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【課題】 ボイスコイルモータ用ヨークからの金属パーティクルや無機物のパーティクルの発生を抑制して高品質のボイスコイルモータ用磁気回路を得るための技術を提供すること。
【解決手段】 冷延低炭素鋼などの板状のヨーク材11から、プレス機によりボイスコイルモータ用ヨーク部材12を打ち抜く。次に、ヨーク部材12の「非打ち抜き方向」から金型14を当て、ヨーク部材12のかえり面に面取り加工を施し、必要に応じて、微細なバリなどを取り除くための化学研磨を施す。最後に、ヨーク部材12にNiの無電解メッキなどの手法により表面処理を行う。このヨーク部材12のバリ取りは、バレル研磨や電解研磨によらず金型を用いたかえり面取り加工により実行されるので、バリに起因する金属パーティクルや研磨剤に起因する微粉末の磁気回路内への持込が抑制され、高品質のボイスコイルモータ用磁気回路を得るための技術を提供することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 Si等の非金属基板表面に直接的にメッキ処理を行うことを可能とする。
【解決手段】 非金属からなるSi基板11と、Si基板11表面に形成された無機酸化物微粒子の焼結体からなる下地薄膜161と、下地薄膜161上に無電解メッキ処理により形成されたメッキ膜 (Ni-P膜162)とを有する。
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【課題】無線物品用ループアンテナの製作、及びテレホンカード等のスマートカード用回路の製作のために、金属パターンを非導電性基板上に設けるプロセスを提供する。
【解決手段】方法は、触媒インクを塗布することで非導電性基板を触媒する、触媒インク中の触媒金属イオン源を関連する金属に還元する、無電解金属を基板面の触媒インクパターンに堆積する、及び電解金属を無電解金属層上にメッキして所望の金属パターンを非導電性基板に製造する工程を含む。触媒インクは、概して、1つ以上の溶媒、触媒金属イオン源、架橋剤、1つ以上のコポリマー、ポリウレタンポリマー、及び任意で、1つ以上のフィラーを含む。 (もっと読む)


本発明は、複合表面の特定の領域を導電性膜で選択的にコーティングするための方法、マイクロ電子機器の配線を製造するための方法、集積回路を製造するための方法およびプロセスおよび、特に、金属配線の回路網の形成に関する。本発明はさらに、マイクロシステムおよびコネクタを製造するための方法およびプロセスに関する。 (もっと読む)


配線基板の半田接続用の端子である銅のランド部(4b)上に、無電解Ni−Pめっき層(13a)を形成し、その上に無電解Pdめっき層(13b)を形成し、その上に無電解Auめっき層を形成する。無電解Ni−Pめっき層(13a)上に無電解Pdめっき層(13b)を形成する工程では、下地の無電解Ni−Pめっき層(13a)から無電解Pdめっき液中へのニッケルの溶出量が5×10−6kg/m以下となるようにする。無電解Ni−Pめっき層(13a)と無電解Pdめっき層(13b)の界面には、10nm以上のボイドは形成されない。その後、配線基板に半導体チップを搭載し、ワイヤボンディングを行い、樹脂封止し、配線基板のランド部(4b)に半田ボールを接続して、半導体装置を製造する。 (もっと読む)


レーザによりパターン化された基板上に金属を無電解メッキする方法。基板上に熱画像形成層および触媒層がともに被着される。レーザ・ビームで露光すると、熱画像形成層において十分なレベルの放射が熱に変換され、それによって、隣接する触媒層の露光領域が不活性になる。次いで、レーザによりパターン化された基板を反応溶液に暴露し、それによって、触媒層の非露光領域上で金属被膜の成長が開始される。
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本発明は、アルカリシリケートを含むコーティングゾルを支持体に塗布することにより、次いで、このように得られた層の、2段階熱処理方法に従う熱的圧縮により得られ得る変形可能なガラス質のコーティングを含有する金属性支持体に関する。熱処理は、第一段階で、(A)酸素含有雰囲気において、または(B)減圧(≦15mbarの残圧を有する)において、次いで、第二段階で、第一層が十分に圧縮されガラス質層が形成されるまで、酸素欠乏雰囲気において行われる。 (もっと読む)


本発明は、基本的に、金属パラジウム膜又は合金パラジウム膜が多孔性基質支持体の外側表面上に実質的に存在し、当該支持体の孔管にはほとんど若しくは全く存在しない金属パラジウム複合膜又は合金パラジウム複合膜に関し、且つその製造方法に関する。当該方法は、多孔性基質をパラジウム溶液でメッキして複合膜を形成する前に孔隙充填剤で当該多孔性基質を処理する工程を含む。
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本発明は、第一固体層(first solid layer)上に第二層(second layer)を形成するための化学反応を活性化することのできる第一固体層を基板の表面に形成する方法を提供する。この方法は基板の表面と、硬化性組成物及び第二層形成の化学反応のための活性化剤を含む第一液を接触させ、そして硬化性組成物を硬化させて基板の表面へのその材料の付着度を増し、それにより基板の表面に第一固体層を形成して付着させ、第二流体(second fluid)と接触させた後に第二層の形成の化学反応を活性化させうることを含む。 (もっと読む)


加工物30上にニッケル鉄を無電解析出させる方法及びその組成物を提供する。加工物30上にニッケル鉄を無電解析出させる際に用いられる析出液は、ニッケルイオン源、第一鉄源、錯化剤、還元剤及びpH調節剤を含む。その析出液は、アルカリ金属イオンを実質的には含まない。磁気エレクトロニクス装置で使用されるフラックス集中システムの作製方法は、加工物30を提供するステップと、加工物30上に絶縁材料層34を形成するステップとによって開始される。溝36が絶縁層34に形成され、バリア層40が溝内に析出される。ニッケル鉄クラッド層46がバリア層40上に析出される。ニッケル鉄クラッド層の析出後、溝付近の絶縁材料層34は、原子約1×1011個/cm未満のアルカリ金属イオン濃度を有する。
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本発明の実施形態は、一般的に、流体処理プラットフォームを提供する。該プラットフォームは基板搬送ロボットを有するメインフレームと、該メインフレーム上の少なくとも1つの基板洗浄セルと、少なくとも1つの処理エンクロージャとを含む。該処理エンクロージャは、処理エンクロージャの内部と流体連通状態に位置決めされたガス供給源と、エンクロージャ内に位置決めされた第一流体処理セルと、第一流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第一基板ヘッドアセンブリと、エンクロージャ内に位置決めされた第二流体処理セルと、第二流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第二ヘッドアセンブリと、第一および第二流体処理セルの間に位置決めされ、流体処理セルとメインフレームロボットとの間で基板を移送するように構成された基板シャトルとを含む。 (もっと読む)


本発明は、次の段階:強誘電化合物の粒子が誘電層で被覆され、被覆粒子を焼結することで高密度複合材が形成されることからなる、複合強誘電体を得るための方法に関する。本発明は、被覆段階において、少なくとも1種の溶媒および誘電化合物の前駆物質を含有した流体と強誘電化合物の粒子が接触させられ、該流体が加圧されることで特徴付けられる。 (もっと読む)


無電解堆積プロセス中の基板の温度を制御する方法及び装置。該装置は、流体配分部材より高い位置で基板を支持するように構成された堆積セルを含む。加熱された流体が該流体拡散部材から供給され、該基板の裏側に接触し、それによって該基板を加熱する。該加熱流体は、該基板の表面の全域で一定温度を維持するように構成されたアパーチャーから供給される。該方法は、該基板の表面の全域で一定の処理温度を生じるように構成されている構成で、加熱流体を拡散部材を介して該基板の裏側に向かって流すステップを含む。 (もっと読む)


【課題】高集積化、微細化されたパターンにおいて、ビアホール等を良好に埋め込み、かつ電気抵抗率の低い埋め込み型の多層配線構造を提供する。
【解決手段】埋め込み型の多層配線構造の製造方法が、絶縁層に孔部を形成する工程と、孔部の表面に、物理的真空堆積法で、平均膜厚が0.2nm以上で10nm以下である触媒層6、または触媒層の平均膜厚が、触媒層の材料原子の1原子層以上で10nm以下である触媒層6、を形成する工程と、触媒層を触媒に用いた無電解めっき法により、孔部の表面に無電解めっき層7を形成する工程と、無電解めっき層をシード層に用いた電解めっき法で、孔部を電解めっき層8で埋め込む工程とを含む。 (もっと読む)


本発明は、集積回路のメッキ方法を提供する。活性化プレートが、少なくとも一つの集積回路に隣接して配置される。集積回路は、接着パッド金属からなる複数の接着パッドを備え、また、活性化プレートも前記接着パッド金属からなる。無電解ニッケル層は、接着パッド及び活性化プレート上にメッキされ、金層は、接着パッド及び活性化プレート上の無電解ニッケル層を覆うようにメッキされる。活性化プレートを用いてメッキされた接着パッドを有する集積回路、ならびに集積回路をメッキするシステムについても開示されている。
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【課題】半導体装置用テープキャリアにおけるソルダーレジスト下方のリード配線の銅の過剰溶解を防止すると共に、スズめっきのホイスカを抑制する。
【解決手段】絶縁フィルム1上に接着剤層2を介して施された銅箔3の表面の全面にスズめっき層4を厚さ0.01〜0.2μm形成した後、加熱処理し、その後フォトレジストをコートし、露光、現像、エッチング、剥膜処理することにより銅箔3に微細配線パターン30を形成し、その後、前記配線パターン上に、その端子部分を除く所定の位置にソルダーレジスト6を塗布した後、前記端子部分に、厚さ0.15〜0.80μmのスズめっき層4を形成し、加熱処理することにより、厚さ0.20μm以上のスズ−銅合金層5bと厚さ0.15〜0.80μmの純スズ層4bを形成する。 (もっと読む)


【課題】 上層配線層と下層配線層とを、アスペクト比の高いビアコンタクトで接続した多層配線構造を提供する。
【解決手段】 多層配線構造のビアコンタクト形成工程が、ビアホールの底面上に触媒層を設け、触媒層上にビアホールの上方に向ってめっき金属層を成長させ、めっき金属層でビアホールを充填する無電解めっき工程からなる。 (もっと読む)


【課題】用いる基板の結晶格子間隔や配向方向によらずに所望の結晶配向性を有する誘電体薄膜を得ることができ、かつ誘電体薄膜を一方向にほぼ完全に結晶配向させることが可能なゾル−ゲル法を用いた誘電体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】金属化合物を含む誘電体前駆体溶液を基板上に塗布して誘電体前駆体層を形成する工程と、誘電体前駆体層を乾燥する工程と、誘電体前駆体層を焼成する工程とを有する、ゾル−ゲル法を用いた誘電体薄膜の形成方法において、前記誘電体前駆体層を乾燥する工程は、誘電体前駆体溶液に含まれる溶媒の沸点よりも高温で、かつ誘電体前駆体層の発熱反応が最大となる温度よりも低温で乾燥処理を行い、前記誘電体前駆体層を焼成する工程は、所定の速度で昇温させながら焼成を行う工程を含むことにより、一定方向への結晶配向性を有する誘電体薄膜を形成する。 (もっと読む)


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