【課題】本件発明の課題は、インジウム以外の金属を用いて、安価に製造可能な電磁波透過用金属被膜、電磁波透過用金属被膜の形成方法及び車載用レーダー装置を提供することである。
【解決手段】上記課題を解決するため、電磁波透過用金属被膜１００として、非導電性基材１０の表面に設けられた非水溶性ポリエステル樹脂を含む触媒付着層２０上に、無電解めっき法により金属被膜をアイランド状に形成したものであり、電磁波の透過パスとなるアイランド３１間のギャップ３２が単位面積（１ｍｍ^２）中に、１本〜５０００本存在し、且つ、金属光沢を有する金属被膜３０を提供する。 （もっと読む）

【課題】環境に悪影響を及ぼすことなく製造され、塗膜が良好な密着性を有し、組み立て時及び使用時に塗膜粉の発生が抑制されるので、組み立ての作業性が良好であり、組み立て後の補修が不要であるとともに、外観品位が良好になり、耐食性が良好である耐食表面処理チェーンを提供する。
【解決手段】ローラチェーン１０は、内プレート１１、ブシュ１２、外プレート１３、連結ピン１４、及びローラ１５を備える。各構成部品は、鉄系母材上にニッケル系皮膜と、亜鉛、硝酸塩、及びメルカプト基含有シランカップリング剤以外のメルカプト基を含む有機化合物を含む水系防錆塗料を用いて形成された第１塗膜とを有する。そして、第１塗膜上に、顔料、珪酸ナトリウム、及びアクリルエマルジョン又はポリウレタン水性組成物を含有する上塗り塗料を用いて第２塗膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 窒化珪素の高熱伝導性を損なうことなく、絶縁基板に必要とされる絶縁信頼性を高めた低熱抵抗の回路基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなる窒化珪素基板の表面に金属からなる回路パターンがろう材により接合されるとともに、前記回路パターンの表面にニッケルめっき層が形成されて構成された窒化珪素回路基板であって、回路パターンが形成された窒化珪素基板の主たる二表面の面粗さが異なり、面粗さの小さい主たる面の表面粗さＲａが０．２μm以上１．０μｍ以下であり、面粗さの小さい主たる面の沿面距離が基板厚みよりも大きく、且つ前記窒化珪素基板の厚みが０．２〜１．０ｍｍである窒化珪素回路基板。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の酸化された表面を活性化するための溶液及び方法の提供。
【解決手段】本発明は、その後の工程で無電解法により金属層を堆積させて被覆できるように、基板、特に半導体基板の酸化された表面を活性化するための溶液及び方法に関する。本発明によれば、この組成物は、Ａ）１以上のパラジウム錯体からなる活性化剤と；Ｂ）１以上の有機シラン錯体からなる二官能性有機結合剤と；Ｃ）上記活性化剤及び上記結合剤を溶解させるための１以上の溶媒からなる溶媒系とを含有する。用途：電子デバイス、特に集積回路、とりわけ３次元集積回路などの製造。 （もっと読む）

【課題】高温かつ高湿な環境で生じる樹脂素材と無電解めっき被膜との密着強度の低下を改善することが可能な、無電解めっき素材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の無電解めっき素材の製造方法は、表面に無電解めっきによりめっきされる無電解めっき素材の製造方法であって、樹脂からなる素材本体とオゾンを含む溶液とを接触させて該素材本体の表面に改質層を形成するオゾン処理工程と、前記オゾン処理工程の後、前記素材本体の表面に紫外線を照射して前記改質層の表層を除去する表層除去工程と、を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温かつ高湿な環境で生じる樹脂素材と無電解めっき被膜との密着強度の低下を改善することが可能な、無電解めっき素材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の無電解めっき素材の製造方法は、表面に無電解めっきによりめっきされる無電解めっき素材の製造方法であって、樹脂からなる素材本体とオゾンを含む溶液とを接触させて該素材本体の表面に改質層を形成するオゾン処理工程と、前記オゾン処理工程の後、前記改質層の表面にエネルギーを付与して該改質層の表層を除去する表層除去工程と、を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表面を活性化するための溶液及びプロセスの提供。
【解決手段】本発明は、その後の工程で無電解法により金属層を堆積させて被覆できるように、ポリマーから形成される少なくとも１つの領域を含む基板表面を活性化するための溶液及びプロセスに関する。また、本発明によれば、この組成物は、Ａ）１以上のパラジウム錯体から形成される活性化剤と；Ｂ）少なくとも２つのグリシジル官能基及び少なくとも２つのイソシアネート官能基を含む各化合物から選択される１以上の有機化合物から形成される結合剤と；Ｃ）上記活性化剤及び上記結合剤を溶解可能な１以上の溶媒から形成される溶媒系とを含有する。用途：特に集積回路、とりわけ３次元集積回路、などの電子デバイスの製造。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の一実施形態は、集積回路製造のためにキャップ層を無電解析出させる方法である。方法は、浴の無電解析出特性を実質的に維持するように、無電解析出浴の組成の制御を含む。本発明の別の実施形態は、無電解析出溶液を含む。本発明のさらに別の実施形態は、無電解析出浴を再調整するために用いられる組成である。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この半導体製造方法は、複数の基板に連続してめっき処理を施す半導体製造方法であって、１枚の基板処理に必要なｐＨ調整剤を含む所定量のめっき液を温度調節用容器に収容し、温度調節用容器に収容しためっき液を、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じた所定の温度に調節し、基板を１枚ずつ所定位置に保持し、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じたタイミングで、保持された基板１枚毎に温度調節用容器に収容され温度調節されためっき液全量を、保持された基板の処理面に吐出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板上に金属層を無電解にて堆積させるための電解質に関する。
【解決手段】電解質は、重金属安定剤、シアニド、セレン化合物および−２〜＋５の酸化状態における硫黄を含む硫黄化合物を含まず、その代わりにβ−アミノ酸が安定剤として用いられる。特に、発明に係る電解質は、３−アミノプロピオン酸、３−アミノブタン酸、３−アミノ−４−メチル吉草酸、並びに２−アミノエタンスルホン酸を含み得る。さらに、本発明は金属層の無電解堆積の方法に関係し、本発明に係る電解質を利用し、一般的に金属層の無電解堆積のための電解質における安定剤としてβ−アミノ酸類の使用も関係する。 （もっと読む）

【課題】高分子基材に無電解めっき処理を行う場合に、密着性に優れためっき膜を、低コストで形成する。
【解決手段】高分子基材２１と、有機金属錯体を含有する加圧流体とを、有機金属錯体の還元温度未満で接触させて、有機金属錯体を高分子基材２１に浸透させる浸透工程と、高圧容器３に、有機金属錯体の還元温度未満で、有機金属錯体を含有しない高圧二酸化炭素を流動させて、高圧容器３内の加圧流体を希釈する希釈工程と、高圧容器３内に高圧二酸化炭素が含まれた状態で、高分子基材２１に浸透させた有機金属錯体を還元する還元工程とを有する高分子基材のめっき前処理方法。 （もっと読む）

銅イオン源と、式Ｉの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが３０ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化１】


［式中、
−Ｒ¹基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−Ｒ²基は、それぞれ独立して、Ｒ¹またはアルキルから選ばれ、−ＸとＹは独立して、また各繰返単位のＸが独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン及びＺ−（Ｏ−Ｚ）_m（但し、Ｚ基はそれぞれ独立してＣ２〜Ｃ６アルキレンから選ばれる。）から選ばれるスペーサー基であり、−ｎは０以上の整数であり、−ｍは１以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】安価でありながら刃先の耐摩耗性、硬度、じん性及び耐衝撃性に優れたることで寿命が長い帯鋸の提供を目的とし、さらには、この帯鋸に好適な部分メッキ方法及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】帯鋸の刃先部分にのみ、部分的に無電解ニッケルメッキ皮膜を形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐食導電性に優れる耐食導電材を効率的に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電材の製造方法は、純チタン（Ｔｉ）またはＴｉ合金からなるＴｉ系基材の少なくとも一部を、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とするＮｉメッキ液中に浸漬して該Ｔｉ系基材の表面にＮｉメッキ層を形成するメッキ工程と、該メッキ工程後のＴｉ系基材に８８０℃以下で窒化処理を施す窒化工程と、を備えてなり、前記Ｔｉ系基材の少なくとも一部の表面に耐食性または導電性の少なくとも一方に優れる耐食導電性皮膜が形成された耐食導電材が得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、無電解メッキ法を用いて、従来に比べて半田転写の改善や接触抵抗の安定性等を図ることが可能な表面層を弾性変形部に形成することが可能な接触子の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 弾性変形部を備える接触子の製造方法において、固定部２１と、前記固定部２１から延出形成された前記弾性変形部２２とを有する芯部２３を形成する工程、前記芯部２３の表面に、無電解メッキ法にて、白金族金属層２８をメッキ形成する工程、前記白金族金属層２８の表面に、無電解メッキ法にて、Ａｕ層２９をメッキ形成する工程、加熱処理を施して、最表面層に、白金族元素とＡｕとの合金層を形成する工程、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

この発明の方法は、（a）第一の金属またはその合金のナノ粒子の分散によって構成される電気絶縁性または半導電性の基板を備える段階と、（b）前記基板上に阻害物質の層を塗布し、光学的、熱学的、化学的、または電気化学的誘起により、該阻害物質の層を部分的に除去または非活性化し、それにより第一の金属またはその合金の少なくとも一部を露出させ、電子回路のパターンを得る段階（ｂ）と、(c）無電解処理により、段階（ｂ）で得られた前記基板に存在する、第一の金属またはその合金が露出した部分に、第二の金属またはその合金の層を堆積させる段階であって、これによって段階（ｂ）を経た後でも該基板上に存在する阻害物質が、第一の金属またはその合金上に堆積される第二の金属またはその合金を部分的に阻害することで、第二の金属またはその合金が、段階（ｂ）で得られた、第一の金属またはその合金の露出した部分に、選択的に堆積されることを確実にする段階を備える。 （もっと読む）

【課題】耐食導電性に優れる耐食導電材を効率的に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電材の製造方法は、Ｔｉ系基材の少なくとも一部を、Ｎｉを主成分とするＮｉメッキ液中に浸漬して、そのＴｉ系基材の表面にＮｉメッキ層を形成するメッキ工程と、このメッキ工程後のＴｉ系基材を窒化処理を施す窒化工程とを備えてなり、前記Ｔｉ系基材の少なくとも一部の表面にＴｉ、ＮｉおよびＮを必須構成元素とする耐食性または導電性に優れる耐食導電性皮膜が形成された耐食導電材が得られることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、感光性の金属含有組成物を基材に塗布し、感光性の金属含有組成物を乾燥し、感光性の金属含有組成物を化学線源にて露光し、及び金属含有組成物を後処理することによって金属含有フィルムを形成する方法に係る。該方法は、また、感光性の金属含有組成物を、マスク又は型を通して化学線源にて露光し、組成物の非露光部分を現像することを含む。本発明の他の具体例は、前記の方法によって形成された金属含有フィルム、三次元の物体又は物品である。本発明は、直接パターン化された金属含有フィルム及び微小デバイスの製造に有用である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多孔質基材の孔部を金属酸化物で効率良く埋めることができ、表面平滑性および緻密性等に優れた金属酸化物膜を形成することができる積層体の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または有機金属化合物が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した多孔質基材に噴射することにより、上記多孔質基材上に金属酸化物膜を形成する積層体の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液の噴射方向を、上記多孔質基材側に向け、かつ、上記多孔質基材表面の法線方向に対して傾けることを特徴とする積層体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現するキャップメタル形成方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの被処理面に形成された銅配線上にキャップメタルを形成する方法であって、基板Ｗを回転可能に保持するステップと、保持された基板Ｗを基板の被処理面に沿った向きで回転させるステップと、基板Ｗの周縁部の被処理面上に一定間隔で対向して撹拌部材１５５の端部を配置するステップと、被処理面にめっき処理液を供給するステップと、めっき処理液の供給を停止するとともに撹拌部材１５５を移動して該撹拌部材１５５の端部を基板Ｗの被処理面から離間させるステップとを有する。 （もっと読む）