【課題】 本発明の課題は、微細配線形成性、絶縁信頼性に優れるめっき用めっき未析出材料、ならびに該材料を用いてなるプリント配線板を提供することにある。
【解決手段】 めっきを施した場合にめっきが析出しない、めっき用めっき未析出材料であって、該めっき用めっき未析出材料の一部を改質操作により改質することにより、当該改質部分が、めっきを施した場合にめっきが析出するめっき析出部分に変換されることを特徴とするめっき用めっき未析出材料により、上記課題を解決し得る。 （もっと読む）

【課題】 導体層パターンを容易に生産性よく作製するためのめっき方法、また、耐久性のよいめっき用導電性基材を使用するめっき方法、さらに、めっき速度が速く従って生産効率のよいめっき方法を提供する。
【解決手段】 導電性基材の表面に、絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材にめっきにより金属を析出させることを特徴とするめっき方法。めっき用導電性基材にめっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている上記絶縁層はダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】可視光領域での透過率が高く、化学的に安定であり、高い導電性を有した透明導電性基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明性基板の表面に、金ナノ粒子が線状に配列して成長した金ナノワイヤーから成る膜を有する本発明の透明導電性基板を製造するには、不活性ガス雰囲気下にて基板の表面に、アミノ基あるいはチオール基を有した化合物を用いて、それらの表面基を導入した後、得られた処理基板を、金イオンあるいは金の錯体イオンを含む溶液中に所定時間浸漬させて金イオンあるいは金の錯体イオンを処理基板表面基に吸着させ、その後、還元性溶液中に浸漬させて処理基板表面基の金イオンあるいは金の錯体イオンを還元させ、処理基板表面に金ナノ粒子を付着させ、最終工程で、前記処理基板を、金イオンあるいは金の錯体イオンを含む溶液中に浸漬させ、還元性溶液を添加し、所定時間後に取り出す。 （もっと読む）

本開示は、ミクロ構造を形成する物品及び方法を記載する。方法は、くぼんだ表面を伴う１つ以上のくぼんだ形状を含む構造化表面領域を有する基材を提供する工程を含む。構造化表面領域は、実質的に平坦域を有さない。方法は、機能材料及び液体を含む流体組成物を構造化表面領域上に配置する工程を含む。方法は、液体を流体組成物から蒸発させる工程を含む。機能材料は、構造化表面領域の残余が、実質的に機能材料を有さないように、くぼんだ表面上に集まる。
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【課題】触媒に含まれる貴重な貴金属の省資源化ができると共に、基体を粗面化しないでも密着性に優れる精密な３次元的な導電性回路を形成する。
【解決手段】第１の基体１の表面にＯＨ基１ａを生成した後にチオール反応性アルコキシシラン化合物からなる機能性分子接着剤２を塗布して加熱乾燥する。アルコール洗浄によって未反応の機能性分子接着剤２を除去後に、ポリグリコール酸からなる被覆材３を部分的に被覆して第２の基体４を形成する。第２の基体４の表面に触媒５を付与後に、被覆材３の表面に残存する触媒を水洗除去する。被覆材３で被覆されていない部分に、浴組成が酸性または中性のいずれかの無電解めっきＡを行なった後で被覆材をアルカリ水溶液で除去する。機能性分子接着剤２が第１の基体１の表面のＯＨ基と化学結合してチオール基を生成し、このチオール基が触媒５を介して無電解めっきＡと強固に化学結合する。 （もっと読む）

【課題】ホット・プレート状の基板加熱手段を利用して、基板面側から金属ナノ粒子分散液塗布膜を加熱処理する手法を適用して、下地層に対する優れた密着性と、高い導電性を有する金属ナノ粒子焼結体厚膜層を基板上に形成する方法の提供。
【解決手段】表面に塗布膜が描画された基板を、温度Ｔ_plateに加熱されたホット・プレート状の基板加熱手段上に配置し、基板加熱手段に接する基板裏面側から加熱を行い、
塗布膜の基板面側の温度：Ｔ_bottom（ｔ）を、１５０℃〜２５０℃の範囲であって、塗布膜中に含まれる分散溶媒の沸点Ｔ_b-solventよりも低く選択される温度とし、
塗布膜の表面温度：Ｔ_top（ｔ）を、温度差ΔＴ（ｔ）＝｛Ｔ_bottom（ｔ）−Ｔ_top（ｔ）｝≧１０℃となる範囲に維持して、該塗布膜に対する加熱処理を行って、含まれている金属ナノ粒子の低温焼結を起させる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉや金属層の種類が限定されずＳｉの酸化膜除去処理によっても金属層が剥離することのない電極及びその形成方法、並びに前記電極を備える半導体デバイスを提供する。
【解決手段】表面に活性化処理されたＳｉを有する基板１１上に、第１の末端にＣＨ基、ＣＨ_２基、ＣＨ_３基のいずれかを有し、第２の末端にアミノ基、メルカプト基、フェニル基、カルボキシル基のいずれかを有する有機分子の薄膜（有機分子膜）１２ａを形成する有機分子膜形成工程と、前記有機分子膜１２ａ表面に触媒金属１２ｂを付与する触媒化工程と、前記有機分子膜１２ａに触媒金属１２ｂを付与した密着層１２表面に無電解めっき法により金属層１３を形成する無電解めっき工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】セラミック、ガラス、樹脂などの素体に対し、金属膜を接合形成する際、簡便さと接合信頼性とを両立させることが問題となっていた。
【解決手段】多数の孔部を有する多孔質金属めっき膜と、前記孔部に充填されたガラス成分と、を備える金属膜を用意し、これを素体に加熱接着すればよい。 （もっと読む）

【課題】表面を化学的に十分改質する事が困難である３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を主成分とする芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とから得られる芳香族ポリイミドにおいても、従来に比べポリイミドフィルム表面と金属導電層との常態及び高温下でのエージング処理後の密着性が向上し、かつ電気絶縁信頼性の良好なポリイミド金属積層体提供する。
【解決手段】片面若しくは両面をアルミニウム酸化物、チタン酸化物及びシリコン酸化物より選ばれる成分により変性されたポリイミドフィルムの変性した表面に、湿式めっきプロセスにより金属層を形成したポリイミド金属積層体であり、湿式めっきプロセスは、ポリイミドフィルムの変性した表面をアルカリ溶液で処理する工程、塩基性アミノ酸溶液で処理する工程、触媒を付与する工程、無電解金属めっきによる金属層を形成する工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】 化学的に非常に安定で表面を化学的に十分改質する事が困難である３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を主成分とする芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とから得られる芳香族ポリイミドフィルムにおいても、従来に比べポリイミドフィルム表面と金属配線パターンとの密着性が向上し、高温下でのエージング処理後の密着性が向上し、かつ電気絶縁信頼性の良好な高精細なポリイミド配線基板を安定して提供すること。
【解決手段】 ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を主成分とする芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とから得られ、片面若しくは両面を無機酸化物変性したポリイミドフィルムの変性した表面に、湿式めっきプロセスによるアディティブ法で金属配線パターンを形成したポリイミド配線基板であり、
特定のめっきプロセスを少なくとも備えて製造される事を特徴とするポリイミド配線基板に関する。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れた金属膜を有し、且つ、湿度変化による密着力の変動が少ない表面金属膜材料、及び該表面金属膜材料を有機溶剤の使用を低減しつつ作製することができる表面金属膜材料の作製方法を提供すること。
【解決手段】（ａ）基板上に、シアノ基を有するポリマーからなる粒子を含有する水分散物を塗布し、乾燥する工程と、（ｂ）前記基板上に存在する該粒子をエネルギー付与により熱融着させて、熱融着層を形成する工程と、（ｃ）該熱融着層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（ｄ）該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有することを特徴とする表面金属膜材料の作製方法、この作製方法により得られた表面金属膜材料。 （もっと読む）

【課題】製造工程を大幅に削減することができ、導電層の製膜時間を短縮することができるほか、容易に大面積化をはかることが可能で、かつ、様々な基板に関して導電層を具備することができる配線用基板及び配線基板の提供。
【解決手段】湿式無電解メッキ法を用いて基板上に導電層を形成し、部分的に導電層を除去する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体又は半導体の表面に、超臨界流体又は亜臨界流体を使用するとともに誘導共析現象を利用して短時間で厚いめっき層を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】絶縁体としてのガラス基板試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】複雑で高価な蒸着法によることなく導電層を形成し、不良品の発生を防ぎながら効率よく導電層の一部を除去することが可能な、導電層を有する三次元構造物及び三次元金属構造物の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記製造方法は、（Ａ）基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、（Ｂ）無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、（Ｃ）ゲル状エッチング組成物と接触させることにより前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】余計なプロセスを省きながら形成可能な膜厚の自由度が高いパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】コロイドに微粒子を分散させた液体材料２を基板１に接触させ、基板１上にエネルギービーム７を照射することで液体材料２中の少なくとも一つの成分を基板１上に固定する際に、基板１の少なくとも一部が液体材料２に接触しておらず、かつその液体材料２に接触していない部分からエネルギービーム７を入射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精度のメッシュパターン等の精細画像を精確に形成することが可能な無電解メッキ用前処理剤を提供すること、及び光透過性、電磁波シールド性、外観性、及び視認性に優れ、高精度のメッシュパターンを有する光透過性電磁波シールド材を、簡易に得ることができる光透過性電磁波シールド材の製造方法を提供すること。
【解決手段】無電解めっき用触媒微粒子と、合成樹脂とを含む無電解めっき前処理剤であって、剪断速度２４０ｓ^-1における粘度Ｂに対する剪断速度２．４ｓ^-1における粘度Ａの比（Ａ／Ｂ）で定義されるチキソトロピーインデックスが５以上であることを特徴とする無電解めっき前処理剤。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れた金属膜、金属パターンを、低エネルギーで、且つ、簡易に形成しうる表面金属膜材料の作製方法、及び金属パターン材料の作製方法を提供すること。
【解決手段】（１）基板に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基、ラジカル重合性基、及び、ラジカル発生部位を有するポリマーを接触させた後、該ポリマーに対して露光を行い、該基板上にポリマー層を形成する工程と、（２）該ポリマー層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（３）該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有することを特徴とする表面金属膜材料の作製方法、並びに、（４）該作製方法により得られた表面金属膜材料のめっき膜をパターン状にエッチングする工程を有することを特徴とする金属パターン材料の作製方法。 （もっと読む）

【課題】形成されためっき面の外観不良が発生しないフィルムキャリアテープの製造方法とその製造に用いられる無電解スズめっき装置を提供する。
【解決手段】無電解スズめっき装置は、フィルムキャリアテープ２に無電解スズめっきを施すめっき槽１と、該めっき槽１のめっき液面より上に配置された液切り治具１１とシャワー装置１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】樹脂表層に銅などのめっきと樹脂がナノメートルオーダーで混在する層を持ち、平滑樹脂上で非常に高いめっき密着性を有するに用いられる樹脂基板であって、平滑樹脂上に高密着強度のめっきを実施できるため、微細配線基板や高周波特性に優れたプリント配線基板を作製する。
【解決手段】シアネート系ビルトアップ樹脂を熱処理し樹脂中にトリアジン環を生成させる工程と、オゾン水により樹脂基体の表層を改質すると共に、貴金属錯イオンを含むキャタリスト液に浸漬し、樹脂マトリックス中に微細な金属粒子が均一に分散してなる樹脂−金属コンポジット層を一体的に形成し、貴金属をトリアジン環によって固定させる工程とによって樹脂基板を製造し、該貴金属を核として樹脂基板の表面に無電解めっきにより金属被膜を形成し、その後に該金属被膜を除去することを特徴とする回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ、微細で深い溝パターンを形成可能なメタルマスクを提供すること。また、微細で深い溝パターンを有するガラス成形型を提供すること。
【解決手段】開口パターン部１０ａと非開口パターン部１０ｂとを有するメタルマスク１０の非開口パターン部１０ｂを、触媒金属１８が付与された下地層１２の表面に積層された無電解Ｎｉめっきまたは無電解Ｎｉ合金めっきよりなるめっき層１４と、めっき層１４の表面を被覆するＮｉＦ_２層１６とから構成する。このメタルマスク１０を介して型基材部２０表面をエッチングする工程を経て、溝部を有するガラス成形型とする。 （もっと読む）