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Fターム[4K022AA32]の内容

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Fターム[4K022AA32]に分類される特許

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【課題】プリント回路基板のような電子部品の製造として要求される、必要な安定性、活性、及び誘電表面に対する吸着性に優れる、電子部品の製造に用いられる非導電性基板の無電解めっき用触媒を提供する。
【解決手段】0.5から100ppmのゼロ価金属、安定剤化合物及び水を含み、パラジウム、銀、コバルト、ニッケル、金、銅及びルテニウムから選択される組成物とゼロ価金属形成に必要な還元剤の添加を含むめっき用触媒製造方法。 (もっと読む)


【課題】耐硫化性及び耐紫外線性に優れ、高い全反射率と優れた光の反射指向性を有する銅或いは銅合金板へのAg−Snめっき方法及びその方法により製造されたAg−Snめっきが施された銅或いは銅合金板が提供される。
【解決手段】銅又は銅合金板の表面に光沢Snめっき層を形成した後、前記Snめっき層の表面に形成された酸化膜をpH8〜10の弱アルカリ性の溶液中にて電解処理又は浸漬処理にて除去した後、Agを無電解めっき又は電気めっきした後、40〜60℃で30〜300秒間保持して完全に合金化したAgSn膜を形成した後、前記AgSn膜を20〜30℃のリン酸系酸化処理剤中に30〜120秒間浸漬することにより、前記AgSn膜上にSn酸化膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】
高い熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面の面粗さ、平面度を改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子を40体積%〜70体積%含有し、残部がアルミニウムを含有する金属で構成され、厚みが0.4〜6mmの板状又は凹凸部を有する板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合材料であって、両主面が厚み0.05〜0.5mmのアルミニウム−セラミックス系複合体で被覆され、且つ側面部及び穴部がアルミニウム−ダイヤモンド系複合体が露出してなる構造であることを特徴とするアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 (もっと読む)


【課題】樹脂基体のデザイン性に優れた修飾や、鍍金によって形成される実装基板などの基体表面上に選択的な機能性紋様を直接に形成する方法に関し、特に実装基板において、文様が精緻になると数ミクロンの劣化でも信頼性に影響するアンダーカットの防止を図り、また、鍍金した金属の殆どを除去する方法でなく微少面積の回路パターンのみ形成することによるコスト低減、省資源を図った機能性文様の形成方法を提供する。
【解決手段】下地調整工程、紋様形成工程、修飾表面積層工程などを経て、基体1表面上に選択的な機能性紋様を形成する方法において、当該紋様形成工程がA.当該基体1表面に当該基体と反応する高粘性反応液2を用いて当該機能性紋様を付与する界面活性付与過程、B.一定時間保持して当該基体表面の活性度を調整する活性化調整過程の2過程を経ることで、全面に表面修飾層を形成した後鍍金を行い、機能性紋様を得る。 (もっと読む)


【課題】触媒層に対するアルカリ処理の処理深さにかかわらず、析出物が層状になるまで、めっき液による触媒の離脱を生じさせずに析出処理を行うことが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】上流から下流にプラスチック基板(被処理物)110を搬送しながら、めっき液を用いてプラスチック基板110の被処理面上にめっき層114を形成するめっき処理槽(めっき処理装置)10であって、搬送部9と、初期析出部7と、を備えている。搬送部9は、被処理物を上流側から下流側へ搬送する。初期析出部7は、当該めっき処理装置の上流側に備えられ、めっき処理による析出物が被処理面上において層状になるまでの析出処理を行う。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、多大なエネルギーを必要とせず製造が可能で、高温高湿環境下に曝されても基板との優れた密着性を示す金属膜を簡便に形成しうる金属膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】基板上に、シアノ基を有する樹脂を含み、7.4mmol/g以上のシアノ基含有量を有する第1の樹脂層を形成する工程(1)と、前記第1の樹脂層上に、重合性基およびめっき触媒またはその前駆体と相互作用する官能基を有する樹脂と重合開始剤とを含む樹脂組成物層を形成する工程(2)と、前記樹脂組成物層にエネルギー付与して、硬化させ、第2の樹脂層を形成する工程(3)と、前記第2の樹脂層にめっき触媒またはその前駆体を付与する工程(4)と、めっきを行い、前記第2の樹脂層上に金属膜を形成する工程(5)と、を備える、金属膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ダイヤモンド微粒子及びフッ素樹脂微粒子を均一に分散・共析させた複合めっき被膜の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】親水性ポリマー又はイオン性官能基が導入された平均粒径10nm〜300nmのダイヤモンド微粒子、平均粒径100nm〜300nmのフッ素樹脂微粒子及び界面活性剤を金属めっき液に添加した複合めっき液を基材表面に接触させて、ダイヤモンド微粒子及びフッ素樹脂微粒子を金属マトリクス中に均一に分散させた複合めっき被膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】ゾル−ゲル法に基づいた、特に塩素製造用陽極のための、電極用触媒層の簡単かつ汎用的な製造方法を、先行技術の欠点を解消しつつ開発する。
【解決手段】導電性基材および触媒活性層を含んでなる電極であって、触媒活性層が2種の触媒活性成分に基づき、金属酸化物または混合酸化物または酸化物混合物としてイリジウム、ルテニウムまたはチタンを含んでなり、元素イリジウム、ルテニウムおよびチタンの和に基づいたルテニウムおよび/またはイリジウムの総含量が少なくとも10mol%であり、電極が導電性基材に適用された、NaClおよび/またはNaOHおよび/またはHCl含有水性電解液を透過しない少なくとも1つの酸化物基層を含んでなる、電極。 (もっと読む)


【課題】めっき液の劣化を防止するめっき方法を提供する。
【解決手段】めっき方法は、第1面と前記第1面の反対側の面となる第2面を有するワークを、前記第1面と前記第2面との間に隙間を有するように、螺旋状に巻くワーク巻取り工程と、前記螺旋状に巻かれた前記ワークの幅方向の両端部を蓋部材で挟持して、前記隙間と前記蓋部材とで構成される流路を形成する流路形成工程と、前記流路にめっき液を導入するめっき液導入工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】有機金属化合物液と燃焼ガスとを霧状に混合し噴射させながらその燃焼炎を基材に吹き付ける基材の表面改質方法を提供する。
【解決手段】燃焼炎を介して、基材の表面に均一なナノレベルの親水基層(酸化ケイ素膜等)が形成される。この親水基層の形成された基材の表面へプライマー処理をした場合と同様な密着力を実現し、プライマー塗布工程が不要となるため、基材の改質処理が簡略化し、ひいては、基材へ接着(接着剤・両面テープ等)、印刷、塗装等を施す作業の能率を向上させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき方法において、パラジウム等の貴金属を使用することなく、またクロム酸等の有害な薬剤を使用せずにめっきと被めっき物間の良好な密着性を確保でき、かつ、めっき液を繰り返し使用することができる無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】被めっき物の表面上に、めっき金属の金属イオンを還元する能力を有する有機残基を側鎖に含有するポリマーを塗設する工程(1)と、前記ポリマーが塗設された被めっき物の表面上に、前記金属イオンを含みこの金属イオンを還元しうる還元剤を含まない溶液中において、前記金属イオンの部分還元金属酸化物を析出させる工程(2)と、前記金属イオンを還元しうる還元剤を含む溶液中において、前記部分還元金属酸化物を自己触媒性を有するめっき金属に還元する工程(3)と、被めっき物の表面上に、無電解めっき液中においてめっき金属の被膜を形成する工程(4)と、を含む無電解めっき方法。 (もっと読む)


【課題】高精細かつ密着性に優れた金属配線を製造できると共に、ビアの接続信頼性に優れた多層配線基板を、高歩留まりで製造する製造方法を提供する。
【解決手段】(A)第1の導電層14を備える配線基板表面に、絶縁層、及び、所定の官能基を有するポリマーを含む層にエネルギー付与して得られる密着樹脂層20をこの順で備える積層体を形成する工程と、(B)前記密着樹脂層に対してめっき触媒を付与した後、めっきを行い、第2の導電層24を形成する工程と、(C)レーザ加工又はドリル加工により、第2の導電層、絶縁層を貫通し、前記第1の導電層に達するようにビアホール26を形成する工程と、(D)デスミア処理を行う工程と、(E)前記ビアホール壁面に対して、カーボンブラックまたはグラファイトを付与した後、無電解めっきを行うことなく、電気めっきを行い、前記第1の導電層と前記第2の導電層とを電気的に接続する工程とを備える製造方法。 (もっと読む)


【課題】複数の半導体ウエハ等といった複数の被処理物を処理液に浸漬するに際して、これら被処理物の間で処理具合にばらつきが生じないようにする。
【解決手段】処理装置1が、処理液30が貯留される処理槽2と、処理槽2内に配置され、処理槽2内で回転する回転車4と、被処理物32をそれぞれ保持し、回転車4に取り付けられ、回転車4の第1の回転軸6を中心にした円周方向に沿って配列された複数の保持具10と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 光の反射率を向上させるとともに高温条件下での銀めっき皮膜の変色を防止する。
【解決手段】 本発明に係る無電解めっき方法は、被めっき物上に形成されたNi−Pめっき皮膜上に、パラジウム処理を施すパラジウム処理工程と、パラジウム処理が施された被めっき物に対して、無電解銀めっきを施す無電解銀めっき工程とを有する。 (もっと読む)


【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金表面の酸化皮膜を除去するための除去液であって、銀イオン及び/又は銅イオンと、該銀イオン及び/又は銅イオンの可溶化剤と、水酸化第4級アンモニウム化合物とを含有し、pHが10〜13.5であることを特徴とするアルミニウム酸化皮膜用除去液。
【効果】本発明の除去液は、アルミニウム又はアルミニウム合金の表面に、その侵食を可及的に抑制しつつ、除去液に含まれる銀及び/又は銅化合物に由来する銀及び/又は銅を置換析出することができ、しかも、この銀や銅の置換析出物はアルミニウム又はアルミニウム合金の表面を殆ど侵食することなく低温で、迅速に溶解除去することが可能であるため、アルミニウム又はアルミニウム合金の厚みが非常に薄い場合であっても、アルミニウム又はアルミニウム合金を確実に残存させつつその表面を活性化することができる。 (もっと読む)


【課題】無欠陥の無電解ニッケルメッキ膜の製造方法の提供。
【解決手段】スパッタ法を用いて、基材上に99.99%以上の純度および2.5μm以上の膜厚を有するアルミニウム層を形成する工程と、無電解メッキを用いて、アルミニウム層の上に無電解ニッケルメッキ膜を形成する工程とを含むことを特徴とする無電解ニッケルメッキ膜の製造方法。ここで、基材とアルミニウム層との間に99.99%以上の純度を有するチタン層を形成する工程をさらに含んでもよい。 (もっと読む)


【課題】処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成する。
【解決手段】金属膜形成装置1の処理容器10の内部は、不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り換え可能になっている。処理容器10の内部には、ウェハWを保持するスピンチャック20と、ウェハWの側方を囲むように設けられたカップ体31と、ウェハW上に金属混合液を吐出する塗布ノズル60と、ノズル駆動部65の動力を塗布ノズル60に伝達するノズル伝達部64と、塗布ノズル60を待機させるノズルバス66とが設けられている。処理容器10の外部には、水平方向より所定の角度で傾斜した方向に沿って、スピンチャック20とノズルバス66との間で塗布ノズル60を移動させるためのノズル駆動部65が設けられている。 (もっと読む)


【課題】無電解銅めっき層とポリイミド樹脂とを接合して形成したフレキシブル銅張積層板において、ポリイミド樹脂の表面粗度を小さくして平坦性を良くしかつ初期及び加熱後の密着強度を確保したフレキシブル銅張積層板が望まれている。
【解決手段】本発明は、ポリイミドの表面粗さと、無電解銅めっきプロセスで使用するアルカリ濃度に注目し、それらの適切な組み合わせにより、表面粗度を小さくして平坦性を良くし、かつ初期及び加熱後の密着強度を確保したフレキシブル銅張積層板を考案することができた。具体的には、ウェットブラストによる表面粗度の算術平均粗さRaが0.05μm以上1.0μm以下でかつ、二乗平均粗さRMSが0.1μm以上1.5μm以下に粗化されたポリイミド表面に、アルカリ度を低くした無電解銅めっき液により無電解銅めっき層を形成したことを特徴とするフレキシブル銅張積層板を提供する。 (もっと読む)


【課題】従来のスポット溶接やボルト締めによる接合に比べて、接地面積を大きくし、接合箇所の抵抗値を低くして、蓄電デバイスの電圧を減少させることなく有効に供給することができるようにする。
【解決手段】Alからなる陽極電極の接続端子部10a上にZn層21又はZn合金層、Ni層22、Sn層23又はSn合金層がめっきで形成される。これにより、Sn層23又はSn合金層上でAlの異種金属からなるCu陰極電極とはんだ付けできるようになり、Al陽極電極とCu陰極電極との接合強度を向上することができる。また、従来のスポット溶接やボルト締めによる接合に比べて、接地面積が大きく、接合箇所の抵抗値が低くなるので、蓄電デバイスの接続抵抗の電圧降下を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】塩素発生に対して優れた電気触媒活性を示す電極を提供する。
【解決手段】チタン、タンタルまたはニオブを主要割合として有するバルブメタルに基づく電気伝導性基板、ならびに50mol%までの貴金属酸化物もしくは貴金属混合酸化物および少なくとも50mol%の酸化チタンを含んで成る電気触媒的に活性なコーティングを含んで成る電極であり、該コーティングはX線回折図(Cu照射)において、線形バックグラウンドを差引いた後の最も強いアナターゼ反射の信号高さの、同じ回折図における最も強いルチル反射の信号高さに対する比率によって決定される最小割合のアナターゼ構造の酸化物を含んで成り、該比率は少なくとも0.6である。 (もっと読む)


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