本発明は、集積回路のメッキ方法を提供する。活性化プレートが、少なくとも一つの集積回路に隣接して配置される。集積回路は、接着パッド金属からなる複数の接着パッドを備え、また、活性化プレートも前記接着パッド金属からなる。無電解ニッケル層は、接着パッド及び活性化プレート上にメッキされ、金層は、接着パッド及び活性化プレート上の無電解ニッケル層を覆うようにメッキされる。活性化プレートを用いてメッキされた接着パッドを有する集積回路、ならびに集積回路をメッキするシステムについても開示されている。
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無電解コバルト又はニッケルめっき浴中のクエン酸塩錯化剤の濃度を、遊離フッ化物イオンの微量濃度を含有する無電解めっき浴のサンプルを、硝酸ランタン標準液で滴定することにより判定する。滴定の間、Ｌａ^＋イオンは最初に優先的にクエン酸塩錯化剤と、その後フッ化物イオンと反応し、遊離フッ化物イオン濃度を低減させる。滴定の終点は、遊離フッ化物イオンにおける実質的減少により示唆され、フッ化物イオン特異電極（ＩＳＥ）を介して検出される。本方法は、他の錯化剤の分析に用いることができる。
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