【課題】高分子錯体層を用いて基体表面に無電解めっきにより金属パターンを容易に形成することのできる金属パターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体デバイス、電子部品評価用テスタ、プローブカード、ＩＣカード、光デバイス等に用いられる基板表面（基体１の表面）に金属微細配線等の金属パターン７を形成するにあたって、まず、高分子層形成工程では、触媒金属イオンと錯体を形成可能な高分子層３を基体１の表面上のめっき予定領域に選択的に形成する。次に、高分子錯体層形成工程では、触媒金属イオンを含む処理液を高分子層３に接触させてめっき予定領域に触媒金属イオンと高分子層３との高分子錯体層４を形成する。次に、無電解めっき工程では、無電解めっき液を高分子錯体層４に接触させて高分子錯体層４上に無電解めっき層５（金属層）を無電解めっきにより形成し、金属パターン７を構成する。 （もっと読む）

【課題】析出膜厚が均一で、めっき反応の促進効果を持ち皮膜の未析出問題がなく、自己分解による浴内析出のない浴の安定性に優れ、被めっき物となる導体の組成等に影響されない無電解Ｐｄめっき液と無電解Ａｕめっき方法を提供する。
【解決手段】表面がＣｕ、Ｎｉ−Ｐからなる導体上にＰｄあるいはＡｕの皮膜を形成する無電解めっき方法において、前記導体表面に触媒層として置換還元めっき方法によりＰｔとＲｕを０．０５ｍｇ／ｄｍ^２以下の付与量で形成する工程と、前記ＰｔとＲｕからなる触媒層を付与した導体上にＰｄあるいはＡｕの無電解めっき皮膜形成処理を行う工程とからなり、前記無電解めっき液の、ｐＨが５以下で、炭素の数が３以下のアルコールを含有していることを特徴とする無電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき方法において、パラジウム等の貴金属を使用することなく、またクロム酸等の有害な薬剤を使用せずにめっきと被めっき物間の良好な密着性を確保でき、かつ、めっき液を繰り返し使用することができる無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】被めっき物の表面上に、めっき金属の金属イオンを還元する能力を有する有機残基を側鎖に含有するポリマーを塗設する工程（１）と、前記ポリマーが塗設された被めっき物の表面上に、前記金属イオンを含みこの金属イオンを還元しうる還元剤を含まない溶液中において、前記金属イオンの部分還元金属酸化物を析出させる工程（２）と、前記金属イオンを還元しうる還元剤を含む溶液中において、前記部分還元金属酸化物を自己触媒性を有するめっき金属に還元する工程（３）と、被めっき物の表面上に、無電解めっき液中においてめっき金属の被膜を形成する工程（４）と、を含む無電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】メッキ膜上に置換メッキ膜を十分な厚みで確実に形成されている電子部品を提供する。
【解決手段】基板２上に、無電解メッキにより形成された第１のメッキ膜と、第１のメッキ膜上に形成された第２のメッキ膜、すなわち置換メッキ膜とを有する電極３，４が形成されており、第１のメッキ膜において、面積をＳ、第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたき、比Ｓ／Ｌが０．２以下である、電子部品１。 （もっと読む）

【課題】ガラスや樹脂など、光透過性を有する難めっき材料の表面が処理されていることにより、難めっき材料を支持体として、高い光透過性を有し且つ表面に良好に無電解めっきを施すことが可能となるめっき用部材を提供する。
【解決手段】光透過性を有する支持体２と、該支持体２の表面に形成された下地膜３と、を有し、下地膜３は、光透過性を有する基材と、平均粒径が１００ｎｍ以下のアルミナ粒子と、を有するめっき用部材とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の第一の目的は、水溶液による現像が可能で、優れた現像性を示し、かつ、高温高湿環境下に曝されてもその表面上に形成されるめっき膜（金属膜）と高密着性を示す被めっき層を形成し得る被めっき層形成用組成物を提供することにある。
【解決手段】式（Ａ）で表されるユニット、および、式（Ｂ）で表されるユニットを少なくとも有するポリマー、を含有する被めっき層形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成する。
【解決手段】金属膜形成装置１の処理容器１０の内部は、不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り換え可能になっている。処理容器１０の内部には、ウェハＷを保持するスピンチャック２０と、ウェハＷの側方を囲むように設けられたカップ体３１と、ウェハＷ上に金属混合液を吐出する塗布ノズル６０と、ノズル駆動部６５の動力を塗布ノズル６０に伝達するノズル伝達部６４と、塗布ノズル６０を待機させるノズルバス６６とが設けられている。処理容器１０の外部には、水平方向より所定の角度で傾斜した方向に沿って、スピンチャック２０とノズルバス６６との間で塗布ノズル６０を移動させるためのノズル駆動部６５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板の端子部分のように、基材上に設けた金属微細パターンの表面に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う際に、下地である樹脂表面に金属の異常析出が起きるのを抑えることができる金属微細パターン付き基材の製造方法を提供し、さらに、当該製造方法によって品質に優れためっき処理面を有する、金属微細パターン付き基材、プリント配線板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】下地となる樹脂からなる支持表面に設けられた溝に、金属微細パターンの下部を埋め込み、当該金属微細パターンの溝の表面と接していない部分に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う工程を含み、前記メッキを行う領域における支持表面からの突出高さＸと、パターン間の最小距離をＹの比（Ｘ／Ｙ）が０．８未満となるようにする金属微細パターン付き基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】第一固体層（first solid layer）上に第二層(second layer)を形成するための化学反応を活性化することのできる第一固体層を基板の表面に形成する方法を提供する。
【解決手段】この方法は基板の表面と、硬化性組成物及び第二層形成の化学反応のための活性化剤を含む第一液を接触させ、そして硬化性組成物を硬化させて基板の表面へのその材料の付着度を増し、それにより基板の表面に第一固体層を形成して付着させ、第二流体(second fluid)と接触させた後に第二層の形成の化学反応を活性化させうることを含む。 （もっと読む）

【課題】ＤＮＡ又はＤＮＡ−脂質複合体を用いた簡易な方法により、基板上に導電性パターンを、画像流れを抑制しながら安定して形成できる電子回路付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ＤＮＡ又はＤＮＡ−脂質複合体を含む溶液を描画することによって電子回路パターンを形成する工程と、前記電子回路パターンが形成された基板を多価金属イオン溶液に浸漬することによって、前記電子回路パターンにおいて、前記ＤＮＡ又は前記ＤＮＡ−脂質複合体と前記多価金属イオンとの錯体を形成する工程と、形成された錯体中の金属イオンを還元することによって、前記電子回路パターンを導電性パターンとする工程と、を有する電子回路付き基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】パターン外析出を抑制し、密着力を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部９が形成されたＡｌ−Ｓｉ金属層２と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上と半導体ウエハ１が露出した箇所上に形成された酸化膜１１と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上に酸化膜１１を介して各凹部９を埋め込むように形成されたＮｉめっき膜３およびＡｕめっき膜４とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、表面が平滑であっても、その表面上に形成されるめっき膜（金属膜）と高密着性を達成し、絶縁信頼性に優れたポリマー層を形成しうる被めっき層形成用組成物、および、該組成物を用いて得られるポリマー層を有する積層体を提供することにある。
【解決手段】ラジカル重合性基と、めっき触媒またはその前駆体と相互作用を形成する非解離性官能基と、エポキシ基、オキセタニル基、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、一級アミノ基、および二級アミノ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの官能基とを含むポリマーを、含有する被めっき層形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】生産性よく化学めっきを行う方法を提供する。
【解決手段】基板２上に機能液１８を配置し、機能液１８を固化して下地膜４０を形成する下地膜形成工程と、化学めっき処理を行って下地膜４０上に金属膜４５を形成する化学めっき工程と、を有し、機能液１８は樹脂、金属触媒及びレベリング剤を含む。金属触媒は金属を含む官能基を備えたシランカップリング剤であり、機能液１８を加熱または光照射して固化する。 （もっと読む）

【課題】従来の回路部品の製造方法では、コスト低減を図ることが困難である。
【解決手段】複数の種類の液状体のうちの少なくとも１つの種類の液状体で断面要素１６１を断面パターン１６５として描画してから、断面パターン１６５を硬化させることを、断面要素１６１ごとに複数の断面要素１６１にわたって順次に重ねて実施する造形工程と、造形工程の後に、複数の断面パターン１６５が重なった回路部品６'にメッキを施すメッキ工程と、を含み、液状体の種類には、断面パターン１６５を構成するための樹脂を含有する樹脂含有液状体と、樹脂及びメッキ触媒を含有する触媒含有液状体との２種類が含まれており、造形工程では、複数の断面パターン１６５のうちの少なくとも一部の断面パターン１６５を描画するときに、断面パターン１６５の少なくとも一部に触媒含有液状体を選択的に塗布する、ことを特徴とする回路部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属被膜の被メッキ物に対する密着性が向上した化学メッキを提供する。
【解決手段】樹脂硬化物複合体のメッキ方法は、特定のフェノール系化合物を含有する第１樹脂硬化物１０と、第１樹脂硬化物に対接して設けられ、特定のフェノール系化合物を含有しない第２樹脂硬化物２０とを有し、第１樹脂硬化物が第２樹脂硬化物で被覆されずに露出している部分３０が設けられている樹脂硬化物複合体１を、アミン系化合物と接触させる工程と、樹脂硬化物複合体をメッキ触媒の金属イオンと接触させることにより金属イオンを第１樹脂硬化物露出部分の表面で金属原子に還元する工程と、還元した金属原子をメッキ触媒として化学メッキを行うことにより第１樹脂硬化物露出部分の表面に金属被膜４０を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

プラスチック製品を調製する方法、及びそれを用いて作製されるプラスチック製品を提供する。前記方法は、促進剤が分散されたプラスチックから作製されるプラスチック基材を提供する工程と；前記プラスチック基材の表面上の所定の領域に照射を行って、前記所定の領域中の前記促進剤を露出させる工程と；前記プラスチック基材の表面上の照射領域にめっきを施して、前記所定の領域上に第１の金属層を形成する工程と；前記第１の金属層にめっきを施して、前記第１の金属層上に第２の金属層を形成する工程とを含む。前記促進剤は、式ＡＭ_ｘＢ_ｙＯ_ｚ及び／又はＡ’Ｍ’_ｍＯ_ｎにより表される。 （もっと読む）

【課題】銀ペーストを使用しないで無電解めっきによって太陽電池電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）シリコン基板を提供する；（Ｂ）シリコン基板を活性剤と接触させる、ここで活性剤は貴金属又は貴金属化合物、増粘剤及び水を含む；（Ｃ）シリコン基板を洗浄剤で洗浄する；及び（Ｄ）無電解系めっきを実施するために、シリコン基板を無電解ニッケルめっき溶液中に浸漬し、ニッケル層５１および５２を形成する；工程を含む。本発明の無電解めっきによって太陽電池電極を提供する方法は窒化ケイ素３及びシリコン２３の間の高い選択性及び大きな運転条件範囲を有し、そして安定で制御され易いため、太陽電池基板の電極の製作において使用されるのに適している。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき法により形成される金属めっき膜の厚みを従来よりも厚く設けても無電解めっき浴中で金属めっき膜が膨れ、或いは剥がれるのを防止することができ、電気めっき法を併用することなく無電解めっき法により厚膜化された金属めっき膜を有するめっき物を提供する。
【解決手段】基材１と、該基材１の表面上に設けられた少なくとも導電性高分子微粒子とバインダーとを含む塗膜層２と、該塗膜層２上に無電解めっき法により形成された金属めっき膜３とからなるめっき物であって、該金属めっき膜が銅からなる場合には、その厚みが２．０μｍ以上であり、該金属めっき膜がニッケルからなる場合には、その厚みが０．２μｍ以上であり、該塗膜層の表面粗さ：Ｒａが０．０５〜２．０μｍであり、前記バインダーは、前記導電性高分子微粒子１質量部に対して０．１〜６０質量部であるめっき物。 （もっと読む）

【課題】塗工方法によって塗膜層の厚みが５００ｎｍ以上となっても密着性や塗膜強度に優れためっき物を提供する。
【解決手段】基材１と、該基材１の表面上に設けられた少なくとも導電性高分子微粒子とバインダーと無機系フィラーとを含む塗膜層２と、該塗膜層２上に無電解めっき法により形成された金属めっき膜３とからなるめっき物であって、該塗膜層２は、表面粗さ：Ｒａが０．０５〜２．０μｍで、厚みが０．５〜３０μｍであり、前記無機系フィラーは、前記バインダー１質量部に対して０．１〜１．５質量部であり、前記バインダーは、前記導電性高分子微粒子１質量部に対して０．１〜６０質量部であるめっき物。 （もっと読む）

【課題】被覆性及び付着力が高い金属膜を、半導体基板上に低コストで形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐｄイオンを含むＰｄ活性化液２８（塩化パラジウム）にＧａＡｓ基板１６（半導体基板）を浸漬してＧａＡｓ基板の表面にＰｄキャタリスト３０を付着させる。このＰｄキャタリストとＧａＡｓ基板が反応してＰｄ−Ｇａ−Ａｓの混合層４０が形成される。次に、表面にＰｄキャタリストが付着されたＧａＡｓ基板をＰｄ無電解めっき液４２に浸漬してＧａＡｓ基板上にＰｄめっき膜４４を形成する。 （もっと読む）