【課題】製造工程を大幅に削減することができ、導電層の製膜時間を短縮することができるほか、容易に大面積化をはかることが可能で、かつ、様々な基板に関して導電層を具備することができる配線用基板及び配線基板の提供。
【解決手段】湿式無電解メッキ法を用いて基板上に導電層を形成し、部分的に導電層を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無機酸化物膜中に金属微粒子が層状に配列された新規な配列膜を、簡便な方法により製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】反射基板上に、無機酸化物ゾル−ゲル成分と金属成分とを含有する薄膜を製膜する工程（Ａ）と、前記反射基板上の薄膜に、特定の波長の光を照射する工程（Ｂ）とを含むことを特徴とする、配列した金属微粒子を含有する無機酸化物膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】広い表面積を持つ矩形平板状のガラス基板等の基板表面に、基板の損傷を防止しつつ、均一な膜厚の金属膜を一連の動作で成膜することができ、しかも狭いスペース内に設置でき、スループットの高いめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき面を上向きにして基板Ｗを水平な状態で搬送する基板搬送ユニット１４ｃと該基板搬送ユニット１４ｃに隣接して配置されためっきユニット２６ａを有し、めっきユニット２６ａは、めっき液Ｑを保持するめっき槽４０と、めっき槽４０の上方に配置され、被めっき面を上向きにして基板Ｗを水平に保持し該基板Ｗと共にめっき槽４０内のめっき液Ｑ中に浸漬される上下動自在な保持ベース４２と、基板搬送ユニット１４ｃから基板Ｗを受取って保持ベース４２上の所定の位置に移送する基板移送機構５０と、基板移送時に保持ベース４２の表面に流体を供給して流体膜を形成する流体膜形成部４２ｂ，６４を有する。 （もっと読む）

【課題】表面化粧構造体の表面処理方法およびそれによる表面化粧構造体を提供する。
【解決手段】ステンレススチール製薄板をプレス、深絞りまたは圧延により構造体を成型する第１工程と、該成型された構造体に、成型により表面に発生した５μｍ以下の微細クラックまたはピンホールが存在する場合に、少なくとも該微細クラックまたはピンホールが存在する部分に、洗浄処理を介して、つきまわり、均一電着性に富む金属（Ｃｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｉｎまたはそれらの合金）の電解メッキまたは非電解メッキを厚さ０．１〜３μｍ施す第２工程と、該電解メッキまたは非電解メッキ部をバッフィングまたはポリシングする第３工程と、または第３工程を省略して、さらに前工程後にケ−ス全体に印刷インキまたは塗料による表面化粧被覆を施す第４工程を有することを特徴とする表面化粧構造体の表面処理方法およびそれによる表面化粧構造体。 （もっと読む）

【課題】高精度のメッシュパターン等の精細画像を精確に形成することが可能な無電解メッキ用前処理剤を提供すること、及び光透過性、電磁波シールド性、外観性、及び視認性に優れ、高精度のメッシュパターンを有する光透過性電磁波シールド材を、簡易に得ることができる光透過性電磁波シールド材の製造方法を提供すること。
【解決手段】無電解めっき用触媒微粒子と、合成樹脂とを含む無電解めっき前処理剤であって、剪断速度２４０ｓ^-1における粘度Ｂに対する剪断速度２．４ｓ^-1における粘度Ａの比（Ａ／Ｂ）で定義されるチキソトロピーインデックスが５以上であることを特徴とする無電解めっき前処理剤。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ、微細で深い溝パターンを形成可能なメタルマスクを提供すること。また、微細で深い溝パターンを有するガラス成形型を提供すること。
【解決手段】開口パターン部１０ａと非開口パターン部１０ｂとを有するメタルマスク１０の非開口パターン部１０ｂを、触媒金属１８が付与された下地層１２の表面に積層された無電解Ｎｉめっきまたは無電解Ｎｉ合金めっきよりなるめっき層１４と、めっき層１４の表面を被覆するＮｉＦ_２層１６とから構成する。このメタルマスク１０を介して型基材部２０表面をエッチングする工程を経て、溝部を有するガラス成形型とする。 （もっと読む）

【課題】亜臨界流体又は超臨界流体を使用するとともに短時間で均一な被膜を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液は、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方と界面活性剤を含み、平均粒径が１００μｍより大きい金属粉末を金属粉末が溶解しなくなる量以上に添加して分散させたものを、超臨界状態又は亜臨界状態で無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を発生させることなく短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１００μｍより大きいものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】基板の面内で均一な膜厚を有するめっき処理膜を形成すること
【解決手段】この半導体装置の製造装置は、基板を回転可能に保持する保持機構と、基板上の被処理面にめっき処理を施すための処理液を供給するノズルと、保持機構に保持された基板を被処理面に沿った向きで回転させる基板回転機構と、保持機構に保持された基板上の被処理面と対向する位置で、ノズルを被処理面に沿った方向に移動させるノズル移動機構と、ノズルによる処理液の供給およびノズル移動機構によるノズルの移動動作を制御する制御部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】硬質樹脂からなる第１の成形体と軟質樹脂からなる第２の成形体とを備えるメッキ用二色成形体において、軟質樹脂からなる成形体におけるメッキ処理による変色が十分に抑制され、十分なメッキ処理耐性を有するメッキ用二色成形体を得ることが可能なメッキ付二色成形用熱可塑性ポリウレタン樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】有機ジイソシアネート（Ａ）と、１，２−ビニル体を含有し且つ平均官能基数が２．０以下であるポリブタジエンポリオール（ｂ１）を主成分とする高分子ポリオール（Ｂ）と、炭素数２〜１０の脂肪族ジオール（ｃ１）を主成分とする鎖延長剤（Ｃ）とを含有することを特徴とするメッキ付二色成形用熱可塑性ポリウレタン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ等の金属層の酸化が生じ難く、かつ、結晶性がよく、かつ、クラックの発生し難いＢａ及びＴｉ含有酸化物層の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｂ，２０Ｃを金属層１４上に形成するアモルファス層形成工程と、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｃを結晶化する結晶化工程と、を備える。アモルファス層形成工程では、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物の前駆体層を形成すること、及び、Ｂａ及びＴｉ含有酸化物の前駆体層に１パルスあたり１〜１００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線パルスレーザ光を照射することの組合わせを１回行う又は複数回繰り返し行うことにより厚みが３００〜６６０ｎｍのＢａ及びＴｉ含有酸化物のアモルファス層２０Ｂ，２０Ｃを形成する。また、結晶化工程では、酸化物のアモルファス層２０Ｃに１パルスあたり６０〜４００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線パルスレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】めっき工程に過マンガン酸を含む酸性のエッチング液で処理する工程がある場合であっても、めっき処理中のめっき皮膜とプラスチック表面の良好な密着性や生産性が得られるプラスチック表面への金属めっき方法を提供すること。
【解決手段】プラスチック表面を過マンガン酸を含む酸性のエッチング液でエッチング処理し、次いで、プラスチック表面に触媒付与処理および触媒活性化処理し、最終的に電気金属めっきを行うプラスチック表面への金属めっき方法であって、何れかの処理の後にプラスチック表面を温水溶液で処理することを特徴とするプラスチック表面への金属めっき方法。 （もっと読む）

【課題】 成膜時間や工数を大幅に削減することができ、生産性良く配線を形成することできるとともに、結晶性の良い無電解めっき膜の形成が可能で、配線の主体となる無電解めっき膜の形状も安定なものとすることが可能な配線形成方法を提供する。
【解決手段】 銅とマンガンを含む合金膜を形成する工程と、合金膜を熱処理してマンガンを表面及び下側界面に偏析させ、銅薄膜の上下にマンガン層が形成された複合膜とする工程と、銅薄膜上に形成されたマンガン層を除去する工程と、銅薄膜をシード層として無電解めっきを行う工程とを有する。無電解めっきを行う工程においては、レジストを用いたリフトオフ法により配線パターンを決定する。無電解めっき工程の後、レジストを除去し、露呈する銅薄膜及びマンガン層の不要部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を用いることにより、表面抵抗等のばらつきが少ない薄膜形成が可能な金属酸化物薄膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】基材上に、金属酸化物薄膜を形成する金属酸化物の製膜方法において、基材に対して、金属塩を含有する液状物を塗布して金属塩を含有する塗膜を形成する工程と、
塗膜に対してプラズマ処理を行う工程と、を含み、より好ましくは、金属塩を含有する液状物として、亜鉛及びインジウムから選ばれる少なくとも１つを含有する液状物を用いる金属酸化物薄膜の製膜方法である。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、低コストで生産することができ、しかも耐久性に優れた可変減衰力ダンパ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】可変減衰力ダンパ１０は、磁性流体が充填されるシリンダチューブ１２と、シリンダチューブ１２の内部を第１油室１４と第２油室１５とに画成し、磁性流体を第１油室１４と第２油室１５との間で流通させる連通孔を有し、この連通孔内の磁性流体に磁界を印加するコイル３３を備えたピストン１６とを具備し、コイル３３への通電によって連通孔内の磁性流体の粘性を変化させて減衰力を制御する。シリンダチューブ１２は、その内周面に無電解Ｎｉめっきと加熱処理によって形成されたビッカース硬度が８００ＶＨＮ以上のＮｉめっき膜２２を備え、ピストン１６をＮｉめっき膜２２に対して摺動させる構造とした。 （もっと読む）

【課題】ウェット処理を行う際に、上下側に震動を与えるとしても基板が破損せずに信頼性よく処理できる基板保持用治具を提供する。
【解決手段】内側に複数の基板４０の横方向の動きを規制するガイドＧ１、Ｇ２が設けられて、複数の基板４０が縦になった状態でガイドＧ１，Ｇ２に配置されて収容される本体部２０と、本体部２０の上に配置され、複数の基板４０に対応する内側の位置に基板４０の縦方向の動きを規制するガイドＧ３が設けられた基板押え３０とを含み、基板押え３０は、複数の基板４０に対応する位置にばね５０を備えており、基板押え３０が本体部２０の上に配置される際に、複数の基板４０がばね５０で下側に押圧されて固定される。 （もっと読む）

【課題】ヘッダータンクを構成する部材の必要な部分にのみ薄くかつ均一な亜鉛付着層をする。
【解決手段】移送されているアルミニウム製ヘッダータンク(101)の外面の一部領域(34)に、無電解亜鉛めっき液(114)が含浸された軟質体(110)を接触させることによって、前記ヘッダータンク(101)の一部領域(34)に無電解亜鉛めっきを行って亜鉛付着層(103)を形成する。また、前記軟質体(110)として、外形形状が略円柱形状に形成されるとともに該略円柱形状の中心軸線を回転軸(111)として回転可能に支持された多孔質軟質体であってその外周面の一部に周方向に沿ってヘッダータンク受容凹溝(112)が形成されてなる多孔質軟質体を用い、ヘッダータンク(101)の外面の一部領域(34)を、前記多孔質軟質体(110)の受容凹溝(112)内に接触状態に嵌め込むことによって無電解亜鉛めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】マイグレーションを起こすことなく、コストが安く、かつ導電性が高く、電極間の接続信頼性に優れる導電粒子を提供する。
【解決手段】コア粒子１１と、コア粒子１１を被覆し、厚さが２００Å以上であるパラジウム層１２と、パラジウム層１２の表面に配置され、粒径がパラジウム層１２の厚さより大きい絶縁性粒子１と、を備える導電粒子８ａ。 （もっと読む）

【課題】基材の表面上に形成された導電層の表面上に無電解めっき層を形成するための無電解めっき方法において、導電層以外の領域への無電解めっき層の形成をより効果的に防止することが可能な無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき方法は、基材の表面上に形成された銀を主成分とする導電層の表面上に無電解めっき層を形成するための無電解めっき方法であって、導電層を含む基材の表面上にヨウ素含有物質を付与する工程と、ヨウ素含有物質を付与した後、導電層を含む基材の表面上にパラジウムを主成分とする触媒を付与する工程と、触媒を付与した後、導電層の表面上に無電解めっき層を形成する無電解めっき工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化パラジウムを容易に水に溶解できるようにして、還元時の収率を大幅に向上させ、金属パラジウム触媒を効率よく生産する。
【解決手段】印刷用めっき触媒の製造方法は、ハロゲン化パラジウムを含有する水溶液を調製する工程を有し、前記水溶液を用いて印刷用めっき触媒を製造する印刷用めっき触媒の製造方法であって、前記水溶液が無機アニオンを含有することを特徴とする。無機アニオンの含有量は前記ハロゲン化パラジウム１質量部に対して、０．５質量部以上５０質量部以下であることが好ましい。無機アニオンはハロゲンイオン又はロダンイオンである。 （もっと読む）

【課題】金属超微粒子を炭素素材に付着させる。
【解決手段】表面にアルキル基を持ち且つ金属表面との反応性を持つ官能基を有する有機化合物によって被覆された金属超微粒子（有機複合金属ナノ粒子）を有機溶媒に分散・可溶化し、炭素素材を前記有機溶媒に攪拌混合する。その後、加熱処理により前記溶媒を乾燥させ、前記複合金属ナノ粒子金属超微粒子を取り囲む有機被膜を分解させることにより、前記炭素素材に、前記金属超微粒子を反応・侵食した形で一体化することにより、強固に付着させる。 （もっと読む）