【課題】還元反応が十分に進行しない、形成される金属構造物の表面に欠陥を有する等の不良現象が抑制され、光沢に優れた金属構造物を形成する方法及びその形成方法に用いられる金属構造物形成用組成物並びに電子部品を提供する。
【解決手段】本発明は、基材に、蟻酸の金属錯体（Ａ）及び蟻酸アンモニウム（Ｂ）を含有する金属構造物形成用組成物を塗布し、塗布物を形成する工程と、得られた塗布物に対して、加熱及び／又は光照射し、金属からなる構造物を基材の表面に形成する工程とを、順次、備える金属構造物の形成方法である。 （もっと読む）

試薬溶液から固体膜を基材上に堆積するための装置は、試薬溶液内における均一反応を阻害するのに十分低い温度に保った試薬溶液の貯槽を備える。冷却した溶液は、シャワーヘッドにより、一度に、基材上に分注される。シャワーヘッドの１つが試薬溶液を微細ミストとして送達するようにネブライザーを含むのに対して、他のシャワーヘッドは試薬を流れるストリームとして送達する。基材の下に配置されたヒータは、試薬溶液からの所望の固体相の堆積が開始され得る温度に基材を昇温して保つ。各試薬溶液は、少なくとも１種の金属およびＳもしくはＳｅのいずれかまたは両方を含有する。試薬溶液の少なくとも１つは、Ｃｕを含有する。該装置およびそれに関連する使用方法は、Ｃｕ含有化合物半導体の膜を形成するために特に適する。
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【課題】現像によるパターン形状の乱れを改善し得る、前駆体溶液を用いた金属酸化物薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも金属カルボン酸塩を含む有機金属化合物及び第１有機溶剤を含有する前駆体溶液を基板に塗布し、基板上に塗膜を形成する工程と、塗膜を形成した基板に対して所望のパターンに従って光照射を行い、塗膜にパターンに従った可溶部及び不溶部を形成する露光工程と、第２有機溶剤を用いて可溶部を溶解し、不溶部を残存させる現像工程と、現像の直後に、基板を第１有機溶剤及び第２有機溶剤よりも極性の高い第３有機溶剤に浸漬し、基板表層に残留している第２有機溶剤を洗い流して現像を即座に停止させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】原料溶液の性質を改善をすることなく、光照射感度を向上し、現像によるパターン形状の乱れを改善し得る、前駆体溶液を用いた金属酸化物薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも有機金属化合物及び第１有機溶剤を含有する前駆体溶液を基板に塗布し、基板上に塗膜を形成する工程と、塗膜を形成した基板を加熱して、塗膜に含まれる第１有機溶剤を除去する工程と、塗膜を形成した基板に対して所望のパターンに従って光照射を行い、塗膜にパターンに従った可溶部及び不溶部を形成する露光工程と、光照射した基板を再加熱して、光照射により形成する不溶部の不溶化を促進させる工程と第２有機溶剤を用いて可溶部を溶解し、不溶部を残存させる現像工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 製造条件を厳しくすることなく、高い生産性で、高強度、高熱伝導で、かつ高
靭性の窒化珪素基板を提供し、熱抵抗が低く、信頼性の高い窒化珪素基板を提供する。
【解決手段】 開示される窒化珪素配線基板１は、窒化珪素質焼結体からなる窒化珪素基
板１１の表面に金属からなる配線回路パターン１３がろう材により接合されるとともに、
配線回路パターン１３の表面にめっき層が形成されて構成されている。この場合、窒化珪
素基板１１の表面粗さＲｚが３μｍより大きく２０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子部品などへのはんだ実装およびワイヤーボンディング性に優れためっき層を施すことができる無電解パラジウムめっき液を提供する。
【解決手段】パラジウム化合物、アミン化合物、無機硫黄化合物および還元剤を含む無電解パラジウムめっき液において、前記還元剤として、次亜リン酸または次亜リン酸化合物およびギ酸、またはギ酸化合物を併用してなり、前記パラジウム化合物０．００１〜０．１モル／ｌ、前記アミン化合物は０．０５〜５モル／ｌ、前記無機硫黄化合物０．０１〜０．１モル／ｌ、前記次亜リン酸化合物は０．０５〜１．０モル／ｌ、前記ギ酸またはギ酸化合物は０．００１〜０．１モル／ｌであり、これにより、はんだ特性およびワイヤーボンデイング特性に優れためっき液を得ることを特徴とする無電解パラジウムめっき液。 （もっと読む）

本発明は、金属化された基体を調製するためのプロセスであって：この基体上に、少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得る基を必要に応じて保有するポリマー型の化合物をグラフト化する工程と；少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得るこのポリマー型の化合物を少なくとも１つの金属イオンと接触して配置する工程と、ポリマー型のこの化合物を、このキレート化された金属イオン（単数または複数）を還元するための条件に供する工程と、金属化された基体が得られるまでこのキレート化／還元工程を繰り返す工程とからなる工程を包含するプロセスに関する。本発明はまた、このプロセスにより得られる基体、およびその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき電極膜にワイヤボンディングを行う際に、信頼性の高いワイヤ接合力を得る手段を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、一面に無電解めっき電極膜１１０が形成された基板１０２と、基板１０２の一面に搭載された半導体チップ１２０と、半導体チップ１２０と無電解めっき電極膜１１０の一面とを接続するボンディングワイヤ１５０とを含む。ここで、無電解めっき電極膜１１０の一面のボンディングワイヤ１５０との接合部において、当該接合部の最下部の高さと当該接合部以外の一面の最高部の高さとの差である窪み量が１．５μｍ以下である。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも以下の工程：（Ａ）相応する金属の、少なくとも３個の炭素原子を有するモノ−、ジ−又はポリカルボン酸のカルボキシレート又はモノ−、ジ−又はポリカルボン酸の誘導体、アルコキシド、水酸化物、セミカルバジド、カルバメート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジド及びそれらの混合物から成る群から選択される、少なくとも１種の金属酸化物の少なくとも１種の前駆体化合物を含有する溶液を、少なくとも１種の溶媒中で製造する工程、（Ｂ）工程（Ａ）からの溶液を基材に施与する工程及び（Ｃ）前記少なくとも１種の前駆体化合物を、少なくとも１種の半導体金属酸化物に変えるために、工程（Ｂ）からの基材を、２０〜２００℃の温度で熱処理する工程を包含し、その際、工程（Ａ）において電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）が前駆体化合物として使用される場合、これを酸化亜鉛又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって得る、基材上に少なくとも１種の半導体金属酸化物を含有する層を製造するための方法、この方法によって得られる、少なくとも１種の半導体金属酸化物で被覆されている基材、この基材の、電子部品における使用、並びに電気的に中性の［（ＯＨ）_x（ＮＨ₃）_yＺｎ］_z（式中、ｘ、ｙ及びｚは、互いに無関係に、０．０１〜１０である）を、酸化亜鉛及び／又は水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって製造するための方法に関する。
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【課題】無電解めっき処理を行うに際し、半導体装置の特性変動を防止する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１のおもて面に、アルミニウム、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、エミッタ電極６を形成する。エミッタ電極６として、第１のアルミニウム膜６１および第１のニッケル膜６２が形成される。次いで、半導体基板１の裏面に、アルミニウムシリコン、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、コレクタ電極９を形成する。コレクタ電極９として、第２のアルミニウム膜９１および第２のニッケル膜９２が形成される。次いで、エミッタ電極６の表面をエッチングする。次いで、エミッタ電極６の表面に形成された表面酸化膜を除去し、エミッタ電極６の表面を活性化する。次いで、半導体基板１のエミッタ電極６およびコレクタ電極９の両面に、同時に、無電解ニッケルめっき処理および置換金めっき処理を連続して行う。 （もっと読む）

【課題】各種の下地金属上に置換析出型の金めっき皮膜を形成する際に、金めっきの析出性、カバーリング性などを向上させることが可能な新規な置換析出型無電解金めっき方法、及びこの方法に用いる処理剤を提供する。
【解決手段】亜硫酸塩、アミノカルボン酸類、ヒドロキシカルボン酸類、ホスホン酸類及びポリエチレンンアミン類からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分を有効成分とする水溶液からなる置換析出型無電解金めっきの前処理用活性化液、並びに
該活性化液に被処理物を接触させた後、水洗を行うことなく、該被処理物を置換析出型無電解金めっき液に接触させることを特徴とする置換析出型無電解金めっき方法。 （もっと読む）

【課題】基材ポリマー粒子の有する良好な圧縮特性を保持し、圧縮変形を受けた後も導電性の低下が少なく、メッキ皮膜層により酸化防止効果、及びマイグレーション防止効果を有し、更に、粒子自体が導電性を有するため、前記メッキ皮膜層が剥がれた後でも電気抵抗が増大することや、絶縁性になることがなく、導通信頼性に優れた導電性粒子、及び該導電性粒子を製造するための導電性粒子の製造方法の提供。
【解決手段】基材ポリマー粒子に対し、ヨウ素をドープしてポリマー／ヨウ素複合体を調製する１次ドープ工程、該ポリマー／ヨウ素複合体に対し、金属種を反応させて金属ヨウ化物コンポジットを調製する２次ドープ工程、該金属ヨウ化物コンポジットを金属微粒子へ還元し、金属微粒子ドープ粒子を調製する還元工程、を少なくとも含み、更に、前記金属微粒子ドープ粒子を無電解メッキする無電解メッキ工程、を含むことを特徴とする導電性粒子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ニッケルフェライト皮膜の形成に要する時間をさらに短縮できる炭素鋼部材へのニッケルフェライト皮膜形成方法を提供する。
【解決手段】皮膜形成装置をＢＷＲプラントの炭素鋼製の給水配管に接続する（Ｓ１）。
ニッケルイオン及びギ酸を含む薬液を、循環配管内に流れる、６０〜１００℃の範囲内の温度に加熱された皮膜形成水溶液に注入する（Ｓ４）。この皮膜形成水溶液が給水配管に供給され、給水配管の内面にニッケル金属皮膜が形成される。ニッケル金属皮膜が形成された後、鉄（II）イオン及びギ酸を含む薬液、過酸化水素及びヒドラジンを、ニッケルイオン及びギ酸を含む皮膜形成水溶液に注入する（Ｓ５〜Ｓ７）。鉄（II）イオン、過酸化水素、ヒドラジン、ニッケルイオン及びギ酸を含む皮膜形成水溶液が給水配管に供給される。給水配管内でニッケル金属皮膜の表面にニッケルフェライト皮膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】カバーレイフィルムやソルダーレジストと銅又は銅合金界面へのめっき液の浸入が少なく、また、はんだ濡れ性が良好であり、基材とはんだとの接合信頼性も良好なめっき被膜を形成する無電解錫又は錫合金めっき液の提供。
【解決手段】少なくとも錫塩、錯化剤、酸を含む無電解錫又は錫合金めっき液において、ベンゼン環に直接結合した一つ以上のヒドロキシル基を持つ化合物を含有し、且つポリアルキレングリコール化合物又はポリアルキレングリコールの末端の少なくとも一つ以上のヒドロキシル基をアルコキシ基で封鎖したポリアルキレングリコールエーテル化合物を含有することを特徴とする無電解錫又は錫合金めっき液。 （もっと読む）

【課題】安価でありながら刃先の耐摩耗性、硬度、じん性及び耐衝撃性に優れたることで寿命が長い帯鋸の提供を目的とし、さらには、この帯鋸に好適な部分メッキ方法及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】帯鋸の刃先部分にのみ、部分的に無電解ニッケルメッキ皮膜を形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明はマイクロまたはナノ気孔を有する分離膜支持体の片面または両面にカーボンナノ構造体−金属複合体がコーティングされたカーボンナノ構造体−金属複合ナノ多孔膜に関する。また、本発明は、カーボンナノ構造体−金属複合体を界面活性剤存在下で分散させた後、分離膜支持体の片面または両面にコーティングする段階と、前記コーティングされた分離膜支持体を熱処理を施して前記金属を前記分離膜支持体に融着させる段階と、を含むカーボンナノ構造体−金属複合ナノ多孔膜製造方法に関する。
本発明によるカーボンナノ構造体−金属複合ナノ多孔膜は前記カーボンナノ構造体−金属複合体で金属のサイズが数ｎｍ〜数百ｎｍであるため低温で溶融する特徴を有する。従って、低温で熱処理を施すことにより前記金属とカーボンナノ構造体を網状に連結し、前記金属を分離膜支持体に融着させることで製造される新しい形態のナノ多孔膜及びその製造方法を提供することができる。また、本発明によるナノ多孔膜を水処理分離膜として使用する場合、分離膜における問題、即ち細菌が原因となる詰まり現象による分離膜寿命の問題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜工程における半導体ウェハの反り量を低減し、搬送ミスやウェハ割れを低減することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造法は、互いに対向する一方表面１ａおよび他方表面１ｂを有する基板１を準備する工程と、基板１の一方表面１ａおよび他方表面１ｂにめっき法により導電層であるＮｉめっき膜７およびＡｕめっき膜８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板またはプリント配線板用基板である、高多層材（配線板）の穴内めっき析出性に優れた無電解めっき用前処理方法を提供する。
【解決手段】被めっき物の非導電性表面に無電解めっき処理を施す工程前の前処理方法において、アルコール濃度が１〜６０質量％を含む水溶液に被めっき物を浸漬する工程、さらに、非イオン界面活性剤とフッ素系界面活性剤とを含むｐＨ１０以上のアルカリ水溶液に被めっき物を浸漬する工程を有する無電解めっき用前処理方法。 （もっと読む）

【課題】 電子部品の電極表面に対し、電源を用いず、かつ触媒処理も行わずＣｕめっき皮膜を形成する場合においても、成膜速度の高いＣｕめっきを可能とする電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも表面がＣｕの析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する金属からなる導電性媒体を、Ｃｕめっき浴中で前記被めっき物と混合し、前記被めっき物における電極上にＣｕめっき皮膜を形成する工程を含む電子部品の製造方法において、前記Ｃｕめっき浴が、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅から選ばれる少なくとも一種、ならびに、リンゴ酸、乳酸、マロン酸、グルタミン酸から選ばれる少なくとも一種、を含む。 （もっと読む）

【課題】 生産性よく、パターンが施された金属箔を製造する方法により得られた金属箔を提供する。
【解決手段】 （イ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広で導電性基材が露出している凹部が形成されているめっき用導電性基材の表面にめっきにより金属を析出させる工程、（ロ）上記めっき用導電性基材の表面に析出させた金属を剥離する工程を含むパターンが施された金属箔の製造方法。絶縁層は幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されており、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）又は無機材料からなることが好ましい。 （もっと読む）