Fターム[4K022AA42]の内容

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Fターム[4K022AA42]に分類される特許

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【課題】形成された銀被膜が均一で、銀被膜が形成される温度が400℃以上である銀被膜の形成剤及び銀被膜の形成方法を提供する。
【解決手段】化学式(I)で示されるイミダゾール化合物銀錯体を含有する銀被膜の形成剤を用いる。(1)


(式中、R、RおよびRは、同一または異なって、水素原子、炭素数1〜13のアルキル基またはシクロヘキシル基を表す。但し、R、RおよびRの炭素数の合計は、0〜13である。) (もっと読む)


【課題】基板を効率的に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板Wを保持する基板保持機構110と、基板保持機構110に保持された基板Wに向けてめっき液を吐出する吐出機構21と、吐出機構21に接続され、吐出機構21にめっき液を供給するめっき液供給機構30とを備えている。ガス供給機構170は、空気より比熱容量が高い加熱用ガスを加熱して基板保持機構110に保持された基板Wに向けて供給する。少なくとも吐出機構21、めっき液供給機構30およびガス供給機構170は、制御機構160によって制御される。 (もっと読む)


【課題】基板を効率的に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板Wを保持する基板保持機構110と、基板保持機構110に保持された基板Wに向けてめっき液を吐出する吐出機構21と、吐出機構21に接続され、吐出機構21にめっき液を供給するめっき液供給機構30とを備えている。基板保持機構110の周囲に、基板Wから飛散しためっき液を排出する液排出機構140が配置され、基板保持機構110に保持された基板Wの上方において、基板Wの表面側を覆うようにトッププレート151が設けられている。基板W、液排出機構140およびトッププレート151の間に、空気より比熱容量が高い加熱用ガスGが滞留する滞留空間156が形成される。 (もっと読む)


【課題】金属膜材料を構成する各種基材との密着性が良好で、エッチング耐性が高く、得られるパターン形状の精度を向上する金属膜材料の製造方法及びそれを用いた金属膜材料の提供。
【解決手段】第1のモノマー、第2のモノマーをそれぞれ含有するインク組成物1)及び2)をインクジェット法により基材2上に吐出するインク付与工程と、付与した前記インク組成物を硬化して硬化膜3を形成する硬化膜形成工程と、前記硬化膜への触媒付与工程と、前記めっき触媒、又はその前駆体に対してめっきを行うめっき処理工程とを含み、前記硬化膜が膜の厚み方向において前記基材に最も近い側Bから前記基材に最も遠い側Aに向かって下記第1のモノマーの硬化物の比率が大きくなり、かつ第2のモノマーの硬化物の比率が小さくなるように、第1のモノマーの硬化物及び第2のモノマーの硬化物の組成が連続的に変化する傾斜構造を有する、金属膜材料1の製造方法。 (もっと読む)


【課題】無電解パラジウムの安定性低下による異常析出の問題を解消し、ENIGAGよりもコスト面でも優れた無電解めっき層を含む基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板製造方法は、回路パターン10が設けられた基板に金(Au)層30をめっきする第1のステップと、金(Au)層30にパラジウム(Pd)層40をめっきする第2のステップと、パラジウム(Pd)層40に金(Au)層30をめっきする第3のステップと、から成る表面処理めっき層形成ステップを含む。 (もっと読む)


【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用し、しかも前の処理等で使用した水分の持込みを極力低減させて、一連の連続した各処理を、より均一に安定して行うことができるようにする。
【解決手段】複数枚の基板を鉛直方向に平行に保持して搬送し、搬送の前後で異なる処理槽内の処理液中に複数枚の基板を同時に浸漬させる基板ホルダを有する無電解めっき装置において、基板ホルダは、基板の外周部を位置させて基板を支持する複数の支持溝130を有する支持棒94aと、支持溝130の内部乃至その周辺に溜まる水分を除去する水分除去機構136aを有する。 (もっと読む)


【課題】高温環境下に曝されても基板との優れた密着性を示す金属層を有する積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に下地層を形成する下地層形成工程と、下地層上に、重合性基、および、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する官能基を有するポリマーと、反応性基を有するシランカップリング剤とを含む被めっき層形成用組成物を用いて、被めっき層を形成する被めっき層形成工程と、被めっき層に、めっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層に対してめっきを行い、被めっき層上に金属層を形成するめっき工程と、を備え、下地層形成用組成物および/または被めっき層形成用組成物が、P=O基含有重合性化合物を含み、被めっき層のヤング率が1200MPa以下である、金属層を有する積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性及びはんだ接続信頼性を得ることが可能な半導体チップ搭載用基板の製造方法及びこれにより得られる半導体チップ搭載用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】セミアディティブ法で銅回路を形成する工程において、電解めっきレジストを形成し、電解銅めっきにより銅回路を形成した後に、無電解ニッケルめっき皮膜を形成し、銅回路の上部のみに銅の拡散を抑制するためのバリヤ皮膜である無電解ニッケルめっき皮膜を形成する。次いで、電解めっきレジストを剥離し、導体回路となるべき部分以外の銅をエッチング除去し、ソルダーレジストパターンを形成し、電解ニッケルめっき皮膜が上部に形成された銅回路に、無電解パラジウムめっき皮膜を形成しさらに無電解金めっき皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】ニッケルめっき被膜に、はんだによりパワー素子などの素子を接合した場合であっても、熱伝導性の低下が抑制されるニッケルめっき被膜を得ることができる無電解ニッケルめっき処理方法を提供する。
【解決手段】基材の処理表面を、炭素元素を含む無電解ニッケルめっき液に浸漬させて、無電解めっきにより、前記処理表面にニッケルめっき被膜を被覆する工程を少なくとも含む無電解ニッケルめっき処理方法である。無電解ニッケルめっき処理方法は、前記無電解ニッケルめっき液を、前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程で繰り返し用いるものである。前記ニッケルめっき被膜を被覆する工程において、前記ニッケルめっき被膜中に共析する炭素量を調整しながら、前記ニッケルめっき被膜を被覆する。 (もっと読む)


【課題】微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を十分に低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性を有する半導体チップ搭載用基板を製造可能な方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体チップ搭載用基板製造方法は、基板の表面の導体回路の少なくとも一部を覆うように、電解ニッケルめっきによりニッケル層を形成する工程と、基板に対してデスミア処理を施す工程と、クエン酸を含む溶液に基板を浸漬する工程と、ニッケル層の少なくとも一部を覆うように、無電解めっきによりパラジウム層又は金層を形成する無電解めっき工程とをこの順序で備える。 (もっと読む)


【課題】基板と金属層との密着性に優れ、金属層の厚みが均一である、金属層を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上に、ブタジエン由来の繰り返し単位を有するポリマーを含む被めっき層12を形成する被めっき層形成工程と、上記被めっき層12を熱処理する熱処理工程と、上記熱処理後の被めっき層12をアルカリ処理するアルカリ処理工程と、上記アルカリ処理後の被めっき層12にめっき触媒またはその前駆体を付与する触媒付与工程と、上記めっき触媒またはその前駆体が付与された被めっき層12に対してめっきを行い、上記被めっき層12上に金属層14を形成するめっき工程と、を備え、上記熱処理前の被めっき層12中におけるブタジエン由来の繰り返し単位の濃度が、10.4mmol/cm3以上である、金属層を有する積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき液を安定に運転できる無電解めっき装置及び無電解めっき液への酸素供給方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液30を貯留する無電解めっき槽1と、前記無電解めっき槽1に接続し、その無電解めっき槽1との間で前記無電解めっき液30を循環する循環流路21を有する外部循環手段2と、を備え、前記外部循環手段2が、その循環流路21内に、酸素を含む気体を前記無電解めっき液30に混入すると共に前記無電解めっき液30を加圧して前記気体を前記循環流路21内の前記無電解めっき液中に溶解させる気体混入手段と、前記気体を溶解させた前記無電解めっき液を減圧し微細気泡を発生させる減圧手段8と、を更に有する無電解めっき装置100。 (もっと読む)


【課題】ホルムアルデヒドを含有しない無電解銅組成物の提供。
【解決手段】無電解銅および銅合金メッキ浴が開示される。該無電解浴は、ホルムアルデヒドを含んでおらず、環境に優しい。該無電解浴は、安定しており、基体に光沢のある銅または銅合金を堆積する。 (もっと読む)


【課題】基板に形成された凹部の下部にまで十分に触媒を吸着させることができる吸着処理方法を提供する。
【解決手段】はじめに、凹部22が形成された基板20を準備する。次に、触媒吸着装置10によって、基板20と、分散剤で被覆されたナノ粒子からなる触媒を含む触媒溶液12とを接触させ、これによって、基板20の表面に触媒23を吸着させる。この際、触媒溶液12に高周波振動が付与される。 (もっと読む)


【課題】平滑なプラスチックフィルムの表面であっても、簡便な方法で高い密着性を有する金属薄膜を形成することが可能な、無電解めっきの前処理に有用な組成物、及び該組成物を用いる無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】多官能性アクリル化合物を含むモノマー成分、還元により金属微粒子を生成可能な金属化合物、アゾ系ラジカル重合開始剤、及びアクリル基含有シランカップリング剤で表面修飾されたシリカ微粒子の疎水性有機溶媒分散液、を含有することを特徴とする無電解めっきの前処理皮膜形成用組成物。 (もっと読む)


【課題】プリント回路板の製造に使用される樹脂積層基体、特に基体に形成されたスルーホールに適用される安定でかつ信頼性のある無電解金属めっき用触媒を提供する。
【解決手段】銀、金、白金、イリジウム、銅、アルミニウム、コバルト、ニッケルおよび鉄から選択される金属と、セルロースまたはセルロース誘導体とのナノ粒子、並びに1種以上の酸化防止剤を含み、かつスズを含まない水系溶液を触媒とすることで目的が達成される。 (もっと読む)


【課題】安定でかつ信頼性のある無電解金属めっき触媒を提供する。
【解決手段】銀、金、白金、パラジウム、イリジウム、銅、アルミニウム、コバルト、ニッケルおよび鉄から選択される1種以上の金属と、没食子酸、没食子酸誘導体およびこれらの塩から選択される1種以上の安定化化合物とのナノ粒子を含む水系触媒溶液を用いる。この水系触媒溶液はスズを含まない。この水系触媒溶液で基体を処理した後無電解金属めっき浴を用いて前記基体上に金属を無電解堆積する。 (もっと読む)


【課題】従来のスズ/パラジウム触媒と比べて容易に酸化しない、無電解金属化ためのスズを含まないパラジウム触媒の安定な水溶液を提供する。
【解決手段】パラジウム金属とセルロース誘導体とのナノ粒子、および1種以上の酸化防止剤を含む水系触媒溶液であって、ナノ粒子の粒径が1nm〜1000nmである。水系触媒溶液はスズを含まず、従来のスズ/パラジウム触媒と比べて容易に酸化しないので、この触媒は貯蔵の際に、および無電解金属めっきの際に活性低下やコロイド構造の維持が出来なくなるといった問題が無く、基体の良好な金属被覆を可能にする。 (もっと読む)


【課題】耐折り曲げ性に優れたニッケルめっき皮膜を形成できる新規な無電解ニッケルめっき液を提供する。
【解決手段】下記一般式(I)


[式中、R、R、R及びRは、同一又は異なって、それぞれ、水素原子又は下記基:


(式中、Rは、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であり、mは1〜10の整数である)であり、nは2又は3である。]で表されるアルキレンジアミン化合物を含有することを特徴とする自己触媒型無電解ニッケルめっき液。 (もっと読む)


【課題】本発明は、アルカリ水溶液に対して十分な耐性を有する被めっき層形成用組成物、および、めっきの均一性に優れた金属層を有する積層体の製造方法、を提供することを目的とする。
【解決手段】熱、酸または輻射線により疎水性から親水性に変化する官能基と、カルボキシル基、ヒドロキシル基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、アセトキシシリル基、クロロシリル基、1級アミノ基、2級アミノ基、3級アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、(メタ)アクリルアミド基、アリル基、スチリル基、マレイミド基、およびシンナモイル基からなる群より選択される少なくとも一種の架橋性基とを有するポリマーを含む被めっき層形成用組成物。 (もっと読む)


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