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Fターム[4K022BA35]の内容

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Fターム[4K022BA35]に分類される特許

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【課題】ニッケルめっき液を短期間で交換することなく配線パターン間の金の析出が抑制されるめっき装置と、めっき方法を提供する。
【解決手段】めっき装置10は、めっき液7を貯留する金属製のめっき槽1、めっき液7に浸漬される電極2および電源部6を備えている。めっき槽1には、それぞれ電源部6に繋がれた参照電極のリード線4と対極のリード線5とが接続されて、めっき槽1が陽極とされ、電極2には、電源部6に繋がれた試料電極のリード線3が接続されて、電極2が陰極とされる。電源部6によって、めっき槽1と電極2との間の電位差が自然分極電位に設定される。 (もっと読む)


【課題】基板の面内で均一な膜厚を有するめっき処理膜を形成すること
【解決手段】この半導体装置の製造装置は、基板を回転可能に保持する保持機構と、基板上の被処理面にめっき処理を施すための処理液を供給するノズルと、保持機構に保持された基板を被処理面に沿った向きで回転させる基板回転機構と、保持機構に保持された基板上の被処理面と対向する位置で、ノズルを被処理面に沿った方向に移動させるノズル移動機構と、ノズルによる処理液の供給およびノズル移動機構によるノズルの移動動作を制御する制御部とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 製造が容易な白金錯体であって、媒体に有害性の高い溶剤を使用する必要のない、セラミック基材への電極形成に適した無電解めっき前処理剤を提供する。
【解決手段】 ビス(2,4−オクタンジオン)白金錯体などの白金錯体0.005〜10.000質量%と、有機溶剤60.000〜99.895質量%と、増粘剤0.100〜30.000質量%とを含有する無電解めっき前処理剤。有機溶剤としては、ターピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテートが好ましい。セラミック基材の表面に、前記無電解めっき前処理剤を塗布した後、350〜450℃で焼成することによりセラミックス基板上に白金の触媒を形成し、次いで前記触媒上に無電解白金めっきを行い、セラミック基板に電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】 成膜時間や工数を大幅に削減することができ、生産性良く配線を形成することできるとともに、結晶性の良い無電解めっき膜の形成が可能で、配線の主体となる無電解めっき膜の形状も安定なものとすることが可能な配線形成方法を提供する。
【解決手段】 銅とマンガンを含む合金膜を形成する工程と、合金膜を熱処理してマンガンを表面及び下側界面に偏析させ、銅薄膜の上下にマンガン層が形成された複合膜とする工程と、銅薄膜上に形成されたマンガン層を除去する工程と、銅薄膜をシード層として無電解めっきを行う工程とを有する。無電解めっきを行う工程においては、レジストを用いたリフトオフ法により配線パターンを決定する。無電解めっき工程の後、レジストを除去し、露呈する銅薄膜及びマンガン層の不要部分を除去する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理を用いることにより、表面抵抗等のばらつきが少ない薄膜形成が可能な金属酸化物薄膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】基材上に、金属酸化物薄膜を形成する金属酸化物の製膜方法において、基材に対して、金属塩を含有する液状物を塗布して金属塩を含有する塗膜を形成する工程と、
塗膜に対してプラズマ処理を行う工程と、を含み、より好ましくは、金属塩を含有する液状物として、亜鉛及びインジウムから選ばれる少なくとも1つを含有する液状物を用いる金属酸化物薄膜の製膜方法である。 (もっと読む)


本発明は、半導体デバイスの製造プロセス中のパターン化もしくは構造化されたSiO2層またはSiO2ラインの生成に有用であり、インクジェット処理での塗布に適した組成物に関する。また、本発明は、これらの新たな組成物を利用する、半導体デバイス製造の改良プロセスに関する。 (もっと読む)


【課題】材料損失が少なく、基板との高い密着性を有するめっき膜の製造技術を提供すること。
【解決手段】(a)金型(4)の凹部(2)内に、触媒液を付着させることによって触媒層(10)を形成すること、(b)金型の一面側に樹脂を鋳込むことにより、凹部に対応した凸部を一面側に有するスタンプ(12)を形成すること、(c)金型からスタンプを取り外し、触媒層を凸部に転写すること、(d)スタンプの一面側を、基板(16)上に配置された半硬化状態の樹脂(14)に押し当てることにより、凸部に対応した形状を半硬化状態の樹脂に転写するとともに触媒層を半硬化状態の樹脂に転写すること、(e)半硬化状態の樹脂を硬化させること、(f)基板上の樹脂に転写された触媒層上にめっき膜を形成すること、を含むめっき膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】表面処理後、成形部品の一部のみが無電解めっきを受容可能になるが、他の部分は受容可能にならない。
【解決手段】本発明は、二重ショット成形プラスチック部品の非めっき等級樹脂部分に触媒毒を組み込み、触媒毒を含有している該部分上に任意の無電解めっき化学物質が析出する傾向を遅延させる方法に関する。 (もっと読む)


【課題】LTCC基板の配線パターン間の金異常析出不具合、金とニッケルめっき皮膜間の密着不良、はんだはじき現象、およびはんだ継ぎ手の強度劣化などの問題の発生を低減する。
【解決手段】略中性の次亜リン酸塩を還元剤とする無電解ニッケルめっき液を用いて金属焼結体配線パターンの上に形成されたニッケル−リン合金の第一層構造と、形成される層構造が7重量パーセント以上のリンを含有し、イオウ成分を含有しない無電解ニッケルめっき液を用いて第一層構造の上に形成された非晶質でイオウを含有しないニッケル−リン合金の第二層構造と、置換型無電解金めっき液を用いて第二層構造の上に形成された金の第三層構造と、還元型無電解金めっき液を用いて第三層構造の上に形成された金の第四層構造とを有する。 (もっと読む)


【課題】めっき皮膜が基板から引き剥がれることなく、銅回路と基材の密着の向上した良好な回路基板を製造することを目的とする。
【解決手段】絶縁樹脂13からなる基材上に、下地めっき皮膜14aを形成する一次めっき処理を工程と、この一次めっき処理工程にて形成された下地めっき皮膜14b上に、当該下地めっき皮膜14bよりも膜厚の厚い厚付けめっき皮膜14bを形成する二次めっき処理工程とを備え、一次めっき処理工程では、二次めっき処理工程において形成される厚付けめっき皮膜14bの内部応力の向きと異なる向きの内部応力を有する下地めっき皮膜14aを形成させる無電解めっき浴を用いてめっき処理を行う。 (もっと読む)


【課題】下地金属の溶解量を抑制させることができ、めっき濡れ性及び接続信頼性の向上した回路基板を形成することが可能な無電解錫めっき浴及びめっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被めっき物上に錫めっき皮膜を形成させるための無電解錫めっき方法において、少なくとも、錫化合物と、還元剤としての水素化ホウ素化合物とを含有する無電解錫めっき浴を用いて、上記水素化ホウ素化合物による還元反応により錫めっき皮膜を形成させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ハロゲン化パラジウムを容易に水に溶解できるようにして、還元時の収率を大幅に向上させ、金属パラジウム触媒を効率よく生産する。
【解決手段】印刷用めっき触媒の製造方法は、ハロゲン化パラジウムを含有する水溶液を調製する工程を有し、前記水溶液を用いて印刷用めっき触媒を製造する印刷用めっき触媒の製造方法であって、前記水溶液が無機アニオンを含有することを特徴とする。無機アニオンの含有量は前記ハロゲン化パラジウム1質量部に対して、0.5質量部以上50質量部以下であることが好ましい。無機アニオンはハロゲンイオン又はロダンイオンである。 (もっと読む)


【課題】優れた導電性、めっきした際の接着性を有し、かつ、室内光や外光に影響されることなく、映像が見やすく、色再現性が良好で、機能層との接着性が良好な導電性材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に少なくとも物理現像核層とハロゲン化銀乳剤層をこの順に有する導電性材料前駆体において、物理現像核層がアミノ基含有ラテックスを含有することを特徴とする導電性材料前駆体を用いる。 (もっと読む)


【課題】表面への金属メッキ層の形成が容易で、金属メッキ層との密着性に優れた複合材料およびその製造方法、ならびに該複合材料を含む成形体を提供する。
【解決手段】(1)特定の繰り返し単位を有するケイ素系重合体(A)と、炭素−炭素不飽和結合を有する重合体(B)とを含有する樹脂組成物からなる成形物を得る工程、(2)架橋構造を形成させる工程、および、(3)成形物表面および/または成形物内部に金属微粒子を形成する工程を有することからなる複合材料の製造方法、および該複合材料。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき法を用いて、より比抵抗の低い銅めっき膜を得ることが可能な製造技術を提供することを1つの目的とする。
【解決手段】本発明に係る一態様の銅めっき膜の製造方法は、(a)基材(2)上に触媒層(6)を形成すること、(b)Co(II)を還元剤に用いた無電解めっき浴(8)に前記基材を浸漬することにより、前記触媒層上にめっき銅膜(10)を析出させること、(c)前記めっき銅膜を有する基材を60℃以上140℃以下の温度範囲において焼成すること、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ケイ素含有重合体を主成分とする樹脂成形物の表面に、遷移金属の微粒子を形成させる、樹脂成形物の表面処理方法ならびに処理物を提供することを課題としている。また本発明は、任意の材質・形状の基材の表面に形成した樹脂成形物の表面に、精細な形状の導体層、金属メッキ層、配線パターンなどを形成する方法ならびに処理物を提供することを課題としている。
【解決手段】本発明の樹脂成形物の表面処理方法は、多重結合を含む基を有する特定のケイ素含有化合物(A)と、ケイ素含有重合体(B)とを含有する樹脂組成物からなる樹脂成形物を、遷移金属塩の溶液あるいは懸濁液と接触させて、樹脂成形物上に遷移金属の微粒子を形成させることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】真空蒸着による電極形成法は工程時間が長く、薄膜形成装置及び材料の価格が高く、エッチング(etching)時に環境汚染を引き起こすおそれがあるという問題点がある。
【解決手段】本発明は導電性パターン及び上記導電性パターンの形成方法に関し、より具体的に上記導電性パターンの形成方法は、1)基板を準備するステップ、2)上記基板上に接着改善剤及び溶媒を含む第1組成物を印刷して第1パターンを形成するステップ、3)上記第1パターン上に伝導性粒子及び溶媒を含む第2組成物を印刷して第2パターンを形成するステップ、及び4)上記第1パターン及び第2パターンを焼成するステップを含む。本発明に係る導電性パターンの形成方法は、パターンと基板間の付着性を増進させることができ、疎水性基板においてもバンクを形成することなく高い解像度の微細なパターンを形成することができる。 (もっと読む)


【課題】加熱雰囲気温度の均一性の影響を受け易く、基材面に薄膜で且つ均斉な銅膜を形成することが困難であるという、蟻酸銅又はその化合物を熱分解する従来の銅膜の形成方法での課題を解決する。
【解決手段】所定温度に加熱されている基板10を、前記加熱温度で不活性な不活性ガス雰囲気内に載置して、基板10の表面に向けて前記加熱温度で蒸発する溶媒中に蟻酸銅を溶解した蟻酸銅溶液をノズル20から噴霧し、前記加熱温度下で噴霧された蟻酸銅溶液中の溶媒を蒸発すると共に、前記蟻酸銅を熱分解して、基板10の一面側に薄膜の銅膜を形成した後、前記銅膜の表面に形成される酸化膜を還元する還元剤を含有する還元剤溶液を、前記不活性ガス雰囲気内で加熱されている基板10にノズル20から噴霧することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】めっきにより形成される金属膜との密着性及び、樹脂−金属界面の平滑性に優れ、高い膜形成感度を有する製造適性が良好な、めっき触媒若しくはその前駆体受容性層を形成しうるめっき用感光性樹脂組成物、及び金属層と基板との密着性に優れた金属層付き基板を、低エネルギーで容易に形成することができる金属層付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき触媒若しくはその前駆体と配位結合性の相互作用を形成する官能基、及び重合性基を有するポリマー並びに分子内に少なくとも2つの重合性基を有する多官能モノマーを含有することを特徴とする、めっき触媒若しくはその前駆体受容性層を形成しうるめっき用感光性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】銅素地に直接均一な金皮膜を形成できる非シアン系の置換金めっき液を提供する。
【解決手段】亜硫酸金塩を金イオン濃度として0.5〜10g/Lと、水溶性アミノカルボン酸化合物10〜150g/Lとを含有する銅素地用置換無電解金めっき液であって、亜硫酸金塩以外の亜硫酸塩を含まない銅素地用置換無電解金めっき液。水溶性アミノカルボン酸化合物は、亜硫酸金錯体の安定化に寄与し、金属不純物の錯化剤として作用する。そのため、本発明の金めっき液は、亜硫酸塩を含まないにもかかわらず亜硫酸金塩のめっき液中での自己分解が抑制され、高い液安定性を示す。 (もっと読む)


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