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Fターム[4K022BA35]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被膜 (7,733) | パターン被膜 (306)

Fターム[4K022BA35]に分類される特許

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【課題】半導体デバイスなどの冷却用ヒートシンク局部の鍍金方法を提供する。
【解決手段】 鍍金液材料をヒートシンクの鍍金を必要とする領域111に対応する容器12内に貯留し、鍍金を必要とする領域に接触させて、被鍍金領域に接触する容器壁により囲われた局部に鍍金層を形成する。
めっき液は、下地層としての亜鉛めっき、ニッケルめっきに適用することができると共に、不必要な箇所へのめっきがされないため、めっき材料の損失が無く、生産効率がよい。 (もっと読む)


【課題】配線パターンの露出面を覆うすずめっき層を形成する際、すずの針状結晶の析出、及び成長を抑制する。
【解決手段】絶縁基材上に銅層から成る配線パターンが形成され、配線パターン上に配線パターンを部分的に覆う絶縁体から成る保護層が形成された配線基板を、めっき液に浸漬して、配線パターンの露出面を覆うすずめっき層を形成する配線基板のめっき形成方法であって、配線基板をめっき液に浸漬する浸漬処理の途中で、配線基板をめっき液から引き上げて浸漬処理を中断する中断処理を1回以上行う。 (もっと読む)


【課題】 還元性ポリマー微粒子を用いるパターン化された金属膜が形成されためっきフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】基材フィルム上にパターン化された金属膜が形成されためっきフィルムの製造方法であって、
1)有機溶媒と、水と、アニオン系界面活性剤及びノニオン系界面活性剤を混合撹拌してなるO/W型の乳化液中に、ピロール及び/又はピロール誘導体のモノマーを添加し、該モノマーを酸化重合することにより、有機溶媒に分散した導電率が0.01S/cm未満である微粒子を得る工程、
2)前記微粒子が分散された塗料を基材フィルム上にコーティングしてポリマー層を形成する工程、
3)基材フィルム上の前記ポリマー層に紫外線をマスクパターンを介して照射する工程、4)前記ポリマー層のうち、紫外線が照射されなかった部分について無電解めっき液から金属膜を化学めっきする工程、
よりなる製造方法。 (もっと読む)


【課題】多大なエネルギーを必要とせず、平滑な基板との密着性に優れる金属膜を簡便な工程により形成しうる金属膜形成方法、それにより得られる金属膜、及び金属膜形成用基板を提供することにある。
【解決手段】(a)基板に直接化学結合しており、メッキ触媒またはその前駆体と相互作用する官能基、及び架橋性基前駆体を有するポリマーを形成するポリマー層形成工程と、(b)該ポリマー層上にメッキ触媒又はその前駆体を付与する触媒付与工程と、(c)該メッキ触媒又はその前駆体に対してメッキを行うメッキ工程と、(d)ポリマー層に架橋を行う架橋工程と、を有することを特徴とする金属膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】埋込み銅配線の露出表面に、保護膜を選択性良く安定して形成することによって銅配線を保護することができるようにする。
【解決手段】内部に埋込み銅配線を形成した基板を用意し、基板の表面に触媒付与液を接触させて銅配線の表面に触媒を付与し、触媒付与後の基板の表面を洗浄し、洗浄後の基板の表面に還元液を接触させて基板の表面を還元処理し、還元処理後の基板の表面を洗浄し、しかる後、無電解めっき液に基板の表面を接触させて銅配線の表面に保護膜を選択的に形成する。 (もっと読む)


【解決手段】本発明のプリント配線基板は、絶縁基板の少なくとも一方の表面に、銅箔を選択的にエッチングした配線パターンが形成されており、該配線パターンの少なくとも一部がスズを含有する金属メッキ層で被覆されている配線基板において、該配線パターンが、主として粒径3μm以上の柱状結晶銅から形成されており、該柱状結晶銅の塩素濃度が5〜50ppmの範囲内にあり、該配線パターンを被覆する金属メッキ層が、スズを含有す
る主として0.7μm以上の結晶粒径の金属から形成されており、かつ該配線パターンに、有機化合物に由来する炭素原子が実質的に含有されていないことを特徴としている。
【効果】本発明によれば、銅からなる配線の表面に形成された無電解スズメッキ層の表面からのスズウイスカーの発生を有効に抑制することができる。 (もっと読む)


【解決手段】本発明の無電解めっき液は、配線構造を有する半導体装置の製造に際して露出した該配線の表面に保護膜を選択的に形成するのに使用される無電解めっき液であって、上記無為電めっき液が、コバルトイオン、コバルトとは異なる第2の金属のイオン、キレート剤、還元剤、スルホン酸型アニオン界面活性剤および下記式(1)で表される水酸化テトラアルキルアンモニウムを含有することを特徴としている。


上記式(1)において、R1、R2、R3、R4は、それぞれ独立に、アルキル基およびヒドロキシアルキル基よりなる群から選ばれる何れかの基を表す。
【効果】本発明によれば、銅等の配線上に高い選択率でコバルト系合金を保護膜として形成することができ、露出した配線の表面汚染、層間絶縁膜へのエレクトロマイグレーションを防止でき、配線抵抗が増大、配線以外へのめっき金属析出の虞を回避でき、さらに、本発明の無電解めっき液は環境ホルモンとされる成分を含有せず、使用環境への悪影響を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】セラミック素材上に形成された金属部分などに選択性良く析出し、パターン外析出が発生し難く、めっき浴の分解、沈殿なども生じにくい、安定性に優れた新規な無電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】(i)水溶性金化合物、
(ii)錯化剤、
(iii)還元剤、並びに
(iv)イソチオ尿素及びその誘導体からなる群から選ばれた少なくとも一種の成分からなる安定剤、
を含有する水溶液からなる自己触媒型無電解金めっき液。 (もっと読む)


【課題】セラミック素材上に形成された金属部分などに選択性良く析出し、パターン外析出が発生し難く、めっき浴の分解、沈殿なども生じにくい、安定性に優れた新規な無電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】(i)水溶性金化合物、
(ii)錯化剤、
(iii)還元剤、並びに
(iv)下記式


(式中、R及びRは、同一又は異なって、低級アルキル基又は水素原子であり、該低級アルキル基は、ベンジル基、フェニル基、ハロゲン原子、基:―N(R(但し、Rは水素原子又は低級アルキル基である)、基:−SO(但し、Mは水素原子又はアルカリ金属である)、ヒドロキシル基、基:−O(CH−OH(但し、nは2又は3である)、シアノ基、ニトロ基、ホスホン基及びフェニル基からなる群から選ばれた少なくとも一種の置換基を有してもよい)で表される化合物、
を含有する水溶液からなる無電解金めっき浴。 (もっと読む)


【課題】印刷パターン上に選択的に導電性パターンを成膜する際、初期の印刷形成による印刷パターンの形状精度を損なうことなく導電性パターンを形成可能な方法を提供する。
【解決手段】基板11の表面にチオールと結合する金属材料からなる金属層15を形成する。金属層15上にアルキルジチオールからなる印刷パターン9aを形成する。印刷パターン9aから露出する金属層15上にアルキルチオールからなる塗布膜17を選択成膜する。その後、印刷パターン9a上に選択的にチオールと結合する金属材料からなる金属パターン19を形成し、さらにこの上部に導電性材料層21を選択形成し、金属パターン19と導電性材料層21とからなる導電性パターン23を形成する。 (もっと読む)


【課題】 導体回路素子内の微細配線形成方法として使用されているいわゆるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用し得るナノメータオーダーの微細パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の微細パターンの形成方法は、基板上に設けられた絶縁膜に形成された溝及び孔の少なくとも一方を、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方、めっき液及び界面活性剤を含む超臨界流体又は亜臨界流体を用いためっき法により所定の金属で埋めることを特徴とする。この場合、めっき液として従来から使用されている電解めっき液や無電解めっき液を使用することができ、また、本発明の微細パターンの形成方法を実施する際には、脱脂部A、酸洗部B、触媒化部C及びめっき部Dを備える表面処理装置10を使用し得る。 (もっと読む)


【課題】 基板と金属膜間の密着性を向上させることが可能であり、さらに簡単な製造方法にて前記密着性を向上させることが可能な金属膜を有する基板およびその製造方法等を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板1上に単分子膜2が形成され、前記単分子膜2上に中間膜3が形成される。前記中間膜3に含まれるピロリル基及び単分子膜2に含まれるピロリル基の少なくとも一部は重合している。また前記中間膜3は、無電解メッキでの触媒能力のある金属、例えばパラジウムを含有する。金属膜5を構成する無電解メッキ膜6が前記中間膜3上に直接、無電解メッキ法によりメッキ形成されている。本実施形態の構成により、基板と金属膜間の密着性を従来に比べて向上させることが出来る。 (もっと読む)


【課題】メッキ時間を短縮すると共に異常析出及び析出不良を防止して、特性に影響の無い安定したメッキ層を得ることができるメッキ方法及びメッキ装置並びにシリコンデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】被メッキ部材1をメッキ液11が充填されたメッキ槽12に浸漬し、前記被メッキ部材1の少なくともメッキ層を形成するメッキ領域3に最頻度気泡径がマイクロメートルオーダーの気泡の流れを発生させる。 (もっと読む)


無電解堆積および電気堆積プロセスをインサイチュで実行することによって、非常に信頼性のあるメタライゼーションが供給され、その際に、シード層を形成する、従来の化学気相堆積(CVD)、原子層堆積(ALD)ならびに物理気相堆積(PVD)技術にみられるような、汚染物質ならびにデバイススケーリングに関する欠点を克服することができる。ある実施例では、バリア層はさらに、ウェット堆積プロセスに基づいて堆積される。
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【課題】立体形状を有する樹脂成形体の立体表面に高精細な回路導体パターンを形成することができ、その製造コストを低減させることが可能な、回路導体パターンを有する樹脂成形部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂成形体1の表面にレジスト2をコーティングし、所定の回路導体パターンに沿ってレーザ照射によりレジスト2の一部を除去して樹脂表面を露出させ、この露出された樹脂表面3に金属蒸着により銅の下地層4を形成し、しかる後に下地層4の上に銅の電解めっきにより金属層5を形成して所定の厚みの回路導体を形成する方法とする。この場合、レーザ照射により、レジスト2の一部を除去して樹脂表面を露出させると同時にこの露出された樹脂表面3を粗面化および/または活性化させても良い。 (もっと読む)


【課題】 金属層との密着強度が高く、かつ、絶縁性が高い電子部品用機材及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 ポリイミド基材上にパラジウム化合物を含有するポリイミド樹脂前駆体溶液を塗布・乾燥させてポリイミド樹脂前駆体層を形成し、次いで水素共与体の存在下において紫外線を照射してメッキ下地核を形成した後、無電解メッキ処理によってメッキ下地金属層を形成し、さらに表面メッキ層を形成した後、又は形成する前に前記ポリイミド樹脂前駆体層を加熱イミド化してポリイミド樹脂層にすることにより電子部品用基材を製造する。 (もっと読む)


【課題】 半導体デバイス等の基板の品質を低下させることなく、基板上の配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すことが可能な無電解めっき装置を提供する。
【解決手段】 ウエハW上に形成された配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すための無電解めっき装置を、ウエハWを支持する、導電性を有する押圧ピン64と、めっき液に接触するように押圧ピン64に設けられ、めっき液に接触した際に溶解して電子を発生させる金属部材64bとから構成し、金属部材64bが溶解して発生した電子を、押圧ピン64を介してウエハW上の配線部に供給する電子供給路とから構成する。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき方法を可能とするための触媒層を、レジストを用いることなく正確に任意のパターンに形成する。
【解決手段】基材1を塩酸酸性の塩化錫水溶液に接触させ、基材1に塩化第一錫の塩化錫膜2を形成する錫処理工程と、塩化錫膜2のうちめっき膜形成部9に水8を接触させながら、非めっき膜形成部3を乾燥させて酸化させ4価の錫とし、塩化錫膜2を塩化第一錫からなるめっき膜形成部9と4価の錫からなる非めっき膜形成部3とにパターニングするパターニング工程と、めっき膜形成部9に、パラジウム金属を付着させて触媒層11を形成する付着工程と、基材1をめっき液に接触させてめっき膜形成部9に銅めっき膜12を形成するめっき処理工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】無電解めっきでバンプ又はアンダーバリアメタル(UBM)を形成することができ、製造工程が短く、下地配線金属の表面状態の影響が小さいビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法の提供。
【解決手段】所定の配線を終えパッシベーションのパターンエッチングが終了した基板上のレジストマスクを剥離する前に、金属化合物の被膜を形成し、(a)該レジストマスク及び金属化合物被膜を剥離除去した後に配線部分上に形成された金属化合物の被膜を還元するか、(b)配線部分上に形成された金属化合物の被膜を還元した後に該レジストマスク及び金属化合物の被膜を剥離除去してから、金属化合物の被膜を還元し、得られた金属膜を無電解めっきの活性化触媒膜および中間膜とし、該中間膜上に無電解めっきでバンプ又はアンダーバリアメタル(UBM)を形成することを特徴とするビルトアップ多層プリント配線基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】熱処理を行わずに、金属を含有した連続膜を形成する金属含有膜の形成方法を提供する。
【解決手段】水素化アルミニウムリチウムとシクロペンタシランとを含有する液体12をセル11内に充填し、液体12とセル11の内壁面11aとを接触させる。次いで、セル11の外壁面11bの一領域11b’にスポットUV照射器14を密着させて紫外線Vを照射することで、領域11b’の裏面側となる内壁面11aの一領域11a’にシリコン膜21aと金属膜21bとが順次積層された金属含有膜21を形成する。 (もっと読む)


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