本発明は、半導体デバイスの製造プロセス中のパターン化もしくは構造化されたＳｉＯ₂層またはＳｉＯ₂ラインの生成に有用であり、インクジェット処理での塗布に適した組成物に関する。また、本発明は、これらの新たな組成物を利用する、半導体デバイス製造の改良プロセスに関する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を用いることにより、表面抵抗等のばらつきが少ない薄膜形成が可能な金属酸化物薄膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】基材上に、金属酸化物薄膜を形成する金属酸化物の製膜方法において、基材に対して、金属塩を含有する液状物を塗布して金属塩を含有する塗膜を形成する工程と、
塗膜に対してプラズマ処理を行う工程と、を含み、より好ましくは、金属塩を含有する液状物として、亜鉛及びインジウムから選ばれる少なくとも１つを含有する液状物を用いる金属酸化物薄膜の製膜方法である。 （もっと読む）

表面上に無電解めっきを受容するために前記表面を活性化させる改良方法であって、特にプリント基板における貫通孔を活性化させるために用いられ、酸性水性マトリクス中にパラジウムスズコロイドを含む活性化溶液に窒素ガスを分散させて、その中に収容されている第１スズの酸化を緩徐にする方法。前記活性化を実施するためのダイナミックフラッドコンベアシステムを記載する。 （もっと読む）

【課題】下地金属の溶解量を抑制させることができ、めっき濡れ性及び接続信頼性の向上した回路基板を形成することが可能な無電解錫めっき浴及びめっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被めっき物上に錫めっき皮膜を形成させるための無電解錫めっき方法において、少なくとも、錫化合物と、還元剤としての水素化ホウ素化合物とを含有する無電解錫めっき浴を用いて、上記水素化ホウ素化合物による還元反応により錫めっき皮膜を形成させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性、めっきした際の接着性を有し、かつ、室内光や外光に影響されることなく、映像が見やすく、色再現性が良好で、機能層との接着性が良好な導電性材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に少なくとも物理現像核層とハロゲン化銀乳剤層をこの順に有する導電性材料前駆体において、物理現像核層がアミノ基含有ラテックスを含有することを特徴とする導電性材料前駆体を用いる。 （もっと読む）

【課題】電子回路の集積化を容易にすると共に、触媒に含まれる貴金属の省資源化を図り、更に無電解めっきによる精密な導電性回路を形成する方法を提供する。
【解決手段】射出成形した第１のばね基体２を粗化して、ポリ乳酸等からなる被覆材３を部分的に被覆して第２のばね基体４を形成し、触媒５を付与する。疎水性の被覆材３の表面に付着した触媒５を水洗浄で除去する。次に被覆材３で被覆されていない無電解めっきを形成する部分４ａに、浴組成が酸性または中性の無電解めっきを行なって導電性回路６を形成し、その後にアルカリ性溶液でこの被覆材３を加水分解して除去する。被覆材３は耐酸性であるため、酸性または中性の無電解めっき液で溶解せず、また無電解めっき後に被覆材３を除去するため、無電解めっきを形成する部分４ａに付与した触媒５がアルカリ性溶液によって脱落するという問題が生じない。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき法を用いて、より比抵抗の低い銅めっき膜を得ることが可能な製造技術を提供することを１つの目的とする。
【解決手段】本発明に係る一態様の銅めっき膜の製造方法は、（ａ）基材(2)上に触媒層(6)を形成すること、（ｂ）Ｃｏ（II）を還元剤に用いた無電解めっき浴(8)に前記基材を浸漬することにより、前記触媒層上にめっき銅膜(10)を析出させること、（ｃ）前記めっき銅膜を有する基材を６０℃以上１４０℃以下の温度範囲において焼成すること、を含む。 （もっと読む）

【課題】表面への金属メッキ層の形成が容易で、金属メッキ層との密着性に優れた複合材料およびその製造方法、ならびに該複合材料を含む成形体を提供する。
【解決手段】（１）特定の繰り返し単位を有するケイ素系重合体（Ａ）と、炭素−炭素不飽和結合を有する重合体（Ｂ）とを含有する樹脂組成物からなる成形物を得る工程、（２）架橋構造を形成させる工程、および、（３）成形物表面および／または成形物内部に金属微粒子を形成する工程を有することからなる複合材料の製造方法、および該複合材料。 （もっと読む）

【課題】 無接着剤フレキシブルラミネートの密着力の指標である初期密着力を低下させることなく加熱エージング後（１５０°Ｃ、大気中に１６８時間放置された後）の密着力を高めることを課題とする。
【解決手段】ポリイミド樹脂フィルムの両面又は片面に無電解ニッケルめっき層を形成し、その表層に無電解銅めっき又は電気銅めっきにより導電性皮膜を形成する金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法において、上記無電解ニッケルめっきに先立って、ポリイミド樹脂基板に紫外線を照射した後、酸性溶液に浸漬する処理、触媒付与処理を施し、その後、無電解ニッケルめっき層を形成することを特徴とする金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】任意の基板に対して、安価に金属膜および金属パターンを形成することができ、スパッタリング法の問題点を解決しうる金属膜の製造方法、金属膜およびその利用を提供する。
【解決手段】本発明に係る金属膜の製造方法は、３つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合化合物と、を含有する下地組成物を用いて有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属（M1）塩にする金属塩生成工程と、上記金属（M1）イオンよりもイオン化傾向の低い金属（M2）イオンを含有する金属（M2）イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属（M1）塩を、金属（M2）塩とする金属固定工程と、上記金属（M2）イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、上記金属膜を酸化する酸化工程と、を含む （もっと読む）

【課題】 複列基板を、離間して平行に配置した二列の処理槽の一方の処理槽の搬出部から互いに離間して隣り合う他方の処理槽の搬入部へ高速で乗換え搬送でき、しかも高速乗換え搬送中に複列の各薄物基板が互いに接触などの干渉が無い様に工夫した乗換え搬送装置を提供する。
【解決手段】 乗換え搬送装置１０に、一方の移送レール６の搬出側レール部６ａと他方の移送レール７の搬入側レール部７ａとの間を旋回移動する乗換えレール１１を旋回作動部に備えた水平旋回装置１２を設け、この前記水平旋回装置に前記乗換えレールと一体的に旋回移動される基板ガイド体３０と複列基板囲み体４０を設け、複列基板Ｗを吊持するハンガー治具３を前記乗換えレールの乗換え位置に固定できる乗換え位置固定手段５０を設けた。 （もっと読む）

本発明は、層状フィロケイ酸鉱物粒子が分配された金属マトリックスを含む複合材料であって、層状フィロケイ酸鉱物粒子が、合成フィロケイ酸ナノ粒子（６）と呼ばれる、１０ｎｍ〜１μｍの平均寸法を有する親水性の合成層状鉱物ケイ素／ゲルマニウム金属粒子であることを特徴とする複合材料に関する。本発明は、かかる材料から形成される潤滑コーティングを担持する基板及び電解析出による調製方法に及ぶ。
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【課題】従来に比較して、第２の無電解金属めっき層を安定して成膜することができ、製造コストの増加を抑制可能な多層金属めっき基材の製造方法を提供する。
【解決手段】基材の少なくとも一方表面に、第１の無電解金属めっき層、第２の無電解金属めっき層がこの順に積層されている多層金属めっき基材を製造するにあたり、基材表面に触媒を有するリード基材を、第２の無電解金属めっき浴に先に浸漬させた後、引き続き、基材表面に第１の無電解金属めっき層が積層された本体基材を、第２の無電解金属めっき浴に浸漬させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング処理室内壁の耐食性皮膜や蛍光ランプのガラスバルブ内面の皮膜などに用いられる希土類酸化物皮膜を、簡便に、緻密平滑な皮膜として得る方法を提供する。
【解決手段】配位子として、８−キノリノール、β−ジケトン類、芳香族カルボン酸などの、非分解の融点を持つ希土類元素の有機錯体を、実質的に水蒸気を含まないかあるいは実質的に酸素を含まない雰囲気下で加熱溶融し、その融液によって皮膜を形成し、これを加熱して酸化分解することによって希土類酸化物皮膜を得る。 （もっと読む）

【課題】ブリッジとスキップの両方が発生していない接続端子の製造方法、およびその接続端子を用いた半導体チップ搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１６と、該基材１６上に形成された接続端子（導体１５）と、を備える基板の表面に、硫黄有機物を含んだ溶液（無電解めっき用前処理液）に接触させる第１工程と、前記第１工程の後にドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセスあるいは物理的研磨によるプロセスの少なくともいずれかのプロセスにより前記接続端子（導体１５）上面の硫黄有機物を一部除去する第２工程とを有する、接続端子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上の第１領域Ｄ１および第２領域Ｄ２に、無電解めっき処理の触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、この第１下地層１３Ａ上の第１領域Ｄ１に対応する領域に第２下地層１３Ｂを形成する。第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも、無電解めっき処理の触媒材料の濃度分布が高くなる。よって、これら第１下地層１３Ａおよび第２下地層１３Ｂを形成した基板１１に対して、無電解めっき処理を施すことにより、第１領域Ｄ１において第２領域Ｄ２よりも成膜レートが高くなる。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で容易に傾斜面を形成することが可能な金属薄膜の形成方法および金属薄膜ならびに薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、無電解めっき処理を施し、第１下地層１３Ａを覆うように第１めっき層１４Ａを形成する。こののち、基板１１上の第１めっき層１４Ａの近傍領域に、触媒材料を含む第２下地層１３Ｂを形成し、この第２下地層１３Ｂと第１めっき層１４Ａを触媒として、さらに２回目の無電解めっき処理を施す。第１下地層１３Ａ上に堆積した第１めっき層１４Ａと、第２下地層１３Ｂとを覆うように第２めっき層１４Ｂが成膜される。第１下地層１３Ａに対向する領域と第２下地層１３Ｂに対向する領域との間に生じる膜厚差により、金属薄膜１０の端部にテーパ１４Ａ−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】開口部を有する基板に導電膜パターンを無電解めっきする際に良好なめっきを形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】めっき液Ｑ１を液建てするめっき槽５０と、めっき槽５０の外側に配置された外槽６０と、外層６０とめっき槽５０との間に所定の温度とした熱媒体を流通させてめっき槽５０の温度を制御する温度制御手段７０とを備え、めっき槽５０のめっき液Ｑ１と接する接液部が、凹凸部を有してなるフィン形状となっている無電解めっき装置１００を用いてめっき処理する。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた微細な導電性金属層を有する導電性材料を高効率で生産可能な導電性材料の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】透明支持体１６上に銀塩を含有する銀塩乳剤層を有する感光フイルムを露光して現像し、金属銀部２０を形成する。その後、金属イオンを含む溶液中で金属銀部２０をカソードとして被めっき材料２４を通電する。その後、通電後の被めっき材料２４に対して無電解めっき処理を行って、金属銀部２０のみにめっき層３４を担持させる。金属イオンを含む溶液中の金属イオンは銅、ニッケル、コバルト、スズのいずれかであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】化学合成方法を用いて、固体化したマトリックス中に均一に分散された、微細な金属ナノ粒子を有する金属ナノ粒子無機複合体の製造方法およびこの製造方法による金属ナノ粒子無機複合体を提供する。
【解決手段】基板上に、金属アルコキシドを酸触媒の作用により部分加水分解するゾルゲル法で、微細孔を有する酸化膜１４を形成する酸化膜形成工程と、この酸化膜１４を酸性の塩化スズ水溶液と接触させるＳｎ析出工程と、微細孔からＳｎ^２＋イオンを除去するＳｎ^２＋イオン除去工程と、酸化膜１４を金属キレート水溶液と接触させ、微細孔中に金属ナノ粒子１２を析出させる金属ナノ粒子析出工程と、微細孔から金属イオンを除去する金属イオン除去工程を備えることを特徴とする金属ナノ粒子無機複合体１０の製造方法およびこの製造方法による金属ナノ粒子無機複合体１０。 （もっと読む）