に優れためっき液を得ることを特徴とする無電解パラジウムめっき液。 （もっと読む）

【課題】めっき液の寿命低下を抑制しつつ、はんだ濡れ性を向上し、窒化珪素基板表面へのめっき付着を防止した回路基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素基板上に形成された導電部を含んだ回路基板であって、導電部の表面はＮｉＳＯ_４を含むめっき液を用いてめっきされており、当該めっき表面のグロー放電発光分析により見いだされるＳ成分のピークが、Ｎｉ成分のピークよりも小さい回路基板である。 （もっと読む）

【課題】ニッケルフェライト皮膜の形成に要する時間をさらに短縮できる炭素鋼部材へのニッケルフェライト皮膜形成方法を提供する。
【解決手段】皮膜形成装置をＢＷＲプラントの炭素鋼製の給水配管に接続する（Ｓ１）。
ニッケルイオン及びギ酸を含む薬液を、循環配管内に流れる、６０〜１００℃の範囲内の温度に加熱された皮膜形成水溶液に注入する（Ｓ４）。この皮膜形成水溶液が給水配管に供給され、給水配管の内面にニッケル金属皮膜が形成される。ニッケル金属皮膜が形成された後、鉄（II）イオン及びギ酸を含む薬液、過酸化水素及びヒドラジンを、ニッケルイオン及びギ酸を含む皮膜形成水溶液に注入する（Ｓ５〜Ｓ７）。鉄（II）イオン、過酸化水素、ヒドラジン、ニッケルイオン及びギ酸を含む皮膜形成水溶液が給水配管に供給される。給水配管内でニッケル金属皮膜の表面にニッケルフェライト皮膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】成膜工程における半導体ウェハの反り量を低減し、搬送ミスやウェハ割れを低減することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造法は、互いに対向する一方表面１ａおよび他方表面１ｂを有する基板１を準備する工程と、基板１の一方表面１ａおよび他方表面１ｂにめっき法により導電層であるＮｉめっき膜７およびＡｕめっき膜８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 電子部品の電極表面に対し、電源を用いず、かつ触媒処理も行わずＣｕめっき皮膜を形成する場合においても、成膜速度の高いＣｕめっきを可能とする電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも表面がＣｕの析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する金属からなる導電性媒体を、Ｃｕめっき浴中で前記被めっき物と混合し、前記被めっき物における電極上にＣｕめっき皮膜を形成する工程を含む電子部品の製造方法において、前記Ｃｕめっき浴が、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅から選ばれる少なくとも一種、ならびに、リンゴ酸、乳酸、マロン酸、グルタミン酸から選ばれる少なくとも一種、を含む。 （もっと読む）

本発明は部品を製造する方法に関し、
ａ）ブランク材を用意するステップ、
ｂ）無機−有機複合ポリマー層をブランク材の表面に適用するステップ、
ｃ）コーティングされたブランク材を加熱して、前記ポリマー層を硬化するステップ、及び、
前記コーティングされたブランク材を冷却するステップを特徴とする。
本発明は、さらに、特に家庭用器具に使用するための部品、及び前記部品の使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、ａ）ＳＡＴＰ条件で固体の少なくとも１つのＺｎＯクバン、及びＳＡＴＰ条件で液体の少なくとも１つのＺｎＯクバンという、少なくとも２つの異なるＺｎＯクバンと、ｂ）少なくとも１つの溶剤とを含む調製物、この調製物からＺｎＯ半導体層を製造する方法、並びに電子部材自体に関する。
（もっと読む）

【課題】 ハロゲン系腐食ガスおよびハロゲン系ガスプラズマでの使用により発生するパーティクルを低減する耐食性部材を提供する。
【解決手段】 半導体製造装置内、フラットパネルディスプレイ製造装置内または太陽電池製造装置内の様なハロゲン系腐食ガスまたはハロゲン系ガスプラズマ等に曝される面が、ゾルゲル法によって形成された酸化ガドリニウムゾルゲル膜と、酸化ガドリニウムゾルゲル膜上に溶射法によって形成された溶射皮膜で形成された耐食性部材とする。 （もっと読む）

【課題】厚みの均一な無電解パラジウムめっき皮膜が形成された被めっき体を提供する。
【解決手段】被めっき体と、無電解ニッケルめっき皮膜と、無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜と、無電解パラジウムめっき皮膜と、置換金めっき皮膜と、を有し、前記無電解ニッケルめっき皮膜、前記無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜、前記無電解パラジウムめっき皮膜及び前記置換金めっき皮膜の順序に積層され、前記置換金めっき皮膜が最表層に位置してなる、めっき析出物。 （もっと読む）

特に印刷版の表面から印刷インキを掻き取るための、および/またはペーパドクターナイフとして使用するためのドクターブレード(100、200)が、長手方向に作用エッジ領域(113、213)が形成された平坦かつ細長い本体部分(111、211)を有し、少なくとも作用エッジ領域(113、213)は、ニッケル−リン合金を主成分とする第1の被膜(120、220)により覆われる。このドクターブレード(100、200)は、単結晶ダイヤモンド粒子および/または多結晶ダイヤモンド粒子(120.1、220.1)が、第1の被膜(120、220)中に分散され、ダイヤモンド粒子(120.1、220.1)の粒径が、5nm以上50nm未満であることを特徴とする。
（もっと読む）

【課題】種々の部材の高性能化に寄与できる積層体を提供する。
【解決手段】ニッケル源である硝酸ニッケルを含有し、かつ、溶媒としてニッケル酸化物の単結晶２を形成可能な単結晶形成可能溶媒である水、メタノール、エタノールまたはアセトンとジケトン類またはケトエステル類とを含有するニッケル酸化物膜３形成用溶液を、ニッケル酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材１に接触させることにより、前記基材上にニッケル酸化物膜を形成する。 （もっと読む）

金属表面のはんだ付け性を向上させる方法であって、はんだ付けする前に金属表面に銀めっきを施し、メルカプト置換又はチオ置換シラン化合物を含む添加剤で浸漬銀めっきを処理する方法を開示する。好ましい後処理は、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン及び／又は３−オクタノイルチオ−１−プロピルトリエトキシシランを含む。 （もっと読む）

【課題】プラスチック成形体に対して、プラスチック成形体に密着し且つプラスチック成形体との接触面が平滑な配線パターンを形成する製造方法およびプラスチック成形体を得る。
【解決手段】本発明の製造方法は、表面部２に金属元素含有微粒子３を分散させたプラスチック成形体１を用意することと（図１（Ａ））、プラスチック成形体１についての配線パターン４の輪郭の領域に対してレーザ光１０などの電磁波を照射して、電磁波が照射された表面部２または表面部２に分散した金属元素含有微粒子３を選択的に除去することと（図１（Ｂ））、除去処理後のプラスチック成形体１を、アルコールを含む無電解めっき液に常圧下で浸漬して、配線パターン４の形状に無電解めっき膜を形成することとを含む（図１（Ｃ））。 （もっと読む）

【課題】任意の基板上に任意の形状を有する、外観、デザイン性に優れたハーフミラーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフミラーの製造方法は、３つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合性化合物と、を含有する下地組成物を、透明基板または透明フィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属（Ｍ１）塩にする金属塩生成工程と、上記金属（Ｍ１）イオンよりもイオン化傾向の低い金属（Ｍ２）イオンを含有する金属（Ｍ２）イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属（Ｍ１）塩を、金属（Ｍ２）塩とする金属固定工程と、上記金属（Ｍ２）イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】汚れが付き難い、目立ち難い、及び、拭き取り易いという３つの要求のバランスが取れた表面を与える表面処理剤を提供することを目的とする。
【解決手段】下記式（１）で示されるパーフルオロポリエーテル残基含有ポリオルガノシロキサン及びそれを含む表面処理剤である。



［式（１）中、Ｒｆは２価のパーフルオロポリエーテル残基、ＱはＲｆ基とＺとを連結する２価の基、Ｚはシロキサン結合を３個以上有する３〜１１価のポリオルガノシロキサン残基、Ｒは炭素数８〜４０の１価の有機基、ｎは１〜８の整数、Ａは下記式（２）に示した基であり、ｋは１〜９の整数、但し、ｎ＋ｋ＝（Ｚの価数−１）である。



（式（２）中、Ｒ’は炭素数１〜４のアルキル基、又はフェニル基、Ｘは加水分解性基であり、ａは２又は３、ｂは２〜１０の整数である。）］ （もっと読む）