【課題】高分子錯体層を用いて基体表面に無電解めっきにより金属パターンを容易に形成することのできる金属パターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体デバイス、電子部品評価用テスタ、プローブカード、ＩＣカード、光デバイス等に用いられる基板表面（基体１の表面）に金属微細配線等の金属パターン７を形成するにあたって、まず、高分子層形成工程では、触媒金属イオンと錯体を形成可能な高分子層３を基体１の表面上のめっき予定領域に選択的に形成する。次に、高分子錯体層形成工程では、触媒金属イオンを含む処理液を高分子層３に接触させてめっき予定領域に触媒金属イオンと高分子層３との高分子錯体層４を形成する。次に、無電解めっき工程では、無電解めっき液を高分子錯体層４に接触させて高分子錯体層４上に無電解めっき層５（金属層）を無電解めっきにより形成し、金属パターン７を構成する。 （もっと読む）

【課題】析出膜厚が均一で、めっき反応の促進効果を持ち皮膜の未析出問題がなく、自己分解による浴内析出のない浴の安定性に優れ、被めっき物となる導体の組成等に影響されない無電解Ｐｄめっき液と無電解Ａｕめっき方法を提供する。
【解決手段】表面がＣｕ、Ｎｉ−Ｐからなる導体上にＰｄあるいはＡｕの皮膜を形成する無電解めっき方法において、前記導体表面に触媒層として置換還元めっき方法によりＰｔとＲｕを０．０５ｍｇ／ｄｍ^２以下の付与量で形成する工程と、前記ＰｔとＲｕからなる触媒層を付与した導体上にＰｄあるいはＡｕの無電解めっき皮膜形成処理を行う工程とからなり、前記無電解めっき液の、ｐＨが５以下で、炭素の数が３以下のアルコールを含有していることを特徴とする無電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき方法において、パラジウム等の貴金属を使用することなく、またクロム酸等の有害な薬剤を使用せずにめっきと被めっき物間の良好な密着性を確保でき、かつ、めっき液を繰り返し使用することができる無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】被めっき物の表面上に、めっき金属の金属イオンを還元する能力を有する有機残基を側鎖に含有するポリマーを塗設する工程（１）と、前記ポリマーが塗設された被めっき物の表面上に、前記金属イオンを含みこの金属イオンを還元しうる還元剤を含まない溶液中において、前記金属イオンの部分還元金属酸化物を析出させる工程（２）と、前記金属イオンを還元しうる還元剤を含む溶液中において、前記部分還元金属酸化物を自己触媒性を有するめっき金属に還元する工程（３）と、被めっき物の表面上に、無電解めっき液中においてめっき金属の被膜を形成する工程（４）と、を含む無電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】 無電解ニッケルめっき層の形成後に高温で加熱することなく、さらに無電解ニッケルめっき層の形成を複数回の工程で行うことなく、長期の熱負荷時の銅の拡散による密着強度の低下を抑制し、長期の熱負荷に対する耐熱性に優れ、且つ、高温短時間の熱負荷に対する耐熱性、ハンダ耐熱性にも優れるフレキシブルプリント基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 １回のめっきでポリイミドフィルムの両面に各厚みが０．１μｍを超えて０．３μｍ未満の無電解ニッケルめっき層を形成した後、加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により、ポリイミドフィルムの一方の面（Ａ）は配線を有し、他方の面（Ｂ）は一部又は全面にポリイミドフィルムが露出する部分を有するフレキシブルプリント基板を製造する。または、イミド化時に最高加熱温度５３０℃以上で熱処理したポリイミドフィルム、または４９０℃以上で熱処理したポリイミドフィルムの両面に、１回のめっきで、無電解ニッケルめっき層を形成した後、１００〜１８０℃の範囲で２．５時間以上加熱した両面ニッケルめっき積層ポリイミドフィルムを用いて、配線加工により、フレキシブルプリント基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】メッキ膜上に置換メッキ膜を十分な厚みで確実に形成されている電子部品を提供する。
【解決手段】基板２上に、無電解メッキにより形成された第１のメッキ膜と、第１のメッキ膜上に形成された第２のメッキ膜、すなわち置換メッキ膜とを有する電極３，４が形成されており、第１のメッキ膜において、面積をＳ、第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたき、比Ｓ／Ｌが０．２以下である、電子部品１。 （もっと読む）

【課題】
誘電体基材の表面に結合させてグラフト化した錯化高分子に、金属イオンを配位結合させた後、大気圧プラズ処理による還元により無電解めっきにおける触媒金属ナノ粒子を形成する誘電体基材表面の金属化方法において、金属ナノ粒子形成機構及び無電解めっき反応における自己触媒作用を解明し、処理条件を検討することにより、誘電体基材表面に密着性が良く品質が優れた金属膜を形成することが可能な誘電体基材表面の触媒フリー金属化方法を提供し、併せて金属膜付き誘電体基材を提供する。
【解決手段】
誘電体基材表面に導入した親水性官能基を反応点として、錯化高分子を自発的に共有結合させて高密度にグラフト化させた後、未反応の錯化高分子を洗浄除去すること、及び金属の前駆体をプラズマ還元処理により、分解、還元して５０〜２００ｎｍのサイズの金属ナノ粒子を三次元的に成長させた。 （もっと読む）

【課題】高精細かつ密着性に優れた金属配線を製造できると共に、ビアの接続信頼性に優れた多層配線基板を、高歩留まりで製造する製造方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）第１の導電層１４を備える配線基板表面に、絶縁層、及び、所定の官能基を有するポリマーを含む層にエネルギー付与して得られる密着樹脂層２０をこの順で備える積層体を形成する工程と、（Ｂ）前記密着樹脂層に対してめっき触媒を付与した後、めっきを行い、第２の導電層２４を形成する工程と、（Ｃ）レーザ加工又はドリル加工により、第２の導電層、絶縁層を貫通し、前記第１の導電層に達するようにビアホール２６を形成する工程と、（Ｄ）デスミア処理を行う工程と、（Ｅ）前記ビアホール壁面に対して、カーボンブラックまたはグラファイトを付与した後、無電解めっきを行うことなく、電気めっきを行い、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを電気的に接続する工程とを備える製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属材料を被めっき部分として含む被処理物に無電解めっき皮膜を形成するための新規な活性化処理方法を提供する。
【解決手段】下記（１）及び（２）に記載の二段階の工程で処理することを特徴とする、無電解めっきの前処理方法：（１）（ｉ）パラジウム化合物、並びに（ii）アルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、、アルカリ金属、アルカリ土類金属の硫酸塩からなる群から選ばれた少なくとも一種を含有する水溶液に接触させる第一活性化処理工程：（２）（ｉ）パラジウム化合物、（ii）アルカリ金属、アルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属、アルカリ土類金属の硫酸塩からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分、並びにポリアミンの架橋化物からなる群から選ばれた少なくとも一種を含有する水溶液からなる活性化液に、第一活性化処理工程で処理された被処理物を接触させる第二活性化処理工程。 （もっと読む）

【課題】金属の無電解めっきの触媒として使用される、安定で、コスト効果的な金属ナノ粒子を提供する。
【解決手段】一般式：


（式中、Ｒ１は非置換（Ｃ１４〜Ｃ３０）アルキルであり、Ｒ２およびＲ３は同じかまたは異なっており、非置換（Ｃ１〜Ｃ６）アルキルである）を有するアミンオキシドで封入された金属ナノ粒子を含む組成物で、金属ナノ粒子が、銀、金、白金、インジウム、ルビジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム、銅、コバルト、ニッケルおよび鉄から選択される。 （もっと読む）

【課題】洗浄および無電解銅めっき液などの表面処理において、微細化した貫通スルーホールおよび非貫通バイアホールに処理液を供給し処理液の供給不足による銅めっき欠損などの不具合発生を抑える。
【解決手段】本発明は、洗浄および無電解銅めっきなどの表面処理において、装置コストの安い洗浄および無電解銅めっきなどの表面処理を行なうバーチカル方式を使用し、処理液を微細な貫通スルーホール、非貫通バイアホールに処理液を供給するため、カゴに銅張り積層板と、処理液の流れを制御するための、取付け、取外し可能な整流板を配置し処理する。 （もっと読む）

【課題】高周波回路用の疎水性基板であるＰＴＦＥ基板表面に、均質かつ緻密な銅メッキ被膜を容易に形成させること。
【解決手段】本発明のメッキ方法では、ＰＴＦＥ基板をヘリウムガス存在下でプラズマ処理する工程（１）と、前記基板をアミノシランカップリング剤と反応させ、前記基板の表面に自己集積化単分子膜（ＳＡＭ）を形成する工程（２）と、ＳＡＭを形成した前記基板を、パラジウム塩を含有する水溶液である無電解メッキ用触媒液で活性化処理する工程（３）と、前記基板に固定化されたパラジウムイオンを金属パラジウムに還元する工程（４）と、前記基板を無電解銅メッキ液で処理することにより、前記基板上に無電解銅メッキ被膜を形成する工程（５）と、前記基板を電解銅メッキ液で処理することにより、前記無電解銅メッキ被膜の上に電解銅メッキ被膜をさらに形成する工程（６）と、を順次行う。 （もっと読む）

【課題】ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成する際に、均一な膜厚を実現できる置換金めっき液及びめっき処理技術を提供する。
【解決手段】導電性金属からなる導体層上に、ニッケル層、パラジウム層、金層を順次積層してなる接合部を形成するための置換金めっき液であって、置換金めっき液は、シアン化金塩、錯化剤、銅化合物を含有するものであり、置換金めっき液中の錯化剤と銅化合物とのモル比が錯化剤／銅イオン＝１．０〜５００の範囲であり、錯化剤と銅化合物とから形成される化合物のｐＨ４〜６における安定度定数が８．５以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スズ合金形成用メッキ液及びこれを利用するスズ合金皮膜の形成方法に関する。
【解決手段】本発明に係るスズ合金形成用メッキ液は、インジウム又は亜鉛を含む一つ以上の金属塩と、スズ塩と、当該金属塩の金属イオン及び当該スズ塩のスズイオンに電子を伝達して被メッキ物上にスズ合金皮膜を形成する水素化ホウ素化合物からなる群から選択される一つ以上の還元剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に銅配線パタ―ンを強い密着力で形成する。
【解決手段】回路基板の製造方法は、無機フィラー粒子の表面に、ＵＶオゾン処理によりＯＨ基を形成する工程と、前記ＯＨ基が結合した無機フィラーを、ビニル基を有するシランカップリング剤により処理する工程と、前記シランカップリング剤により処理した無機フィラー粒子に、トリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を結合する工程と、前記トリアジンチオールあるいはトリアジンチオール系化合物を結合した無機フィラー粒子を樹脂前駆体中に混合する工程と、前記樹脂前駆体を硬化させることにより樹脂基板を形成する工程と、前記樹脂基板上に銅パタ―ンをメッキにより形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】金属光沢を有しながら、非導通性の金属膜を形成した樹脂製品を安価に提供する。
【解決手段】めっき触媒核となる金属を含む触媒成分を加圧二酸化炭素に分散させた加圧流体を用いて、表面から深さ１μｍまでの表層領域１ｃｍ^３あたり、触媒成分を、触媒成分の金属換算で０．００３〜０．０５ｍｇ含有する樹脂成形体を作製し、触媒成分を含有する樹脂成形体を無電解めっき処理することにより非導通性金属光沢めっき膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体ウエハ等といった複数の被処理物を処理液に浸漬するに際して、これら被処理物の間で処理具合にばらつきが生じないようにする。
【解決手段】処理装置１が、処理液３０が貯留される処理槽２と、処理槽２内に配置され、処理槽２内で回転する回転車４と、被処理物３２をそれぞれ保持し、回転車４に取り付けられ、回転車４の第１の回転軸６を中心にした円周方向に沿って配列された複数の保持具１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの電極品質および作業性を両立させる。
【解決手段】本発明は、遮光筐体１０内部の処理室１０ＡでシリコンウエハＷに無電解メッキ処理を施して電極を形成する無電解メッキ処理装置１に関する。無電解メッキ処理装置１では、処理室１０Ａは、シリコンウエハＷへの照射時に発生する光起電力が所定値以下である可視光を照射可能な処理室用ライト１２を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、めっき析出性に優れると共に、その表面上に形成されるめっき膜（金属膜）と高密着性を達成し、さらにその表面に形成されるパターン状の金属配線間の優れた絶縁信頼性を達成しうるポリマー層を形成する被めっき層形成用組成物を提供することにある。
【解決手段】重合性基を有するユニット（Ａ）と、ポリオキシアルキレン基を有するユニット（Ｂ）と、脂環式炭化水素基を有するユニット（Ｃ）とを含むポリマーを含有する、被めっき層形成用組成物。 （もっと読む）

【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金表面の酸化皮膜を除去するための除去液であって、銀イオン及び／又は銅イオンと、該銀イオン及び／又は銅イオンの可溶化剤と、水酸化第４級アンモニウム化合物とを含有し、ｐＨが１０〜１３．５であることを特徴とするアルミニウム酸化皮膜用除去液。
【効果】本発明の除去液は、アルミニウム又はアルミニウム合金の表面に、その侵食を可及的に抑制しつつ、除去液に含まれる銀及び／又は銅化合物に由来する銀及び／又は銅を置換析出することができ、しかも、この銀や銅の置換析出物はアルミニウム又はアルミニウム合金の表面を殆ど侵食することなく低温で、迅速に溶解除去することが可能であるため、アルミニウム又はアルミニウム合金の厚みが非常に薄い場合であっても、アルミニウム又はアルミニウム合金を確実に残存させつつその表面を活性化することができる。 （もっと読む）

【課題】緻密かつ均一な錫被膜を形成することができる無電解錫還元めっき液及びこれを用いた無電解錫還元めっき方法を提供する。
【解決手段】本発明は、無電解錫還元めっき液及びこれを用いた無電解錫還元めっき方法に関し、本発明による無電解錫還元めっき液は、錫イオンと２個以上のカルボキシ基を有するリガンドとが結合した錫塩、及び前記錫イオンに電子を伝達して被めっき物上に錫被膜を形成する水素化硼素化合物からなる群から選択される一つ以上の還元剤を含む。 （もっと読む）