【課題】 はんだ付けする際の加熱処理によって、ニッケル層の相転移に伴う体積の収縮に起因する最大の引張り応力を緩和する。
【解決手段】 半導体２０上に形成されているアルミニウムを主成分とするアルミニウム金属膜４２と、そのアルミニウム金属膜４２の表面を複数の領域に分割する分割絶縁層５２ｂと、アルミニウム金属膜４２の表面に形成されているとともに、分割絶縁層５２ｂの上方において結晶構造が不連続となっている境界８２Ｇを有するニッケルを主成分とするニッケル層７２を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクトな構造体を、安価にかつ容易に形成する。
【解決手段】 下地基板１２上に高アスペクト構造体１１を形成する構造体の形成方法であって、下地基板１２上に、中央導電部１３ａ及び中央導電部１３ａを囲う外周導電部１３ｂを形成し、これら中央導電部１３ａ及び外周導電部１３ｂに無電解界めっきによってめっき２３を析出させ、その後、外周導電部１３ｂに析出しためっき２３を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、他方はめっきされないまま残る。アルミニウムまたは銅の構造またはタングステンの構造は、最初にニッケルめっきに対して活性化されてもよい。次いで、この活性化したアルミニウムまたは銅の構造または活性化したタングステンの構造は、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。めっきされていないアルミニウムまたは銅の構造またはめっきされていないタングステンの構造は、このめっきされていない構造を活性化し、そしてこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。中間の半導体デバイス構造と同じく、アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造をニッケルで同時にめっきする方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 前処理段階で、高価なパラジウム塩や環境負荷物質であるフッ化物を使用することなく、密着性及び耐食性を確保する。
【解決手段】 マグネシウム合金からなる被めっき体の上にめっき皮膜を形成する方法において、アンモニア又はアミン基を含む水溶液中でマグネシウム合金を陽極とした電解エッチングを行う電解エッチング工程（Ｓ１）と、電解エッチング工程（Ｓ１）に続いて被めっき体を無電解めっき浴に浸漬させ、無電解めっき浴中に含有されている金属を析出させて皮膜を形成させる無電解めっき工程（Ｓ２）と、無電解めっき工程（Ｓ２）に引き続いて電気めっき浴中に含有されている金属を電解析出させる電気めっき工程（Ｓ４）と、を含むめっき方法であり、めっき皮膜中の残留応力を緩和するために熱処理（Ｓ３）を実施する。 （もっと読む）

【課題】無線物品用ループアンテナの製作、及びテレホンカード等のスマートカード用回路の製作のために、金属パターンを非導電性基板上に設けるプロセスを提供する。
【解決手段】方法は、触媒インクを塗布することで非導電性基板を触媒する、触媒インク中の触媒金属イオン源を関連する金属に還元する、無電解金属を基板面の触媒インクパターンに堆積する、及び電解金属を無電解金属層上にメッキして所望の金属パターンを非導電性基板に製造する工程を含む。触媒インクは、概して、１つ以上の溶媒、触媒金属イオン源、架橋剤、１つ以上のコポリマー、ポリウレタンポリマー、及び任意で、１つ以上のフィラーを含む。 （もっと読む）

【課題】酸化イリジウムコーティングの製造方法を開示する。
【解決手段】上記製造方法は、Xが１または２の整数であるコロイド状のIrO_Xで表面をぬらす工程a)と、該コーティングした表面を乾燥させる工程b）と、該表面を300〜1000℃の温度で焼成する工程c）と、を含む。工程a)から工程c）を必要な層の厚さが得られるまで繰り返す。IrO_Xのコーティングを製造するための最初の成分にコロイド状のIrO_Xを使用することで、焼成工程において有毒ガスの発生を防ぐことができる。
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軌道面を有する少なくとも一つの軌道輪と転動要素を備えたころがり軸受。二硫化水素を含む環境での耐疲労特性を改善するために、ころがり軸受の関連部分がニッケル−隣コーティングを施されている。 （もっと読む）

本発明は、第一固体層（first solid layer）上に第二層(second layer)を形成するための化学反応を活性化することのできる第一固体層を基板の表面に形成する方法を提供する。この方法は基板の表面と、硬化性組成物及び第二層形成の化学反応のための活性化剤を含む第一液を接触させ、そして硬化性組成物を硬化させて基板の表面へのその材料の付着度を増し、それにより基板の表面に第一固体層を形成して付着させ、第二流体(second fluid)と接触させた後に第二層の形成の化学反応を活性化させうることを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用テープキャリアにおけるソルダーレジスト下方のリード配線の銅の過剰溶解を防止すると共に、スズめっきのホイスカを抑制する。
【解決手段】絶縁フィルム１上に接着剤層２を介して施された銅箔３の表面の全面にスズめっき層４を厚さ０．０１〜０．２μｍ形成した後、加熱処理し、その後フォトレジストをコートし、露光、現像、エッチング、剥膜処理することにより銅箔３に微細配線パターン３０を形成し、その後、前記配線パターン上に、その端子部分を除く所定の位置にソルダーレジスト６を塗布した後、前記端子部分に、厚さ０．１５〜０．８０μｍのスズめっき層４を形成し、加熱処理することにより、厚さ０．２０μｍ以上のスズ−銅合金層５ｂと厚さ０．１５〜０．８０μｍの純スズ層４ｂを形成する。 （もっと読む）