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Fターム[4K022AA42]の内容

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Fターム[4K022AA42]に分類される特許

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【課題】帯状の被処理物をリールトゥリール工法を利用して連続めっきを行う場合に、被処理物近傍でのめっき液の成分を良好に均一化することができ、フライングリードの変形も防止することに有効な、帯状被処理物の置換めっき処理装置および置換めっき処理方法を提供する。
【解決手段】帯状の被処理物103をリールトゥリール方式で搬送しつつ、被処理物の面上に置換めっき処理を行う置換めっき処理装置であり、被処理物をリールトゥリール方式で搬送する被処理物搬送手段と、帯状の起流板110,111の面を被処理物の被めっき面と対向させるが、接触させず、被処理物が搬送される向きとは反対向きに搬送する起流板搬送手段、を具備する。置換めっき処理方法としては、被処理物と起流板との相対運動によってめっき液を撹拌させながらめっき処理を行う。 (もっと読む)


【課題】はんだ等によって接続された場合に、十分に優れた落下強度を実現することが可能なめっき膜及びモジュール基板を提供すること。
【解決手段】本発明は、リンを含むニッケルめっき層と、該ニッケルめっき層上に金めっき層と、を有し、ニッケルめっき層におけるリン濃度が11〜16質量%であり、ニッケルめっき層の金めっき層側の面におけるリン濃度の平均値及び標準偏差をそれぞれX及びσとしたときに、(3×σ×100)/Xの値が10以下であるめっき膜50、並びに当該めっき膜50を備えるモジュール基板100を提供する。 (もっと読む)


【課題】高温かつ高湿な環境で生じる樹脂素材と無電解めっき被膜との密着強度の低下を改善することが可能な、無電解めっき素材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の無電解めっき素材の製造方法は、表面に無電解めっきによりめっきされる無電解めっき素材の製造方法であって、樹脂からなる素材本体とオゾンを含む溶液とを接触させて該素材本体の表面に改質層を形成するオゾン処理工程と、前記オゾン処理工程の後、前記素材本体の表面に紫外線を照射して前記改質層の表層を除去する表層除去工程と、を行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板の端子部分、他の電子部品の端子部分、或いは、その他の金属微細パターン付き樹脂基材などのめっき処理対象面に、無電解ニッケル−パラジウム−金めっきを行う際に、下地である樹脂表面の金属異常析出が抑えられ、めっき処理面の品質に優れる方法を提供する。さらに本発明は、めっき処理面の品質に優れためっき処理物、特に、インターポーザ、マザーボード、及び、それらを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プリント配線板の端子部分などの被処理部分に金属微細パターン付き基材の無電解ニッケル−パラジウム−金めっきを行う方法であって、パラジウム触媒付与工程の後、無電解パラジウムめっき処理を行う前の任意の段階において、pH10〜14の溶液による処理およびプラズマ処理よりなる群から選ばれる少なくとも一つの表面処理を行う。 (もっと読む)


【解決手段】絶縁性部分を含む被めっき物の該絶縁性部分にめっきを施すための触媒付与溶液であって、水溶性パラジウム化合物、還元剤、分散剤、カテコール、銅酸化防止剤、及び緩衝剤を含有し、pHが4以上であることを特徴とする触媒付与溶液。
【効果】Pd−Snコロイド溶液と比べると、Snを含有しないPd単独のコロイド溶液であるので、プレディップ処理やSn除去処理が不要となり、触媒付与処理が簡略化できる、pHが4以上であるため、ハローイングが生じない、触媒付与溶液中の還元剤により還元雰囲気にあるので、銅表面が酸化されず、銅溶解が生じないことから、パラジウム置換反応が起こらない、といった利点がある。 (もっと読む)


【課題】 電解金属めっきにおいて、金属めっき後の防錆性が良好であり、かつ容易に除去できる金属めっき液添加剤を含有する金属めっき液を提供することを目的とする。
【解決手段】 脂肪族ジカルボン酸またはその塩(A)、または脂肪族ジカルボン酸のハーフアミド(B)を必須成分として含有することを特徴とする金属めっき液添加剤に金属塩、無機酸、界面活性剤に添加した電解金属めっき液である。 (もっと読む)


【課題】非回路となる部分についてレーザー光を照射して除去できない部分とマスク材で被覆できない部分との双方が存在する場合にも、無電解めっきを選択的に形成することができる。
【解決手段】絶縁性基体1の粗化面に触媒2を付与し、レーザー光3の照射による除去が容易な非回路となる部分12a、12b、12cについて、このレーザー光の照射によって触媒を除去すると共に、このレーザー光の照射によって除去されていない非回路となる部分をマスク材4で被覆する。レーザー光3の照射によって除去されておらず、かつマスク材4で被覆されていない回路となる部分11、11に無電解銅めっき5を積層した後、マスク材4を溶解除去し、さらにこのマスク材で覆われていた部分に残存する触媒2を除去する。 (もっと読む)


本発明は、プリント回路板、IC基板、半導体ウェハなどの製造における最終仕上げとしての1μm以上の厚さを有する錫及び錫合金の無電解(浸漬)めっき法に関する。本方法は、錫めっきの間に完全に溶解する、銅接触パッドと無電解錫めっき層との間の銅の無電解めっきされた犠牲層を利用する。本方法は、厚い錫層の無電解めっきの間の接触パッドからの望ましくない銅の損失を補償する。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板において、導電性パターン部にのみ良好なめっき皮膜を形成できる特性に優れた無電解ニッケルめっき皮膜の形成を可能にする、触媒残渣除去剤を提供する。
【解決手段】
下記一般式(I)


[式中、R、R、R及びRは、同一又は異なって、それぞれ、水素原子又は下記基:


(式中、Rは、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であり、mは1〜10の整数である)であり、nは2又は3である。]で表されるアルキレンジアミン化合物を含有することを特徴とするプリント配線板用触媒残渣除去剤。 (もっと読む)


【課題】半導体装置のしきい値電圧特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】半導体基板2の表面にアルミニウム電極3を形成する。次いで、半導体基板2の表面にジンケート処理を行った後、水洗処理を行う。次いで、無電解めっき処理を行い、アルミニウム電極3の表面にニッケルめっき層5および金めっき層6をこの順で形成する。ジンケート処理後の水洗処理により、アルミニウム電極3の表面に残留するナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度を9.20×1014atoms/cm2以下にする。無電解ニッケルめっき浴中のナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度を3400wtppm以下とする。このように作製された半導体装置1の、ニッケルめっき層5およびニッケルめっき層5とアルミニウム電極3との界面に残留するナトリウムおよびカリウムの合計の元素濃度は3.20×1014atoms/cm2以下である。 (もっと読む)


【課題】基板とめっき層との密着性に優れた積層体、その製造方法、積層体を備える薄膜トランジスタ、積層体を備えるプリント配線基板を提供する。
【解決手段】
積層体1では、基板2上にシリカ層3および有機層4を介し、めっき層5が形成されている。シリカ層3はポリシラザンを前駆体として形成されているので、基板2との密着性が良好で、上面に無数の微細な凹凸が存在するシリカ層3が形成される。有機層4は、シリカ層3の上面の凹凸によって発現するアンカー効果により、シリカ層3と強固に結合する。また、有機層4の上面には、シリカ層3の上面の無数の微細な凹凸を反映して凹凸が形成されるので、めっき層5と有機層4とは、化学的もしくは電気的な結合に加え、アンカー効果により強固に結合される。よって、シリカ層3および有機層4を介して基板2上に形成されるめっき層5の基板2に対する密着性を向上できる。 (もっと読む)


【課題】ウェハに形成されるめっき層の膜厚や膜質を均一にすること。また、一度に大量のウェハに無電解めっき処理をおこなうこと。
【解決手段】複数枚の被処理ウェハ2が適当な間隔をおいて平行に並べられたウェハカセット3を、めっき槽1内へ、被処理ウェハ2が薬液表面に対して垂直となるように挿入する。また、めっき槽1の側壁には、薬液供給口4が設けられている。ポンプによって薬液供給口4からめっき槽1内へ供給された薬液を、薬液表面および被処理ウェハ2に対して平行な方向に流通させ、バッファー板6によって流れを整流してからウェハカセット3へ流す。 (もっと読む)


【課題】ラックに複数枚の枚葉基板を収容し、ラック毎に薬液に浸漬して処理する無電解めっき方法において、液切り不足によるめっきムラを発生させない無電解めっき処理方法を提供する。
【解決手段】枚葉基板100を複数枚収容したラック200を薬液中に浸漬した後に、略均等に配置された少なくとも2枚以上の該基板を薬液中から薬液面に対して略垂直に引き上げる際に、該基板面に対し略平行に送風機構300から送風することを特徴とする無電解めっき処理方法。 (もっと読む)


【課題】めっき下地の表面であって非回路となる部分について、レーザー光の照射による除去が困難な部分と、マスク材の被覆が困難な部分との双方が存在する場合にも、電解めっきを選択的に形成することができる。
【解決手段】絶縁性基体1に施した無電解銅めっき2の表面において、レーザー光3の照射による除去が容易な非回路となる部分22a〜22dについて、このレーザー光の照射によって無電解銅めっきを除去すると共に、このレーザー光の照射によって除去されていない非回路となる部分をマスク材4で被覆する。レーザー光3の照射によって除去されず、かつマスク材4で被覆されていない回路となる部分21に電解銅めっき5を積層した後でマスク材4を溶解除去する。電解銅めっき5によってカバーされた回路となる部分21以外の無電解銅めっき2をエッチング液で除去する。 (もっと読む)


【課題】還元反応が十分に進行しない、形成される金属構造物の表面に欠陥を有する等の不良現象が抑制され、光沢に優れた金属構造物を形成する方法及びその形成方法に用いられる金属構造物形成用組成物並びに電子部品を提供する。
【解決手段】本発明は、基材に、蟻酸の金属錯体(A)及び蟻酸アンモニウム(B)を含有する金属構造物形成用組成物を塗布し、塗布物を形成する工程と、得られた塗布物に対して、加熱及び/又は光照射し、金属からなる構造物を基材の表面に形成する工程とを、順次、備える金属構造物の形成方法である。 (もっと読む)


【課題】一様な表面粗化を可能とするビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置を提供する。
【解決手段】略直方体形状の処理槽を有しエッチング液を循環させながら処理を行う表面粗化装置であって、処理槽内で処理される基板の面と直角をなす側面の一方と基板との間に供給パイプが側面に対し平行に設けられ、前記供給パイプには複数の供給口が側面側に設けられ、処理槽内のもう一方の側面の上部に一つの排出口が設けられ、前記基板と供給パイプの間、及び前記基板と排出口が設けられた側の処理槽の側面との間にはそれぞれ整流部材が設けられ、供給口から排出口に向かって側面と垂直方向にエッチング液を流動させており、処理槽底面または処理槽側面と、基板との間を所定距離とすることで、処理槽内の流速を均一化し、薬液の循環効率を高め、一様な表面疎化を行うことを特徴としたビルドアップ基板絶縁層の表面粗化装置。 (もっと読む)


【課題】無電解めっきとの間に十分な密着強度を確保できるように、化学エッチング剤を使用しないで基体の表面を粗化することができる。
【解決手段】基体1を成形する第1工程と、第1のレーザー光2を照射してこの基体の表面、またはこの表面のうち回路となる部分1aのみのいずれかを粗化する第2工程と、
この基体の表面に触媒3を付与する第3工程と、この基体を乾燥させる第4工程と、非回路となる部分1bに第2のレーザー光4を照射して、この非回路となる部分の触媒の機能を低下または消失させる第5工程と、この回路部分となる部分に無電解めっきを施す第6工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】配線の耐折性が向上し且つ比較的低コストで製造できるフレキシブル銅張積層板及びCOF用フレキシブルプリント配線板並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの表面を表面改質してニッケル系シード層及び銅めっき層を順次積層した銅張積層板であって、前記ニッケル系シード層の厚さを40〜80nmとする。 (もっと読む)


【解決手段】本発明の一実施形態は、集積回路製造のためにキャップ層を無電解析出させる方法である。方法は、浴の無電解析出特性を実質的に維持するように、無電解析出浴の組成の制御を含む。本発明の別の実施形態は、無電解析出溶液を含む。本発明のさらに別の実施形態は、無電解析出浴を再調整するために用いられる組成である。 (もっと読む)


【課題】最終的に得られる製造コストが高く且つ基板の大きさが制限される、従来のプラズマ処理による窒化銅膜の形成方法の課題を解消する。
【解決手段】窒素ガスとアンモニアガスとから成り、アンモニアガス濃度が0.8vol%以上の混合雰囲気内に設けられたヒータブロック18上に載置した基板10を、ヒータブロック18によって蟻酸銅の熱分解温度以上に加熱し、基板10の加熱温度で蒸発する溶媒中に蟻酸銅を溶解した原料供給槽22に貯留した蟻酸銅溶液を、基板10の所定面に向けて噴霧して、噴霧した蟻酸銅溶液中の溶媒を蒸発し且つ蟻酸銅を熱分解して、基板10の所定面に窒化銅膜を形成する。 (もっと読む)


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