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Fターム[4K022BA06]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被膜 (7,733) | Co (318)

Fターム[4K022BA06]に分類される特許

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【課題】基板を効率的かつ均一に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板Wを保持して回転させる基板保持機構110と、基板保持機構110に保持された基板Wに向けてめっき液35を吐出する吐出機構21と、空気より比熱容量が高い気体からなる高温の加熱用ガスGを基板保持機構110に保持された基板Wに向けて送り出すガス送出機構190と、を備えている。ガス送出機構190は、基板Wの中心領域Aよりも基板Wの周縁領域Aに向けて多くの加熱用ガスGを送り出すよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】基板を効率的に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板Wを保持する基板保持機構110と、基板保持機構110に保持された基板Wに向けてめっき液を吐出する吐出機構21と、吐出機構21に接続され、吐出機構21にめっき液を供給するめっき液供給機構30とを備えている。ガス供給機構170は、空気より比熱容量が高い加熱用ガスを加熱して基板保持機構110に保持された基板Wに向けて供給する。少なくとも吐出機構21、めっき液供給機構30およびガス供給機構170は、制御機構160によって制御される。 (もっと読む)


【課題】基板を効率的に加熱することができるとともに、排出されるめっき液に温調水等が混ざることを防止し、めっき液を容易に再利用することが可能となるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板Wを保持する基板保持機構110と、基板保持機構110に保持された基板Wに向けてめっき液を吐出する吐出機構21と、吐出機構21に接続され、吐出機構21にめっき液を供給するめっき液供給機構30とを備えている。基板保持機構110の周囲に、基板Wから飛散しためっき液を排出する液排出機構140が配置され、基板保持機構110に保持された基板Wの上方において、基板Wの表面側を覆うようにトッププレート151が設けられている。基板W、液排出機構140およびトッププレート151の間に、空気より比熱容量が高い加熱用ガスGが滞留する滞留空間156が形成される。 (もっと読む)


【課題】凹凸のある部品の表面や部品内部孔の表面であっても摺動抵抗が低くかつ表面の硬度の高い摺動面を形成し、高性能な摺動部品およびガイド部品を安価に製造できるようにする。
【解決手段】構造母材101の摺動部表面にめっき膜102を成膜しその最表面に分散したダイヤモンド微粒子103を共析させることにより、凹凸のある表面や部品内部孔の表面にあっても摺動抵抗の低い摺動面を形成するとともに、めっき面の熱処理によってめっき膜の硬度を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、比較的簡単な構成で、基板の表面の全域に亘ってめっき液がより均一に流れるようにして、膜厚や膜形状の面内均一性を高めためっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】内部に上方に向かうめっき液の流れを形成しつつめっき液を保持するめっき槽80と、複数枚の基板Wを鉛直方向に並列に保持してめっき槽80内のめっき液に浸漬させる基板ホルダ84と、基板ホルダ84で保持してめっき液に浸漬させた各基板Wの周囲をそれぞれ囲繞して、各基板Wの外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成する複数枚のガイド板150,152を有する。 (もっと読む)


【課題】賦形された無機薄膜、パターン化無機薄膜を形成するためのインプリント用組成物であって、凹凸の転写性に優れ、且つ、焼成による凹凸(パターン)の崩れを抑制できるインプリント用組成物を提供する。
【解決手段】本発明のインプリント用組成物は、樹脂製の型を用いて無機薄膜を形成するためのインプリント用組成物であって、金属酸化物粒子と金属酸化物前駆体とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】微細配線を形成する場合であっても、ブリッジの発生を低減でき、しかも優れたワイヤボンディング性及びはんだ接続信頼性を得ることが可能な半導体チップ搭載用基板の製造方法及びこれにより得られる半導体チップ搭載用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】セミアディティブ法で銅回路を形成する工程において、電解めっきレジストを形成し、電解銅めっきにより銅回路を形成した後に、無電解ニッケルめっき皮膜を形成し、銅回路の上部のみに銅の拡散を抑制するためのバリヤ皮膜である無電解ニッケルめっき皮膜を形成する。次いで、電解めっきレジストを剥離し、導体回路となるべき部分以外の銅をエッチング除去し、ソルダーレジストパターンを形成し、電解ニッケルめっき皮膜が上部に形成された銅回路に、無電解パラジウムめっき皮膜を形成しさらに無電解金めっき皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】炭素系複合材を含有する無電解複合めっき液の分散安定性及びめっき液寿命を向上させることができ、且つ、優れた外観を有するめっき皮膜を得ることができる無電解複合めっき液用分散剤を提供する。
【解決手段】例えばジアリルアミンのハロゲン化水素塩を代表とするグループの第1の化合物、例えばジアリルアミンの硫酸塩を代表とするグループの第2の化合物及び、例えばメチル(メタ)アクリレートを代表とするグループの化合物の群から選択される少なくとも2種のグループの化合物を共重合せしめることにより得られたカチオン性ポリマーを含有しており、炭素系複合材を無電解複合めっき液中に分散せしめるための分散剤であること、を特徴とする無電解複合めっき液用分散剤。 (もっと読む)


【課題】めっき液の反応速度を向上させることにより、基板1枚あたりのめっき処理時間を短縮することが可能なめっき処理方法およびめっき処理装置を提供する。
【解決手段】基板2の表面に前処理液が残っている状態で、基板2を第1回転数で回転させ、基板2にめっき液を供給することにより液置換を行う(液置換工程S305)。次に、基板2にめっき液を供給し続けた状態で、基板2を停止または第2回転数で回転させて、基板2に初期成膜を行う(インキュベーション工程S306)。その後、基板2にめっき液を供給し続けた状態で、基板2を第3回転数で回転させて、めっき膜を成長させる(めっき膜成長工程S307)。第1回転数は、第3回転数より回転数が高く、第3回転数は、第2回転数より回転数が高い。 (もっと読む)


【課題】基板の表面全域にわたって均一にめっき処理を施すめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板2を保持して回転させる基板回転保持機構110と、基板回転保持機構110に保持された基板2に向けてめっき液を吐出する吐出機構21と、吐出機構21にめっき液を供給するめっき液供給機構30と、基板回転保持機構110およびめっき液供給機構30を制御する制御機構160と、を備えている。吐出機構21は、基板2に向けてめっき液を吐出する吐出口41を含む第1ノズル40と、第1ノズル40の吐出口よりも基板2の中心部に近接するよう位置することができる吐出口46を含む第2ノズル45と、を有している。まためっき液供給機構30は、第1ノズル40に供給されるめっき液の温度が第2ノズル45に供給されるめっき液の温度よりも高くなるよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】基板の表面全域にわたって均一にめっき処理を施すめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板2を保持して回転させる基板回転保持機構110と、基板回転保持機構110に保持された基板2に向けてめっき液を吐出する吐出機構21と、基板回転保持機構110および吐出機構21を制御する制御機構160と、を備えている。吐出機構21は、基板2の半径方向に沿って並べられた複数の吐出口41を含む、または、基板2の半径方向に沿って延びる吐出口42を含む第1ノズル40と、第1ノズル40の吐出口よりも基板2の中心部に近接するよう位置することができる吐出口46を含む第2ノズル45と、を有している。 (もっと読む)


【課題】金属めっきと良好な密着性を発揮し得る、簡易で環境負荷の少ない水系シランカップリング剤として好適な有機ケイ素化合物の提供、およびこれを用いた無電解めっきの前処理方法の提供。
【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物と、テトラカルボン酸一無水物、テトラカルボン酸二無水物およびトリカルボン酸一無水物からなる群から選ばれる少なくとも1種類のポリカルボン酸無水物との反応生成物である中間体を、更に下記一般式(3)で表される化合物と反応させて得られた最終生成物である有機ケイ素化合物、およびこれを用いた無電解めっきの前処理方法。
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【課題】電子デバイスなどにパラジウム構造を低コストで形成するための方法およびパラジウム堆積に使用できる溶液処理可能な塑性物を提供する。
【解決手段】パラジウム塩およびオルガノアミンを含み、還元剤を含まない非触媒パラジウム前駆体組成物であって、この組成物は、実質的に水を含まない。この組成物を、溶液処理方法を使用して基板上に溶液堆積させ、加熱して伝導性パラジウムを形成させ、パターン状のものを含む種々広範の基板にパラジウム層を形成し、電子デバイスのための電気回路または経路を形成する。 (もっと読む)


【課題】 基材粒子表面が導電性金属層で均一に被覆され、基材粒子と導電性金属層との密着性に優れ、かつ導電性金属層被覆後の粒子強度の低下もない導電性微粒子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る導電性微粒子は、樹脂から構成される基材粒子と、該基材の表面に形成された少なくとも一層の導電性金属層とを有する導電性微粒子であって、オゾンで処理されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびPN接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり;前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ;並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 (もっと読む)


【課題】貫通ビア電極を形成する際に処理温度が高くなく且つ低コストで、バリア層を均一に、且つ高い密着強度で製造する。
【解決手段】シリコン基板10の厚さ方向に形成された高アスペクト比の、貫通ビア電極形成用の孔12の内周面に、自己組織化単分子膜24を形成し、これに、金属ナノ粒子14を、高密度で吸着させて、この金属ナノ粒子14を触媒として、バリア層を無電解めっきにより形成し、バリア層の上にシード層を無電解めっきにより形成し、次に、貫通ビア電極材を電解めっきにより堆積して、孔12を埋めて、貫通ビア電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】湿式処理によって成膜した酸化金属膜を備え、光照射、水素ガスおよび気圧を測定可能であるセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるセンサは、3つ以上の反応基を有する付加重合性化合物と、酸性基を有する付加重合性化合物と、親水性官能基を有する付加重合化合物と、を含有する下地組成物を用いて有機膜を形成する有機膜形成工程と、上記酸性基を金属(M1)塩にする金属塩生成工程と、金属(M2)イオン水溶液で処理することによって、上記酸性基の金属(M1)塩を、金属(M2)塩とする金属固定工程と、上記金属(M2)イオンを還元して上記有機膜表面に金属膜を形成する還元工程と、上記金属膜を酸化する酸化工程と、を含む方法によって製造された酸化金属膜を備え、光、水素ガスおよび気圧を検出可能である。 (もっと読む)


【課題】低コストで高性能な電気化学デバイス用触媒層付電極の製造に好適な触媒層形成用組成物、及び、それを使用する触媒層の製造方法を提供する。
【解決手段】電気化学デバイスの触媒層付電極の触媒層形成に用いられる触媒層形成用組成物であって、イオン伝導性の導入が可能なビニルモノマー、金属微粒子の前駆体である金属化合物、及び、炭素担体を含むものであり、前記ビニルモノマーは、放射線照射により重合して、イオン伝導性ポリマーを形成するものであり、前記金属化合物は、放射線照射により還元されて、金属微粒子を形成するものであることとする。 (もっと読む)


【課題】めっき膜からデフェクトを容易に除去することが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置20は、基板2を回転保持する基板回転保持機構110と、基板回転保持機構110に保持された基板2に対してめっき液35を供給するめっき液供給機構30と、を備えている。また、基板回転保持機構110に保持された基板2に対して物理力を印加することにより基板2を洗浄する物理洗浄機構70が設けられている。物理洗浄機構70は、基板2が乾燥されるよりも前に基板2に対して物理力を印加することにより、基板2上のめっき膜からデフェクトを除去する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ダイヤモンド微粒子及びフッ素樹脂微粒子を均一に分散・共析させた複合めっき被膜の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】親水性ポリマー又はイオン性官能基が導入された平均粒径10nm〜300nmのダイヤモンド微粒子、平均粒径100nm〜300nmのフッ素樹脂微粒子及び界面活性剤を金属めっき液に添加した複合めっき液を基材表面に接触させて、ダイヤモンド微粒子及びフッ素樹脂微粒子を金属マトリクス中に均一に分散させた複合めっき被膜を形成する。 (もっと読む)


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